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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第285页 > NTB27N06
NTP27N06 , NTB27N06
功率MOSFET
27安培, 60伏
N沟道TO- 220和D2PAK
在专为低电压,高速开关应用
电源,转换器,功率电机控制和电桥电路。
特点
http://onsemi.com
更高的额定电流
低RDS ( ON)
较低的VDS (上)
较低的电容
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
27安培
60伏特
RDS ( ON) = 46毫欧
N沟道
D
典型应用
G
最大额定值
( TC = 25° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压( RGS = 10 MΩ )
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复( TP
v10
女士)
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA 100℃
- 单脉冲( TP
v10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 启动TJ = 25°C
( VDD = 50伏直流电, VGS = 10 VDC ,
L = 0.3 mH为IL ( PK ) = 27 A, VDS = 60 V直流)
热电阻 - 结到外壳
最大无铅焊接温度的
目的, 1/8“案件从10秒
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGS
ID
ID
IDM
PD
TJ , TSTG
EAS
价值
60
60
"20
"30
1
27
15
80
88.2
0.59
-55
+175
109
ADC
APK
W
W / ℃,
°C
mJ
2
3
单位
VDC
VDC
VDC
4
S
1
TO–220AB
CASE 221A
风格5
2
3
D2PAK
CASE 418B
方式2
4
标记DIAGRAMS
&放大器;引脚分配
4
4
NTx27N06
LLYWW
NTx27N06
LLYWW
1
2
3
来源
1
2
3
来源
R
θJC
TL
1.7
260
° C / W
°C
NTx27N06
x
LL
Y
WW
=器件代码
= B或P
=地点代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP27N06
NTB27N06
NTB27N06T4
TO–220AB
D2PAK
D2PAK
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年8月 - 第2版
出版订单号:
NTP27N06/D
NTP27N06 , NTB27N06
电气特性
( TJ = 25° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压(注1 )
( VGS = 0伏, ID = 250
μAdc )
温度系数(正)
零栅极电压漏极电流
( VDS = 60 V , VGS = 0伏)
( VDS = 60 V , VGS = 0伏, TJ = 150 ° C)
门体漏电流( VGS =
±20
VDC , VDS = 0伏)
基本特征
(注1 )
栅极阈值电压(注1 )
(VDS = VGS ,ID = 250
μAdc )
阈值温度系数(负)
静态漏 - 源极导通电阻(注1 )
( VGS = 10 VDC , ID = 13.5 ADC )
静态漏 - 源极导通电阻(注1 )
( VGS = 10 VDC , ID = 27 ADC )
( VGS = 10 VDC , ID = 13.5 ADC , TJ = 150 ° C)
正向跨导(注1 ) ( VDS = 7.0伏, ID = 6.0 ADC )
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
(注2 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
( VDS = 48伏直流电, ID = 27的ADC ,
Vd
Ad
VGS = 10 V直流) (注1 )
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
( IS = 27 ADC , VGS = 0伏) (注1 )
( IS = 27 ADC , VGS = 0伏, TJ = 150 ° C)
反向恢复时间
( IS = 27 ADC , VGS = 0伏,
Ad
Vd
DIS / DT = 100 A / μs)内(注1 )
反向恢复电荷存储
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
TRR
ta
tb
QRR
VSD
1.05
0.93
42
26
16
0.07
1.25
c
ns
VDC
( VDD = 30 V直流, ID = 27的ADC ,
VGS = 10 VDC ,
VDC
RG = 9.1
)
(注1 )
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
QT
Q1
Q2
13.6
62.7
26.6
70.4
21.2
5.6
7.3
30
125
60
140
30
nC
ns
( VDS = 25 Vd的VGS = 0伏,
VDC ,
Vd
F = 1.0兆赫)
西塞
科斯
CRSS
725
213
58
1015
300
120
pF
VGS ( TH)
2.0
RDS ( ON)
VDS (上)
政府飞行服务队
1.05
2.12
13.2
1.5
姆欧
37.5
46
VDC
2.8
6.9
4.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V( BR ) DSS
60
IDSS
IGSS
1.0
10
±100
NADC
70
79.4
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NTP27N06 , NTB27N06
56
VGS = 10 V
ID ,漏极电流( AMPS )
48
40
32
24
16
8
0
0
1
2
3
4
5
6
VDS ,漏极至源极电压(伏)
9V
8V
6.5 V
6V
5.5 V
5V
4.5 V
7.5 V
7V
ID ,漏极电流( AMPS )
48
40
32
24
16
8
0
2.6
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = -55°C
3.4
4.2
5
5.8
6.6
7.4
8.2
VGS ,栅极至源极电压(伏)
56
VDS
w
10 V
图1.区域特征
图2.传输特性
RDS ( ON) ,漏极至源极电阻( Ω )
0.095
0.085
0.075
0.065
0.055
0.045
0.035
0.025
0.015
0
8
16
24
32
40
48
56
ID ,漏极电流( AMPS )
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 100℃
VGS = 10 V
RDS ( ON) ,漏极至源极电阻( Ω )
0.095
0.085
0.075
VGS = 15 V
0.065
0.055
0.045
0.035
0.025
0
8
16
TJ = 25°C
TJ = -55°C
24
32
40
48
56
TJ = 100℃
0.015
ID ,漏极电流( AMPS )
RDS ( ON) ,漏极至源极电阻(标准化)
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
2.2
ID = 13.5
VGS = 10 V
智能决策支持系统,漏电( NA)
1.8
1000
10000
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
VGS = 0 V
TJ = 150℃
1.4
100
TJ = 125°C
TJ = 100℃
10
1
0.6
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
TJ ,结温( ° C)
VDS ,漏极至源极电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTP27N06 , NTB27N06
功率MOSFET开关
电容(西塞)从电容曲线上读出在
交换行为是最容易建模和预测
对应于关断状态的条件时的电压
由认识到功率MOSFET是充电
计算TD(上),并读出对应于所述的电压
控制。各种开关间隔的长度(ΔT)
导通状态时,计算TD(关闭)。
由如何快速FET输入电容可确定
在高开关速度,寄生电路元件
从发电机通过电流进行充电。
复杂的分析。 MOSFET的电感
已发布的电容数据是难以用于
源引,内包装,在电路布线
计算的上升和下降,因为漏 - 栅电容
这是通用的漏极和栅极的电流路径,
变化很大随施加电压。因此,门
产生一个电压,在这减小了栅极驱动器的源
电荷数据被使用。在大多数情况下,令人满意的估计
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定,但由于di / dt的
平均输入电流(IG (AV) )可以由一个作
是漏极电流的函数,在数学溶液
驱动电路,使得基本的分析
复杂的。 MOSFET的输出电容也
T = Q / IG ( AV )
复杂的数学。最后, MOSFET的
有限的内部栅极电阻,有效地增加了
在上升和下降时间间隔切换时,
所述驱动源的电阻,但内阻
阻性负载,V GS保持几乎恒定的水平
难以测量,因此,没有被指定。
被誉为高原电压, VSGP 。因此,上升和下降
电阻开关时间变化与门
时间可近似由下:
电阻(图9)显示了如何典型开关
TR = Q2 X RG / ( VGG - VGSP )
性能由寄生电路元件的影响。如果
TF = Q2 X RG / VGSP
寄生效应不存在时,曲线的斜率将
保持统一的值,而不管开关速度。
哪里
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
VGG =栅极驱动电压,其变化从零到VGG
在漏极和栅极电路环路共同电感和
RG =栅极驱动电阻
被认为是很容易达到的板装
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载,其
在导通和关断延迟时间,栅极电流是
近似的最佳冷落感性负载。动力
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
然而,不压井作业减少了开关损耗。
电压的变化的RC网络。该方程为:
TD ( ON) = RG西塞在[ VGG / ( VGG - VGSP )
TD (关闭) = RG西塞在( VGG / VGSP )
1800
1600
C,电容(pF )
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
10
CRSS
5
VGS
0
VDS
5
10
15
20
25
科斯
CRSS
VDS = 0 V VGS = 0 V
西塞
TJ = 25°C
西塞
栅极 - 源极或漏极至源极电压(伏)
图7.电容变化
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4
NTP27N06 , NTB27N06
VGS ,栅极至源极电压(伏)
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
QG ,总栅极电荷( NC)
60
70
ID = 27一
TJ = 25°C
1
1
10
RG ,栅极电阻( Ω )
100
Q1
Q2
QT
100
tf
tr
10
TD (上)
VDS = 30 V
ID = 27一
VGS = 10 V
1000
T, TIME ( NS )
VGS
TD (关闭)
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
60
IS ,源电流(安培)
50
40
30
20
10
0
0.6
VGS = 0 V
TJ = 25°C
0.92
0.84
0.68
0.76
VSD ,源 - 漏极电压(伏)
1
图10.二极管的正向电压与电流
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时,它是
正向偏置。曲线是基于最大峰值
结温度为25 ℃的情况下,温度(T ) 。
重复峰值脉冲功率限制使用确定
在与程序一起使用时的热响应数据
在AN569讨论, “瞬态热阻 -
一般数据和它的使用。 “
关断状态,导通状态可能会之间的切换
遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流
( IDM ),也不额定电压( VDSS )超标和
过渡时间( TR , TF )不超过10
s.
此外,该总
功率平均一个完整的开关周期不得
超过( TJ(MAX) - TC) / (r
θJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。为
可靠的操作,所存储的能量从电路电感
耗散在晶体管,而在雪崩必须小于
超过额定界限和调节操作条件
从这些规定不同。虽然行业惯例是
以速度在能源方面,雪崩能量能力不
一个常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加,雪崩和峰值结
温度。
虽然许多E-场效应管能承受的压力
漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲
电流( IDM ) ,能量等级在额定指定
连续电流(ID ) ,按照行业惯例。
能量等级必须降低温度,如图
在所附的图中(图12) 。在最大能量
低于额定连续电流ID可以安全地假定
等于指定的值。
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5
NTP27N06 , NTB27N06
功率MOSFET
27安培, 60伏
N沟道TO- 220和D2PAK
在专为低电压,高速开关应用
电源,转换器,功率电机控制和电桥电路。
特点
http://onsemi.com
更高的额定电流
低RDS ( ON)
较低的VDS (上)
较低的电容
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
27安培
60伏特
RDS ( ON) = 46毫欧
N沟道
D
典型应用
G
最大额定值
( TC = 25° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压( RGS = 10 MΩ )
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复( TP
v10
女士)
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA 100℃
- 单脉冲( TP
v10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 启动TJ = 25°C
( VDD = 50伏直流电, VGS = 10 VDC ,
L = 0.3 mH为IL ( PK ) = 27 A, VDS = 60 V直流)
热电阻 - 结到外壳
最大无铅焊接温度的
目的, 1/8“案件从10秒
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGS
ID
ID
IDM
PD
TJ , TSTG
EAS
价值
60
60
"20
"30
1
27
15
80
88.2
0.59
-55
+175
109
ADC
APK
W
W / ℃,
°C
mJ
2
3
单位
VDC
VDC
VDC
4
S
1
TO–220AB
CASE 221A
风格5
2
3
D2PAK
CASE 418B
方式2
4
标记DIAGRAMS
&放大器;引脚分配
4
4
NTx27N06
LLYWW
NTx27N06
LLYWW
1
2
3
来源
1
2
3
来源
R
θJC
TL
1.7
260
° C / W
°C
NTx27N06
x
LL
Y
WW
=器件代码
= B或P
=地点代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP27N06
NTB27N06
NTB27N06T4
TO–220AB
D2PAK
D2PAK
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年8月 - 第2版
出版订单号:
NTP27N06/D
NTP27N06 , NTB27N06
电气特性
( TJ = 25° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压(注1 )
( VGS = 0伏, ID = 250
μAdc )
温度系数(正)
零栅极电压漏极电流
( VDS = 60 V , VGS = 0伏)
( VDS = 60 V , VGS = 0伏, TJ = 150 ° C)
门体漏电流( VGS =
±20
VDC , VDS = 0伏)
基本特征
(注1 )
栅极阈值电压(注1 )
(VDS = VGS ,ID = 250
μAdc )
阈值温度系数(负)
静态漏 - 源极导通电阻(注1 )
( VGS = 10 VDC , ID = 13.5 ADC )
静态漏 - 源极导通电阻(注1 )
( VGS = 10 VDC , ID = 27 ADC )
( VGS = 10 VDC , ID = 13.5 ADC , TJ = 150 ° C)
正向跨导(注1 ) ( VDS = 7.0伏, ID = 6.0 ADC )
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
(注2 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
( VDS = 48伏直流电, ID = 27的ADC ,
Vd
Ad
VGS = 10 V直流) (注1 )
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
( IS = 27 ADC , VGS = 0伏) (注1 )
( IS = 27 ADC , VGS = 0伏, TJ = 150 ° C)
反向恢复时间
( IS = 27 ADC , VGS = 0伏,
Ad
Vd
DIS / DT = 100 A / μs)内(注1 )
反向恢复电荷存储
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比
2%.
2.开关特性是独立的工作结温。
TRR
ta
tb
QRR
VSD
1.05
0.93
42
26
16
0.07
1.25
c
ns
VDC
( VDD = 30 V直流, ID = 27的ADC ,
VGS = 10 VDC ,
VDC
RG = 9.1
)
(注1 )
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
QT
Q1
Q2
13.6
62.7
26.6
70.4
21.2
5.6
7.3
30
125
60
140
30
nC
ns
( VDS = 25 Vd的VGS = 0伏,
VDC ,
Vd
F = 1.0兆赫)
西塞
科斯
CRSS
725
213
58
1015
300
120
pF
VGS ( TH)
2.0
RDS ( ON)
VDS (上)
政府飞行服务队
1.05
2.12
13.2
1.5
姆欧
37.5
46
VDC
2.8
6.9
4.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V( BR ) DSS
60
IDSS
IGSS
1.0
10
±100
NADC
70
79.4
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NTP27N06 , NTB27N06
56
VGS = 10 V
ID ,漏极电流( AMPS )
48
40
32
24
16
8
0
0
1
2
3
4
5
6
VDS ,漏极至源极电压(伏)
9V
8V
6.5 V
6V
5.5 V
5V
4.5 V
7.5 V
7V
ID ,漏极电流( AMPS )
48
40
32
24
16
8
0
2.6
TJ = 25°C
TJ = 100℃
TJ = -55°C
3.4
4.2
5
5.8
6.6
7.4
8.2
VGS ,栅极至源极电压(伏)
56
VDS
w
10 V
图1.区域特征
图2.传输特性
RDS ( ON) ,漏极至源极电阻( Ω )
0.095
0.085
0.075
0.065
0.055
0.045
0.035
0.025
0.015
0
8
16
24
32
40
48
56
ID ,漏极电流( AMPS )
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 100℃
VGS = 10 V
RDS ( ON) ,漏极至源极电阻( Ω )
0.095
0.085
0.075
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0.065
0.055
0.045
0.035
0.025
0
8
16
TJ = 25°C
TJ = -55°C
24
32
40
48
56
TJ = 100℃
0.015
ID ,漏极电流( AMPS )
RDS ( ON) ,漏极至源极电阻(标准化)
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
2.2
ID = 13.5
VGS = 10 V
智能决策支持系统,漏电( NA)
1.8
1000
10000
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
VGS = 0 V
TJ = 150℃
1.4
100
TJ = 125°C
TJ = 100℃
10
1
0.6
–50
1
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
TJ ,结温( ° C)
VDS ,漏极至源极电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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NTP27N06 , NTB27N06
功率MOSFET开关
电容(西塞)从电容曲线上读出在
交换行为是最容易建模和预测
对应于关断状态的条件时的电压
由认识到功率MOSFET是充电
计算TD(上),并读出对应于所述的电压
控制。各种开关间隔的长度(ΔT)
导通状态时,计算TD(关闭)。
由如何快速FET输入电容可确定
在高开关速度,寄生电路元件
从发电机通过电流进行充电。
复杂的分析。 MOSFET的电感
已发布的电容数据是难以用于
源引,内包装,在电路布线
计算的上升和下降,因为漏 - 栅电容
这是通用的漏极和栅极的电流路径,
变化很大随施加电压。因此,门
产生一个电压,在这减小了栅极驱动器的源
电荷数据被使用。在大多数情况下,令人满意的估计
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定,但由于di / dt的
平均输入电流(IG (AV) )可以由一个作
是漏极电流的函数,在数学溶液
驱动电路,使得基本的分析
复杂的。 MOSFET的输出电容也
T = Q / IG ( AV )
复杂的数学。最后, MOSFET的
有限的内部栅极电阻,有效地增加了
在上升和下降时间间隔切换时,
所述驱动源的电阻,但内阻
阻性负载,V GS保持几乎恒定的水平
难以测量,因此,没有被指定。
被誉为高原电压, VSGP 。因此,上升和下降
电阻开关时间变化与门
时间可近似由下:
电阻(图9)显示了如何典型开关
TR = Q2 X RG / ( VGG - VGSP )
性能由寄生电路元件的影响。如果
TF = Q2 X RG / VGSP
寄生效应不存在时,曲线的斜率将
保持统一的值,而不管开关速度。
哪里
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
VGG =栅极驱动电压,其变化从零到VGG
在漏极和栅极电路环路共同电感和
RG =栅极驱动电阻
被认为是很容易达到的板装
和Q2和VGSP从栅极电荷曲线读取。
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载,其
在导通和关断延迟时间,栅极电流是
近似的最佳冷落感性负载。动力
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
然而,不压井作业减少了开关损耗。
电压的变化的RC网络。该方程为:
TD ( ON) = RG西塞在[ VGG / ( VGG - VGSP )
TD (关闭) = RG西塞在( VGG / VGSP )
1800
1600
C,电容(pF )
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
10
CRSS
5
VGS
0
VDS
5
10
15
20
25
科斯
CRSS
VDS = 0 V VGS = 0 V
西塞
TJ = 25°C
西塞
栅极 - 源极或漏极至源极电压(伏)
图7.电容变化
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NTP27N06 , NTB27N06
VGS ,栅极至源极电压(伏)
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
QG ,总栅极电荷( NC)
60
70
ID = 27一
TJ = 25°C
1
1
10
RG ,栅极电阻( Ω )
100
Q1
Q2
QT
100
tf
tr
10
TD (上)
VDS = 30 V
ID = 27一
VGS = 10 V
1000
T, TIME ( NS )
VGS
TD (关闭)
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
60
IS ,源电流(安培)
50
40
30
20
10
0
0.6
VGS = 0 V
TJ = 25°C
0.92
0.84
0.68
0.76
VSD ,源 - 漏极电压(伏)
1
图10.二极管的正向电压与电流
安全工作区
正向偏置安全工作区曲线定义
的最大同时漏极 - 源极电压和
漏电流的晶体管可以处理安全时,它是
正向偏置。曲线是基于最大峰值
结温度为25 ℃的情况下,温度(T ) 。
重复峰值脉冲功率限制使用确定
在与程序一起使用时的热响应数据
在AN569讨论, “瞬态热阻 -
一般数据和它的使用。 “
关断状态,导通状态可能会之间的切换
遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流
( IDM ),也不额定电压( VDSS )超标和
过渡时间( TR , TF )不超过10
s.
此外,该总
功率平均一个完整的开关周期不得
超过( TJ(MAX) - TC) / (r
θJC
).
指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用
与松开感性负载的开关电路。为
可靠的操作,所存储的能量从电路电感
耗散在晶体管,而在雪崩必须小于
超过额定界限和调节操作条件
从这些规定不同。虽然行业惯例是
以速度在能源方面,雪崩能量能力不
一个常数。能量等级降低非线性地与
峰值电流的增加,雪崩和峰值结
温度。
虽然许多E-场效应管能承受的压力
漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲
电流( IDM ) ,能量等级在额定指定
连续电流(ID ) ,按照行业惯例。
能量等级必须降低温度,如图
在所附的图中(图12) 。在最大能量
低于额定连续电流ID可以安全地假定
等于指定的值。
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