【NTD20P06L功率MOSFET60V,15.5A单P沟道， DPAK特点可承受高能量的雪崩和减刑】,IC型号NTD20P06L-1G,NTD20P06L-1G PDF资料,NTD20P06L-1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTD20P06L

功率MOSFET

60

V,

15.5

A单P沟道， DPAK

特点

可承受高能量的雪崩和减刑模式

低门电荷的快速切换

无铅包可用

应用

V

（ BR ） DSS

60

V

http://onsemi.com

I

D

最大

（注1 ）

15.5

A

R

DS （ ON）

典型值

130毫瓦@

5.0

V

P- CHANNEL

D

桥电路

电源，功率电动机控制

DC- DC转换器

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源

电压

连续

漏电流

（注1 ）

功率耗散

化（注1 ）

脉冲漏

当前

连续

非重复性

稳定状态

t

p

v10

ms

T

A

= 25°C

符号

V

DSS

V

GS

V

GSM

I

D

价值

60

$20

$30

15.5

A

单位

V

V

G

S

标记DIAGRAMS

4

1 2

4

漏

YWW

T

20P06L

2

1

3

漏

门

来源

4

漏

1

YWW

T

20P06L

1 2 3

门漏源

出版订单号：

NTD20P06L/D

稳定状态

T

A

= 25°C

P

D

I

DM

T

J

,

T

英镑

E

AS

65

$50

55

to

175

304

W

A

°C

mJ

3

t

p

= 10

ms

工作结温和存储温度

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（V

DD

= 25 V, V

GS

= 5 V，I

PK

= 15 A,

L = 2.7 mH的，R

G

= 25

W)

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

DPAK

CASE 369C

方式2

4

T

L

260

°C

3

DPAK

CASE 369D

方式2

20P06L

Y

WW

器件代码

=年

=工作周

2

热电阻额定值

参数

结至外壳（漏）

结 - 环境 - 稳态（注1 ）

结 - 环境 - 稳态（注2 ）

符号

R

QJC

R

qJA

R

qJA

最大

2.3

80

110

单位

° C / W

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板

（铜面积= 1.127平方英寸。 [ 1盎司]包括痕迹）

2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板

（铜面积=在平0.412 ）。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册第6页。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年1月，

第4版

1

NTD20P06L

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

( )

g

FS

V

DS （ ON）

( )

V

GS

=

5.0

V，I

D

=

7.5

A

V

GS

=

5.0

V，I

D

=

15

A

正向跨导

漏极 - 源极导通电压

V

DS

=

10

V，I

D

=

7.5

A

V

GS

=

5.0

V,

5.0

I

D

=

7.5

A

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

740

V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫，V

DS

=

25

V

207

66

15

V

GS

=

5.0

V, V

DS

=

48

V,

I

D

=

18

A

4.0

7.0

V

GS

= 0 V,

V

DS

=

60

V

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

V

GS

= 0 V，I

D

=

250

mA

60

74

64

1.0

10

±100

nA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

栅极阈值温度系数

漏极至源极导通电阻

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±20

V

V

GS

= V

DS

, I

D

=

250

mA

1.0

1.5

3.1

0.130

0.143

11

2.0

V

毫伏/°C的

0.150

W

S

1.2

1.9

V

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

V

SD

t

RR

t

a

t

b

Q

RR

V

GS

= 0 V ，D

IS

/d

t

= 100 A / MS ，

I

S

=

12

A

V

GS

= 0 V I

S

=

15

A

V,

15

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

1.5

1.3

60

39

21

0.13

nC

ns

2.5

V

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

=

5.0

V, V

DD

=

30

V,

5.0

30

I

D

=

15

A，R

G

= 9.1

W

11

90

28

70

20

180

50

135

ns

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

GS

Q

GD

1190

300

120

26

nC

pF

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%

4.开关的特点是独立的工作结点温度

http://onsemi.com

2

NTD20P06L

典型性能曲线

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

40

35

I

D

，漏电流（ A）

30

25

20

15

10

5

0

0

1

2

3

4

5

6

7

V

GS

=

4

V

V

GS

=

3.5

V

V

GS

=

3

V

T

J

= 25°C

8

9

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

=

10

V

V

GS

=

9

V

V

GS

=

8

V

V

GS

=

7

V

V

GS

=

6

V

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

=

5.5

V

V

GS

=

5

V

V

GS

=

4.5

V

40

T

J

=

55°C

30

T

J

= 25°C

20

T

J

= 125°C

10

VDS

w

10 V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

0

V

DS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

(W)

0.5

0.45

0.4

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0

0

5

10

15

20

25

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

T

J

= 125°C

V

GS

=

5

V

0.25

图2.传输特性

0.225

0.2

0.15

0.1

0.05

0

0

0.175

0.125

0.075

0.025

T

J

= 25°C

V

GS

=

5

V

V

GS

=

10

V

30

3

6

9

12

15

18

21

24

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

50

I

D

=

7.5

A

V

GS

=

5

V

10000

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

T

J

= 125°C

I

D

，漏电（ NA）

25

0

25

50

75

100

125

150

1000

100

10

1

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

http://onsemi.com

3

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

NTD20P06L

2400

2200

2000

C，电容（pF ）

1800

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

0

10

5

V

GS

0

V

DS

5

10

15

20

25

V

DS

= 0 V

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

C

RSS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极 - 源极或漏极至源极

电压（V）的

图7.电容变化

7.5

V

GS

，栅极至源极电压

(V)

I

D

=

15

A

6.25

5.0

3.75

2.5

1.25

0

0

4

8

12

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

Q

gs

Q

GD

Q

G

V

GS

T

J

= 25°C

50

40

30

20

10

0

16

60

V

DS

,

漏极至源极电压

(V)

图8.栅极 - 源极和漏极 - 源极电压与总充电

1000

I

S

，源电流（ A）

V

DD

=

30

V

I

D

=

15

A

V

GS

=

5

V

T， TIME （ NS ）

100

t

F

t

D（关闭）

t

D（上）

t

R

20

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

15

10

10

5

1

1

10

R

g

，栅极电阻（ W）

100

0

0

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

1.75

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

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4

图10.二极管的正向电压与

当前

NTD20P06L

1000

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

=

15

V

单脉冲

T

C

= 25°C

100

10

10毫秒

1

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

dc

1

EAS ，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

350

300

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

T

J

，起动结温（ ° C）

150

I

D

=

15

A

100

0.1

100

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量对比

开始结温

R

thJA （T ）

有效的瞬态热响应

1

0.1

归至R

qJA

在稳定状态（在垫1 ）

芯片

0.0175

0.0710

0.2706

0.5776

0.7086

0.0154 F

0.01

单脉冲

1E02

1E01

1E+00

T，时间（S ）

0.0854 F 0.3074 F 1.7891 F

环境

107.55 F

1E03

1E+01

1E+02

1E+03

图13.热响应

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5

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O

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