NLSF308
四2输入与门
该NLSF308是一种先进的高速CMOS 2输入与门
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似相当于双极肖特基TTL而
保持CMOS低功耗。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7.0 V，允许5.0 V接口
系统以3.0 V系统。
特点
http://onsemi.com
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
L
L
H
NLSF308 =器件代码
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NLSF308MNR2
NLSF308MNR2G
包
QFN16
QFN16
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 第4版
高速：吨
PD
= 4.3纳秒（典型值），在V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 2.0
mA
（最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2.0 V至5.5 V工作范围
低噪音： V
OLP
= 0.8 V（最大值）
功能兼容其他标准逻辑系列
QFN -16封装
闭锁性能超过300毫安
静电放电性能：人体模型; > 2000伏;
机器型号; > 200 V
芯片的复杂性： 24场效应管或6个等效门
无铅包装是可用*
1
QFN16
MN后缀
CASE 485G
标记图
16
1
NLSF
308
ALYW
G
G
出版订单号：
NLSF308/D
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
A3
Y3
GND
Y2
A1
B4
V
CC
B1
推荐工作条件
最大额定值
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
储存温度
在静止空气中的功耗
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
B3
A3
B2
A2
A1
B1
B4
A4
9
4
8
3
15
16
13
12
图1.逻辑图
参数
参数
10
7
5
1
Y3
Y2
Y1
Y4
Y = AB
http://onsemi.com
V
CC
= 3.3 V
±0.3
V
V
CC
= 5.0 V
±0.5
V
NLSF308
2
NC
B2
A2
Y1
1
4
3
2
图2.引脚分配（ QFN - 16 ）
16
5
符号
符号
V
CC
V
CC
V
OUT
V
OUT
T
英镑
t
r
, t
f
I
CC
I
OK
I
OUT
V
in
V
in
P
D
T
A
I
IK
NLSF308
MN套餐
15
（ TOP VIEW ）
6
14
7
民
-0.5到V
CC
+ 0.5
40
2.0
0
0
0
0
-65到+ 150
-0.5 + 7.0
-0.5 + 7.0
价值
13
450
20
±50
±25
±20
8
+ 85
最大
V
CC
5.5
5.5
100
20
10
Y4
12
A4
11
NC
9
B3
NS / V
单位
单位
mW
mA
mA
mA
mA
°C
°C
V
V
V
V
V
V
1. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 4 （每门） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）
DC电气特性
功率耗散电容（注1 ）
最大输入电容
最大传输延迟， A或B与Y
最大静态电源
当前
最大输入漏电流
最大低电平输出
电压
最小高电平输出
电压
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
参数
参数
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安，
I
OH
= -8毫安
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= 5.5 V或GND
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
OH
= 50
mA
测试条件
V
CC
= 5.0
±
0.5 V ，C
L
= 15 pF的，
C
L
= 50 pF的
V
CC
= 3.3
±
0.3 V ，C
L
= 15 pF的，
C
L
= 50 pF的
测试条件
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒，C
L
= 50 pF的，V
CC
= 5.0 V)
最大低电平动态输入电压
最小高级别动态输入电压
安静的输出最低动态V
OL
静默输出最大动态V
OL
特征
http://onsemi.com
NLSF308
2.0
3.0到5.5
2.0
3.0到5.5
0至5.5
3
V
CC
V
5.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
1.50
V
CC
x 0.7
符号
t
PLH
,
t
PHL
2.58
3.94
民
C
PD
1.9
2.9
4.4
C
in
T
A
= 25°C
民
典型值
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
T
A
= 25°C
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
0.50
V
CC
x 0.3
典型值
4.3
5.8
6.2
8.7
4
±
0.1
0.36
0.36
最大
2.0
0.1
0.1
0.1
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
8.8
12.3
最大
5.9
7.9
10
18
1.50
V
CC
x 0.7
2.48
3.80
民
1.9
2.9
4.4
0.3
民
典型值
0.3
1.0
1.0
1.0
1.0
V
ILD
T
A
= - 4085 ℃下
T
A
= - 4085 ℃下
T
A
= 25°C
0.50
V
CC
x 0.3
±
1.0
20.0
0.44
0.44
最大
0.1
0.1
0.1
10.5
14.0
最大
0.8
最大
1.5
3.5
0.8
7.0
9.0
10
单位
单位
单位
mA
mA
pF
pF
ns
V
V
V
V
V
V
V
V
NLSF308
包装尺寸
16引脚QFN
CASE 485G -01
版本C
D
A
B
销1
位置
E
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于PLATED
终端和测量之间
0.25和0.30毫米端子。
4的共面适用于暴露
PAD以及端子。
5. L
最大
条件不能违背0.2 MM
LEAD之间的TIP最小间距
和国旗
MILLIMETERS
民
最大
0.80
1.00
0.00
0.05
0.20 REF
0.18
0.30
3.00 BSC
1.65
1.85
3.00 BSC
1.65
1.85
0.50 BSC
0.18 TYP
0.30
0.50
0.15 C
0.15 C
0.10 C
顶视图
16 X
0.08 C
SIDE VIEW
A1
C
16X
L
5
注5
4
16X
K
1
12
16X
b
底部视图
0.10 C A B
0.05 C
注3
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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D2
e
8
9
16
13
A
座位
飞机
暗淡
A
A1
A3
b
D
D2
E
E2
e
K
L
裸露焊盘
E2
e
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