NTTFS4932N
功率MOSFET
特点
30 V ， 79 A单N沟道，
m8FL
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
低端DC -DC转换器
电源负载开关
笔记本电脑电池管理
电机控制
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
≤
10 s
（注1 ）
功耗
R
qJA
≤
10秒（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
漏电流脉冲
通过PKG电流限制。
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
E
AS
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
18
13
2.2
25.5
18.5
4.5
11
8.0
0.85
79
57
43
235
75
55
to
+150
39
6.0
92.4
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
A
4932
A
Y
WW
G
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
W
单位
V
V
A
S (1,2,3)
G (4)
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
4.0毫瓦@ 10 V
5.5毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
79 A
应用
N沟道MOSFET
D (58)
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
标记图
A
1
1
WDFN8
(m8FL)
CASE 511AB
S
S
S
G
4932
AYWWG
G
D
D
D
D
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTTFS4932NTAG
NTTFS4932NTWG
包
航运
WDFN8 1500 /磁带&卷轴
（无铅）
WDFN8 5000 /磁带&卷轴
（无铅）
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(T
J
= 25 ° C，V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 43 A
pk
中，L = 0.1毫亨，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
1
出版订单号：
NTTFS4932N/D
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年10月
第0版
NTTFS4932N
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态（注4 ）
结至环境 - （叔
≤
10秒） （注3）
3.表面装上用1平方项垫， 1盎司铜FR4板。
4.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板英寸（40毫米
2
， 1盎司铜） 。
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
2.9
56.5
147.6
27.5
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
I
D
= 20 A
I
D
= 10 A
I
D
= 20 A
I
D
= 10 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
14
1.0
10
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.2
1.6
4.5
2.5
2.5
3.6
3.6
46
2.2
V
毫伏/°C的
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
4.0
mW
5.5
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 15 A
S
3111
V
GS
= 0 V ， F = 1.0兆赫，V
DS
= 15 V
1064
42
20
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
4.9
8.9
3.3
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
46.5
pF
nC
nC
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
15.5
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
22.6
29
4.8
ns
5.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
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2
NTTFS4932N
典型特征
160
140
I
D
，漏电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
120
V
DS
≥
10 V
I
D
，漏电流（ A）
100
80
60
40
20
0
1.0
T
J
= 25°C
10 V
V
GS
= 4.2 V至7 V T，
J
= 25°C
4.0 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
2.6 V
2.4 V
5
T
J
= 125°C
T
J
=
55°C
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
I
D
= 20 A
T
J
= 25°C
0.006
图2.传输特性
0.0055
0.005
T
J
= 25°C
0.0045
0.004
V
GS
= 4.5 V
0.0035
0.003
V
GS
= 10 V
0.0025
0.002
20
30
40 50
60
70
80 90 100 110 120 130 140
2
3
4
5
6
V
GS
(V)
7
8
9
10
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻与V
GS
1.8
1.7 I
D
= 20 A
1.6 V
GS
= 10 V
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
50
25
0
10,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
T
J
= 125°C
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（标准化）
100
T
J
= 85°C
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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4
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