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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第357页 > NTD32N06LT4G
NTD32N06L
功率MOSFET
32安培， 60伏
逻辑电平， N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
V
DSS
60 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
23.7毫瓦
N沟道
D
I
D
最大
32 A
更小的封装尺寸比MTB30N06VL
低
DS （ ON）
, V
DS （ ON）
和总栅极电荷
较低的和更严格的V
SD
低二极管反向恢复时间
低反向恢复电荷存储
无铅包可用
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
典型应用
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
v10
女士）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
"20
"30
32
22
90
93.75
0.625
2.88
1.5
-55
+175
313
单位
VDC
VDC
VDC
1 2
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
mJ
1
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
1.6
52
100
260
°C
Y
WW
32N06L
G
4
3
4
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
DPAK
CASE 369C
（表面贴装）
方式2
YWW
32N
N06LG
4
漏
DPAK
CASE 369D
（直引线）
方式2
2
3
1 2 3
门漏源
YWW
32N
N06LG
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25 ° C（注3 ）
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 5伏直流， L = 1.0 mH的，
I
L（ PK）
= 25 A，V
DS
= 60伏，R
G
= 25
W)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的，在1/8的情况下，从10秒
2
1
3
漏
门
来源
T
J
, T
英镑
E
AS
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面贴装FR4板焊盘尺寸采用0.5 。
2.表面贴装FR4板采用推荐的最小焊盘尺寸。
3.重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年6月 - 修订版5
出版订单号：
NTD32N06L/D
NTD32N06L
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注4 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±20
VDC ，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注4 ）
栅极阈值电压（注4 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）
(V
GS
= 5 VDC ，我
D
= 16 ADC）
静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）
(V
GS
= 5 VDC ，我
D
= 20 ADC）
(V
GS
= 5 VDC ，我
D
= 32 ADC）
(V
GS
= 5 VDC ，我
D
= 16位ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注4 ） （V
DS
= 6伏，我
D
= 16 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注5 ）
导通延迟时间
上升时间
关F的延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 32个ADC ，
V
GS
= 5 V直流） （注4 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 20 ADC ，V
GS
= 0伏） （注4 ）
(I
S
= 32个ADC ，V
GS
= 0伏） （注4 ）
(I
S
= 20 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
(I
S
= 32个ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS ） （注4 ）
反向恢复电荷存储
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
5.开关特性是独立的工作结点温度。
V
SD
-
-
-
-
-
-
-
0.89
0.95
0.74
56
31
25
0.093
1.0
-
-
-
-
-
-
mC
VDC
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 32个ADC ，
V
GS
= 5 VDC ，
R
G
= 9.1
W)
（注4 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
-
-
-
-
-
-
-
12.8
221
37
128
23
4.5
14
30
450
80
260
50
-
-
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
1214
343
87
1700
480
180
pF
V
（ BR ） DSS
VDC
60
-
-
-
-
70
62
-
-
-
-
-
1.0
10
±100
NADC
VDC
1.0
-
-
-
-
-
-
1.7
4.8
23.7
0.48
0.78
0.61
27
2.0
-
28
VDC
0.67
-
-
-
姆欧
毫伏/°C的
mW
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
反向恢复时间
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
订购信息
设备
NTD32N06L
NTD32N06LG
NTD32N06L-1
NTD32N06L-1G
NTD32N06LT4
NTD32N06LT4G
包
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK （直引线）
DPAK （直引线）
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
NTD32N06L
60
V
GS
= 10 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
50
40
30
20
10
0
V
GS
= 6 V
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 8 V
V
GS
= 3 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 4 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 4.5 V
60
V
DS
> = 10 V
50
40
30
20
T
J
= 25°C
10
T
J
= 100°C
0
1
2
3
4
0
1.8
2.2
2.6
3
T
J
= -55°C
3.4
3.8
4.2
4.6
5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
， GATE -T O型源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.042
V
GS
= 5 V
0.038
0.034
0.03
0.026
0.022
0.018
0.014
0.01
0
10
20
30
40
50
60
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
0.042
0.038
0.034
0.03
0.026
0.022
0.018
0.014
0.01
0
10
20
T
J
= -55°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
V
GS
= 10 V
30
40
50
60
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与漏电流
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
图4.导通电阻与漏电流
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
I
D
= 16 A
V
GS
= 5 V
10000
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
T
J
= 125°C
100
T
J
= 100°C
10
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTD32N06L
V
GS
， GATE -T O型源极电压（伏）
4000
3600
C，电容（pF ）
3200
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
10
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
6
5
4
3
2
1
0
0
I
D
= 32 A
T
J
= 25°C
4
8
12
16
20
24
Q
1
Q
T
V
GS
Q
2
T
J
= 25°C
C
国际空间站
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5 V
GS
0 V
DS
5
10
15
20
25
GATE -T O型源极或漏极至源极电压
（伏）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
1000
I
S
，源电流（安培）
V
DS
= 30 V
I
D
= 32 A
V
GS
= 5 V
T， TIME （ NS ）
t
r
100
t
f
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0.6
图8.栅极至源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
t
D（关闭）
t
D（上）
10
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.64 0.68 0.72 0.76
0.8
0.84 0.88
0.92 0.96
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1000
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
0 V
v
V
GS
v
5 V
单脉冲
T
C
= 25°C
350
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 32 A
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
100
dc
10
100毫秒
10毫秒
1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
100
1毫秒
100
ms
0.1
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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4
NTD32N06L
10
有效瞬态热阻
（归一化）
归至R
QJC
在稳定状态
1
0.1
R（ t）的
,
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T，时间（S ）
0.1
1
10
图13.热响应
10
有效瞬态热响应
（归一化）
R（ t）的
,
归至R
qJA
在稳定状态下，
1 “方形铜垫，铜区在1.127
2
,
3× 3英寸FR4板
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1
10
100
1000
图14.热响应
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5
查看更多NTD32N06LT4GPDF信息
推荐型号
NRU334M06
NSS40300MDR2G
NRS683M50
NESG250134
NN514256LT-70
NLCV32T-330K-PF
NCH26JAA3
NCP3335ADM500R2G
NRB155M06
NTE952
NJW1132
NESG4030M14-T3-A
NX8563LA303-CC
NRD104K06
NCP1012
NJU7200L15
NCP1201D100R2
NE555YP
NM24C17UTMT8
NCV8440ASTT1G
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    NTD32N06LT4G
    -
    -
    -
    -
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更多配单专家
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ON
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