NTB90N02 ， NTP90N02
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
5000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
10
28
8
V
D
Q
1
Q
2
Q
T
V
GS
24
20
16
4
12
8
2
I
D
= 1.0 A
T
J
= 25°C
0
0
10
20
30
40
50
4
0
C，电容（pF ）
4000
3000
C
国际空间站
2000
C
OSS
1000
0
8 6 4 2 0 2 4
V
GS
V
DS
C
RSS
6
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1000
I
S
，源电流（安培）
V
DD
= 20 V
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
t
r
t
f
10
t
D（关闭）
t
D（上）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
http://onsemi.com
4
NTB90N02 ， NTP90N02
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
t
+
Q IG （ AV）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
tr
+
Q2
tf
+
Q2
R2 10 （ VGG
*
VGSP ）
R2 VGSP
其中：
V
GG
=栅极驱动电压，其变化从
零到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。
该方程为：
TD （上）
+
RG西塞在[ VGG （ VGG
*
VGSP ）
TD （关闭）
+
RG西塞在（ VGG VGSP ）
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读
在对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
对于使用三维信息
2
PAK表面贴装封装
推荐的足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
电路板和封装之间的接口。与
总设计。的足迹对于半导体封装
正确的垫几何，包会自我调整的时候
必须是正确的大小，以确保适当的焊接连接
经受回流焊接工艺。
0.33
8.38
0.42
10.66
0.08
2.032
0.04
1.016
0.12
3.05
0.63
17.02
0.24
6.096
英寸
mm
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5
NTB90N02 ， NTP90N02
功率MOSFET
90安培， 24伏
N沟
2
PAK和TO -220
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
V
（ BR ） DSS
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R
DS （ ON）
典型值
5.0毫瓦@ 10 V
7.5毫瓦@ 4.5 V
N沟道
D
I
D
最大
无铅包可用
典型应用
24 V
90 A
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
单位
VDC
VDC
4
A
A
W
W / ℃，
°C
mJ
1
2
3
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
- 连续
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 单脉冲（T
p
= 10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 28伏，V
GS
= 10 VDC ，
L = 5.0 mH的，我
L（ PK）
= 17 A， RG = 25
W)
热阻
结到外壳
结到环境（注1 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
24
"20
90*
200
85
0.66
-55到+150
733
S
记号
图表
4
漏
TO220AB
CASE 221A
风格5
NTx90N02
AYWW
1
门
2
漏
4
漏
3
来源
° C / W
R
QJC
R
qJA
T
L
1.55
70
260
°C
4
1
2
3
1
门
NTx90N02
x
A
Y
WW
=器件代码
= P或B
=大会地点
=年
=工作周
D
2
PAK
CASE 418B
方式2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装用1“的焊盘尺寸， （铜面积1.127在FR4板
2
).
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
大小（铜面积在0.412
2
).
*芯片电流能力受限包。
NTx90N02
AYWW
2
漏
3
来源
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年3月 - 第2版
出版订单号：
NTB90N02/D
NTB90N02 ， NTP90N02
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
5000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
10
28
8
V
D
Q
1
Q
2
Q
T
V
GS
24
20
16
4
12
8
2
I
D
= 1.0 A
T
J
= 25°C
0
0
10
20
30
40
50
4
0
C，电容（pF ）
4000
3000
C
国际空间站
2000
C
OSS
1000
0
8 6 4 2 0 2 4
V
GS
V
DS
C
RSS
6
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1000
I
S
，源电流（安培）
V
DD
= 20 V
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
t
r
t
f
10
t
D（关闭）
t
D（上）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
订购信息
设备
NTP90N02
NTP90N02G
NTB90N02
NTB90N02G
NTB90N02T4
NTB90N02T4G
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
800磁带&卷轴
800磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
NTB90N02 ， NTP90N02
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
t
+
Q IG （ AV）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
tr
+
Q2
tf
+
Q2
R2 10 （ VGG
*
VGSP ）
R2 VGSP
其中：
V
GG
=栅极驱动电压，其变化从
零到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。
该方程为：
TD （上）
+
RG西塞在[ VGG （ VGG
*
VGSP ）
TD （关闭）
+
RG西塞在（ VGG VGSP ）
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读
在对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
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5
NTB90N02 ， NTP90N02
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
5000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
10
28
8
V
D
Q
1
Q
2
Q
T
V
GS
24
20
16
4
12
8
2
I
D
= 1.0 A
T
J
= 25°C
0
0
10
20
30
40
50
4
0
C，电容（pF ）
4000
3000
C
国际空间站
2000
C
OSS
1000
0
8 6 4 2 0 2 4
V
GS
V
DS
C
RSS
6
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1000
I
S
，源电流（安培）
V
DD
= 20 V
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
t
r
t
f
10
t
D（关闭）
t
D（上）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
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4
NTB90N02 ， NTP90N02
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（申）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
t
+
Q IG （ AV）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
tr
+
Q2
tf
+
Q2
R2 10 （ VGG
*
VGSP ）
R2 VGSP
其中：
V
GG
=栅极驱动电压，其变化从
零到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在导通和关断延迟时间，栅极电流
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程用于从所述电容值曲线
电压的变化的RC网络。
该方程为：
TD （上）
+
RG西塞在[ VGG （ VGG
*
VGSP ）
TD （关闭）
+
RG西塞在（ VGG VGSP ）
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读
在对应于关断状态的条件时的电压
计算牛逼
D（上）
和读出在对应于一个电压
导通状态时，计算吨
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
对于使用三维信息
2
PAK表面贴装封装
推荐的足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
电路板和封装之间的接口。与
总设计。的足迹对于半导体封装
正确的垫几何，包会自我调整的时候
必须是正确的大小，以确保适当的焊接连接
经受回流焊接工艺。
0.33
8.38
0.42
10.66
0.08
2.032
0.04
1.016
0.12
3.05
0.63
17.02
0.24
6.096
英寸
mm
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
