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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第222页 > NDB7050
1996年3月
NDP7050 / NDB7050
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高生产
细胞密度， DMOS技术。这非常高的密度
工艺特别适合于减小导通状态
电阻，优越的开关性能及
承受高能量脉冲雪崩和
换模式。这些设备特别适合
对于低电压应用，例如汽车，直流/直流
转换器， PWM马达控制，和其它电池供电
电路中快速切换，低线功率损耗，并
需要抗瞬变。
特点
75A ， 50V 。
DS （ ON）
= 0.013
@ V
GS
=10V.
在高温指定临界直流电气参数
温度。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要
外部齐纳二极管瞬态抑制器。
175°C最高结温额定值。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
的TO-220和TO- 263 （四
2
PAK ），通过封装为
孔和表面贴装应用。
_______________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
NDP7050
NDB7050
单位
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
＆ LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
- 非重复性（T
P
< 50 μS ）
漏电流
- 连续
- 脉冲
50
50
± 20
± 40
75
225
150
1
-65 175
275
V
V
V
A
P
D
最大功率耗散@ T
C
= 25
°
C
减免上述25
°
C
W
W/
°
C
°C
°C
T
J
,T
英镑
T
L
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
1997仙童半导体公司
NDP7050.SAM Rev. D的
电气特性
(T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明）
条件
民
典型值
最大
单位
漏源雪崩额定值
（注1 ）
W
DSS
I
AR
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
单脉冲漏源雪崩
能源
最大漏源雪崩电流
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
DD
= 25 V，I
D
= 75 A
550
75
mJ
A
V
开关特性
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 37.5 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
50
250
1
100
-100
A
mA
nA
nA
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
2
1.4
2.8
2.1
0.01
0.015
4
3.6
0.013
0.023
V
静态漏源导通电阻
A
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
75
15
39
2960
1130
380
3600
1600
800
S
pF
pF
pF
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
开关特性
（注1 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 30 V，I
D
= 75 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 5
17
128
54
90
30
400
80
200
115
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
V
DS
= 48 V,
I
D
= 75 A，V
GS
= 10 V
100
14.5
51
NDP7050.SAM Rev. D的
电气特性
(T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明）
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
rr
最大连续型漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电流
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
V
GS
= 0 V，I
S
= 37.5 A
(
注1 ）
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
F
= 75一，二
F
/ DT = 100 A / μs的
2
0.9
0.84
80
4.8
75
225
1.3
1.2
150
10
1
62.5
A
A
V
ns
A
°
C / W
°
C / W
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2.0 ％ 。
NDP7050.SAM Rev. D的
典型电气特性
120
2 .5
V
GS
= 2 0 V
I
D
，漏源电流（A ）
100
1 0 8 .0
7 .0
6 .5
R
DS （ ON）
归一化
V
GS
= 5 .0 V
漏源导通电阻
2
5.5
6 .0
6.5
7.0
8.0
80
6 .0
60
1 .5
5 .5
40
5 .0
20
1
4 .5
4 .0
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源电压（V ）
4
5
10
12
20
0 .5
0
20
40
60
80
I
D
， DRA电流（ A）
100
120
图1.区域特征
.
图2.导通电阻变化与门
电压和漏电流。
2
1.8
1.6
1 .8
I
D
= 40A
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
1 .6
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
归一化
TJ = 125°C
R
DS （ ON）
归一化
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-5 0
1 .4
1 .2
25°C
1
0 .8
-55°C
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结tem温度（ ° C）
150
175
0 .6
0
20
40
60
80
I
D
，漏电流（ A）
100
120
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度。
60
门源阈值电压
1 .2
V
DS
= 10V
50
I
D
，漏电流（ A）
V
GS （ TH）
归一化
1 .1
1
0 .9
0 .8
0 .7
0 .6
0 .5
-5 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
T = -55°C
J
40
125°C
25°C
30
20
10
0
2
3
4
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
7
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结tem温度（ ° C）
150
175
图5.传输特性
.
图6.门阈值变化与
温度
.
NDP7050.SAM Rev. D的
典型电气特性
（续）
1 .15
漏源击穿电压
I
D
= 250A
1 .1
100
50
V
GS
= 0V
I
S
，反向漏电流（ A）
10
BV
DSS
归一化
TJ = 1 2 5℃
1
1 .05
25°C
-5 5 ° C
1
0.1
0 .95
0.01
0 .9
-50
-25
0
T
J
25
50
75
100
125
，结tem温度（ ° C）
150
175
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管FORW一个RD电压（V ）
1.4
图7.击穿电压变化与
温度。
图8.体二极管正向电压
变化与电流和温度。
5000
20
3000
2000
V
GS
，栅源电压（V ）
西塞
I
D
= 75A
15
V
DS
= 1 2 V
48V
电容（pF）
1000
科斯
10
24V
500
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
CRSS
5
300
200
1
2
5
10
20
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
60
0
25
50
75
100
Q
g
，栅极电荷（ NC）
125
150
图9.电容特性。
图10.栅极电荷特性。
V
DD
t
（O N）
t
on
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
V
GS
V
OUT
10%
10%
倒
R
根
G
90%
V
IN
S
10%
50%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
.
图12.开关波形
.
NDP7050.SAM Rev. D的
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