NTP75N03L09,
NTB75N03L09
功率MOSFET
75安培， 30伏， N沟道
的TO-220和D
2
PAK
http://onsemi.com
这种逻辑电平竖直功率MOSFET是一种通用的一部分
它提供了“最佳设计”当今的低成本电源
封装。雪崩能源问题使这部分在一个理想的设计。
的漏极 - 源极二极管具有理想的快，但软恢复。
特点
75安培， 30伏
R
DS （ ON）
= 8毫瓦
N沟道
D
无铅包可用
超低R
DS （ ON）
，单基地，先进的技术
可用SPICE参数
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定在高温下
高雪崩能量指定
ESD JEDAC额定HBM 1级， MM B类， CDM 0级
G
S
记号
图表
4
漏
4
典型应用
电源
感性负载
PWM电机控制
替换MTP75N03HDL和MTB75N03HDL中的许多
应用
1
TO220
CASE 221A
风格5
1
门
75N
03L09
AYWW
2
3
3
来源
2
漏
4
漏
4
2
1
3
D
2
PAK
CASE 418AA
方式2
75N03L09
AYWW
2
1
3
漏
门
来源
75N03L09
A
Y
WW
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 修订版6
出版订单号：
NTP75N03L09/D
NTP75N03L09 ， NTB75N03L09
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
（ RGS = 10兆瓦）
栅极 - 源极电压 - 连续
非重复（ TP
≤
10毫秒）
漏电流
- 连续@ T
C
= 25°C
- 连续@ T
C
= 100°C
- 单脉冲（ TP
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 38伏，V
GS
= 10 VDC ， L = 1 mH的，我
L
（ PK） = 55 A，V
DS
= 40 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
- 结到环境（注1 ）
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGB
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
30
30
±20
±24
75
59
225
125
1.0
2.5
-55到150
1500
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
W
W / ℃，
W
°C
mJ
T
J
和T
英镑
E
AS
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
1.0
62.5
50
260
° C / W
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.表面贴装的FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
订购信息
设备
NTP75N03L09
NTP75N03L09G
NTB75N03L09
NTB75N03L09G
NTB75N03L09T4
包
TO220
TO220
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
800磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
NTP75N03L09 ， NTB75N03L09
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏 - 源击穿电压（注2 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（负）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 30伏直流电，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 30伏直流电，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压（注2 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注2 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 37.5 ADC）
静态漏 - 源极导通电阻（注2 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 75 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 37.5 ADC ，T
J
= 125°C)
正向跨导（注2 & 4 ）
动态特性
（注4 ）
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注3 & 4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
GS
= 5.0伏，
I
D
= 75 ADC ，
ADC
V
DS
= 24伏） （注2 ）
(V
GS
= 5.0伏，
5 0伏
V
DD
= 20伏直流，我
D
= 75 ADC ，
R
G
= 4.7
W)
(
） （注2 ）
)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 75 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 75 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
（注2 ）
(I
S
= 75 ADC ，V
GS
= 0伏
ADC
dl
S
/ DT = 100 A / MS） （注2 ）
V
SD
1.19
1.09
37
20
17
0.023
1.25
mC
VDC
16
130
65
105
57
11
34
30
200
110
175
75
15
50
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0
VDC
0,
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
4398
1160
317
5635
1894
430
pF
(V
DS
= 3伏，我
D
= 20 ADC）
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
0.52
0.35
58
0.68
0.50
mW
6.5
8.0
VDC
1.6
6
2.0
VDC
MVC
mW
(V
GS
=
±20
VDC ，V
DS
= 0伏）
V
（ BR ） DSS
30
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±100
NADC
34
57
VDC
MVC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
（注4 ）
反向恢复存储
负责（注4 ）
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
4.从定性的测试数据。
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3
NTP75N03L09 ， NTB75N03L09
120
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
150
V
GS
= 3.5 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
0.5
1
1.5
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 55°C
2.5
3
3.5
4
V
DS
≥
10 V
V
GS
= 4 V
V
GS
= 4.5 V
90
60
V
GS
= 5 V
V
GS
= 6 V
V
GS
= 8 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 3 V
30
T
J
= 25°C
V
GS
= 2.5 V
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
2
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.0085
0.008
0.0075
0.007
0.0065
0.006
0.0055
0.005
0.0045
0.004
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 120
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 55°C
T
J
= 25°C
V
GS
= 5 V
T
J
= 100°C
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.009
T
J
= 25°C
0.008
0.007
V
GS
= 5 V
0.006
V
GS
= 10 V
0.005
0.004
0
20
40
60
80
100
120
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（标准化）
图3.导通电阻与漏电流和
温度
1.6
V
GS
= 5.0 V
I
D
= 37.5 A
1.4
I
DSS
，漏电（ NA）
100
1000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
1.2
T
J
= 100°C
10
1
0.8
0.6
50
1
25
0
25
50
75
100
125
150
5
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化温度
图6.漏 - 源极漏电流 -
电压
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4
NTP75N03L09 ， NTB75N03L09
12000
V
GS
V
DS
10000
C，电容（pF ）
8000
6000
4000
C
OSS
2000
C
RSS
0
10 8 6 4 2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 25
栅极 - 源极或漏极至源极
电压（伏）
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
30
8
V
GS
6
V
DS
Q
T
4
Q
1
Q
2
10
2
Q
3
0
10
20
30
40
50
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
0
60
I
D
= 75 A
T
J
= 25°C
20
C
国际空间站
0
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1000
t
r
I
S
，源电流（安培）
t
f
100
t
D（关闭）
t
D（上）
T
J
= 25°C
I
D
= 75 A
1
2.2
4.7
6.2
9.1
V
DD
= 15 V
V
GS
= 5 V
10
20
10
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R
G
，栅极电阻（ W）
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
25
50
75
100
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 75 A
125
150
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大雪崩能量 -
开始结温
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5
NTP75N03L09,
NTB75N03L09
功率MOSFET
75安培， 30伏， N沟道
的TO-220和D
2
PAK
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这种逻辑电平竖直功率MOSFET是一种通用的一部分
它提供了“最佳设计”当今的低成本电源
封装。雪崩能源问题使这部分在一个理想的设计。
的漏极 - 源极二极管具有理想的快，但软恢复。
特点
75安培， 30伏
R
DS （ ON）
= 8毫瓦
N沟道
D
无铅包可用
超低R
DS （ ON）
，单基地，先进的技术
可用SPICE参数
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定在高温下
高雪崩能量指定
ESD JEDAC额定HBM 1级， MM B类， CDM 0级
G
S
记号
图表
4
漏
4
典型应用
电源
感性负载
PWM电机控制
替换MTP75N03HDL和MTB75N03HDL中的许多
应用
1
TO220
CASE 221A
风格5
1
门
75N
03L09
AYWW
2
3
3
来源
2
漏
4
漏
4
2
1
3
D
2
PAK
CASE 418AA
方式2
75N03L09
AYWW
2
1
3
漏
门
来源
75N03L09
A
Y
WW
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 修订版6
出版订单号：
NTP75N03L09/D
NTP75N03L09 ， NTB75N03L09
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
（ RGS = 10兆瓦）
栅极 - 源极电压 - 连续
非重复（ TP
≤
10毫秒）
漏电流
- 连续@ T
C
= 25°C
- 连续@ T
C
= 100°C
- 单脉冲（ TP
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 38伏，V
GS
= 10 VDC ， L = 1 mH的，我
L
（ PK） = 55 A，V
DS
= 40 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
- 结到环境（注1 ）
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGB
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
30
30
±20
±24
75
59
225
125
1.0
2.5
-55到150
1500
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
W
W / ℃，
W
°C
mJ
T
J
和T
英镑
E
AS
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
1.0
62.5
50
260
° C / W
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.表面贴装的FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
订购信息
设备
NTP75N03L09
NTP75N03L09G
NTB75N03L09
NTB75N03L09G
NTB75N03L09T4
包
TO220
TO220
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
800磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
NTP75N03L09 ， NTB75N03L09
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏 - 源击穿电压（注2 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（负）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 30伏直流电，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 30伏直流电，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压（注2 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注2 ）
(V
GS
= 5.0伏，我
D
= 37.5 ADC）
静态漏 - 源极导通电阻（注2 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 75 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 37.5 ADC ，T
J
= 125°C)
正向跨导（注2 & 4 ）
动态特性
（注4 ）
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注3 & 4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
GS
= 5.0伏，
I
D
= 75 ADC ，
ADC
V
DS
= 24伏） （注2 ）
(V
GS
= 5.0伏，
5 0伏
V
DD
= 20伏直流，我
D
= 75 ADC ，
R
G
= 4.7
W)
(
） （注2 ）
)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 75 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 75 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
（注2 ）
(I
S
= 75 ADC ，V
GS
= 0伏
ADC
dl
S
/ DT = 100 A / MS） （注2 ）
V
SD
1.19
1.09
37
20
17
0.023
1.25
mC
VDC
16
130
65
105
57
11
34
30
200
110
175
75
15
50
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0
VDC
0,
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
4398
1160
317
5635
1894
430
pF
(V
DS
= 3伏，我
D
= 20 ADC）
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
0.52
0.35
58
0.68
0.50
mW
6.5
8.0
VDC
1.6
6
2.0
VDC
MVC
mW
(V
GS
=
±20
VDC ，V
DS
= 0伏）
V
（ BR ） DSS
30
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±100
NADC
34
57
VDC
MVC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
（注4 ）
反向恢复存储
负责（注4 ）
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
4.从定性的测试数据。
http://onsemi.com
3
NTP75N03L09 ， NTB75N03L09
120
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
150
V
GS
= 3.5 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
0.5
1
1.5
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 55°C
2.5
3
3.5
4
V
DS
≥
10 V
V
GS
= 4 V
V
GS
= 4.5 V
90
60
V
GS
= 5 V
V
GS
= 6 V
V
GS
= 8 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 3 V
30
T
J
= 25°C
V
GS
= 2.5 V
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
2
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.0085
0.008
0.0075
0.007
0.0065
0.006
0.0055
0.005
0.0045
0.004
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 120
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 55°C
T
J
= 25°C
V
GS
= 5 V
T
J
= 100°C
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.009
T
J
= 25°C
0.008
0.007
V
GS
= 5 V
0.006
V
GS
= 10 V
0.005
0.004
0
20
40
60
80
100
120
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（标准化）
图3.导通电阻与漏电流和
温度
1.6
V
GS
= 5.0 V
I
D
= 37.5 A
1.4
I
DSS
，漏电（ NA）
100
1000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
1.2
T
J
= 100°C
10
1
0.8
0.6
50
1
25
0
25
50
75
100
125
150
5
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化温度
图6.漏 - 源极漏电流 -
电压
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4
NTP75N03L09 ， NTB75N03L09
12000
V
GS
V
DS
10000
C，电容（pF ）
8000
6000
4000
C
OSS
2000
C
RSS
0
10 8 6 4 2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 25
栅极 - 源极或漏极至源极
电压（伏）
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
30
8
V
GS
6
V
DS
Q
T
4
Q
1
Q
2
10
2
Q
3
0
10
20
30
40
50
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
0
60
I
D
= 75 A
T
J
= 25°C
20
C
国际空间站
0
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1000
t
r
I
S
，源电流（安培）
t
f
100
t
D（关闭）
t
D（上）
T
J
= 25°C
I
D
= 75 A
1
2.2
4.7
6.2
9.1
V
DD
= 15 V
V
GS
= 5 V
10
20
10
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R
G
，栅极电阻（ W）
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
25
50
75
100
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 75 A
125
150
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大雪崩能量 -
开始结温
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5
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