NTD24N06
功率MOSFET
60伏， 24安培
N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
典型值
32毫瓦
N沟道
I
D
最大
24 A
无铅包可用
典型应用
D
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25 ° C，T
J
= 150°C
- 连续@ T
A
= 25 ° C，T
J
= 175°C
- 连续@ T
A
= 100 ° C，T
J
= 175°C
- 单脉冲（T
p
v10
女士） ，
T
J
= 175°C
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ，
L = 1.0 mH的，我
L
（ PK） = 18 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的，在1/8的情况下，从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
"20
"30
24
27
19
80
62.5
0.42
1.88
1.36
-55
+175
162
单位
VDC
VDC
VDC
1 2
ADC
ADC
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
mJ
1
3
DPAK
CASE 369C
（表面贴装）
方式2
4
4
YWW
24
N06G
2
1
3
漏
门
来源
4
漏
YWW
24
N06G
3
DPAK
CASE 369D
（直引线）
方式2
Y
WW
24N06
G
2
1 2 3
门漏源
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
出版订单号：
NTD24N06/D
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
T
J
, T
英镑
E
AS
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
2.4
80
110
260
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装到FR-4板用0.5平方在漏极焊盘尺寸。
2.当表面安装到FR-4板使用最小推荐
焊盘尺寸。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年8月 - 第4版
NTD24N06
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 10 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 12 ADC）
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 20 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 24 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 12 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注3 ）（V
DS
= 7.0伏，我
D
= 12 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 24 ADC ，
V
GS
= 10 VDC ）（注3 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 20 ADC ，V
GS
= 0伏） （注3）
(I
S
= 24 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 24 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
(I
S
= 24 ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
V
SD
0.95
1.0
0.89
49
35
13
0.096
1.15
mC
VDC
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 24 ADC ，
V
GS
= 10 VDC ，
R
G
= 9.1
W)
（注3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
10
24
25
27
24
5.0
11.5
20
50
50
60
48
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
846
252
68
1200
350
95
pF
V
（ BR ） DSS
60
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
2.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
0.8
0.8
0.7
15
1.15
姆欧
32
32
42
VDC
3.03
7.0
4.0
1.0
10
±100
NADC
VDC
毫伏/°C的
mW
71.1
70.4
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
订购信息
设备
NTD24N06
NTD24N06G
NTD24061
NTD24061G
NTD24N06T4
NTD24N06T4G
包
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK （直引线）
DPAK （直引线）
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
NTD24N06
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
V
普遍优惠制
)
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流是
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
V
普遍优惠制
)]
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
2400
2000
1600
1200
800
400
0
10
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C
国际空间站
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
