数据表
NPN硅锗丙类射频晶体管
NESG4030M14
NPN硅锗碳RF晶体管
低噪声，高增益放大
4 -PIN LEAD - LESS MINIMOLD （ M14 ， 1208 PKG ）
特点
该设备是针对低噪声，高增益放大的理想选择
NF = 1.1 dB典型值。 ，G
a
= 11.5分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 6毫安， F = 5.8 GHz的
最大稳定功率增益：味精= 15 dB典型值。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 5.8 GHz的
的SiGe ：C HBT技术（ UHS4 ）采用
ESD保护的改进
4针引线少minimold （ M14 ， 1208 PKG ）
订购信息
产品型号
NESG4030M14
订单号
NESG4030M14-A
包
4针引线少minimold
（ M14 ， 1208 PKG ）
NESG4030M14 - T3 NESG4030M14 - T3 -A
（无铅）
QUANTITY
50个
（无卷）
10千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 （珍藏） ，引脚4 （发射极）所面临的
带的穿孔侧
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
注1
评级
5.0
3.0
12
35
105
150
65
+150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
V
首席执行官
I
B
注1
I
C
P
合计
注2
T
j
T
英镑
注意事项1 。
V
CBO
我
B
由保护元件的容许电流的限制。
2.
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PU10728EJ02V0DS （第2版）
发布日期2009 NS月
日本印刷
标记<R>表示主要修改点。
2008, 2009
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
NESG4030M14
推荐工作范围（T
A
= +25°C)
参数
输入功率
基地反馈反抗者
符号
P
in
R
b
分钟。
典型值。
马克斯。
3
150
单位
DBM
kΩ
备注
当电压返回偏置电路如下图所示时，电流增加的原因是在
ESD保护元件被接通时，在上表中运动的推荐范围超出上。
然而，没有影响的可靠性，包括恶化。
R
b
2
数据表PU10728EJ02V0DS
QQ：2881677436 复制
