NTE21256

262,144位动态随机

存取存储器（DRAM）

描述：

该NTE21256是由1位的动态随机存取存储器一个262144字。这5V -唯一组件

是用纤维制作的N沟道硅栅技术。

九复用地址输入允许NTE21256在一个行业标准包装

16引脚DIP封装。该器件的特点包括单电源供电

±10%

公差，导通

片地址，日期寄存器，省去了接口寄存器，并充分TTL兼容

输入和输出，包括时钟。

除了通常的读，写和读 - 修改 - 写周期中， NTE21256能够及早的

后期写周期， RAS-只刷新和隐藏刷新。常见的I / O功能，通过使用给定的

初写入操作。

该NTE21256还设有页面模式，它允许比特在同一高速随机存取

行。

产品特点：

D

262,144 ×1位组织

D

+ 5V单电源，

±10%

公差

D

低功耗：

-385mW活性（最大值）

-28mW待机（最大）

D

访问时间： 150ns的

D

周期时间： 260ns

D

所有输入和输出TTL兼容

D

片衬底偏压发生器

D

三态数据输出

D

读，写，读 - 修改 - 写， RAS仅刷新，刷新隐藏

D

常见的I / O能力使用“早期写”操作

D

页面模式读取和写入，读取，写入

D

256刷新周期时间为4ms的刷新周期

绝对最大额定值：

（注1 ）

工作温度范围，T

OPR

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 °到+ 70°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 °至+ 150°C

任何引脚相对于V电压

SS

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1至+ 7V

功耗，P

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

数据输出电流（短路） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安

注1.强调上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的

损坏设备。暴露在绝对最大额定值条件下长时间

可能会影响器件的可靠性。

功能描述：

设备初始化

由于NTE21256是一个动态RAM与+ 5V单电源供电，无需电源排序要求。

为电，为200μs的初始暂停是必要的内部偏压发生器以建立

适当的衬底偏置电压。初始化动态电路的节点，至少8个活性

的行地址选通（RAS）的周期已被执行。这也是必要的EX-后

大于4毫秒的往往无效状态。

寻址（ A0 -A8 ）

用于选择262,144的存储器单元中的一个，一共有18个地址位是必需的。第8行

地址位设置引脚A0至A8和锁存到行地址锁存器的行

地址选通（ RAS）的。那么9列地址位设置引脚A0至A8和锁定

到列地址锁存器由列地址选通（CAS） 。所有输入地址必须

稳定上的RAS和CAS的下降沿。但是应当注意的是， RAS是类似于一个芯片使能

在于它激活的读出放大器，以及行译码器。 CAS号被用作芯片选择爱科特

vating列译码器和所述输入和输出缓冲器。

写使能（ WE）

的读或写操作来选择模式在WE输入。逻辑高电平（V

IH

）在WE使然阅读

模式;逻辑低（Ⅴ

IL

）决定写模式。当被选择的阅读模式的数据输入被禁用。

当我们进入前低CAS号，数据输出（DO）将保持在该高阻抗状态

整个周期允许通用I / O操作。

数据输入（ DI ）

数据写过程中被写入或读出 - 修改 - 写周期。 CAS的下降沿或WE数据选通

到芯片上的数据锁存器。在早期的写周期，我们先于低CAS号带来的数据是

选通通过与中科院建立和保持时间参考此信号。

数据输出（ DO ）

输出为三态的TTL与扇出两个标准TTL负载的兼容。 DATA OUT了

极性相同的数据在。的输出处于高阻抗状态，直到CAS号为低电平。在

一读周期或读写周期中，输出是叔后有效

RAC

从RAS转型当t

RCD

（分钟）

被满足时，或叔后

CAC

来自中科院变迁t后在进行转移时

RCD

（最大值） 。在早期的

写周期中，输出始终处于高阻抗状态。在延迟写入或读 - 修改 - 写

周期，输出将跟随序列的读周期。与中科院将高输出的回报

到内吨高阻抗状态

关闭

.

隐藏刷新

RAS-只刷新周期可以发生，同时保持有效的输出数据。这个特性被称为

为隐藏刷新。隐藏的刷新是由中国科学院控股在V进行

IL

先前的存储器的读

周期。

刷新周期

刷新操作必须执行至少每4毫秒来保存数据。由于输出缓冲器是

中除非CAS为高阻抗状态被施加时，RAS -只刷新序列避免了任何信号

在刷新。频闪每256行地址（ A0至A7 ）与RAS的，使所有的位

在每行中被刷新。 CAS可以保持高（无效）本更新程序来保护

力。

页模式

页面模式操作允许有效地更快的存储器存取通过保持该行地址和

随机选通列地址到芯片上。因此，有必要建立和频闪的时间SE-

不再需要quential行地址相同的页面。列的最大数量

可以在序列处理为t确定

RAS

中，最大的RAS低脉冲宽度。

DC特性：

(T

A

= 0°到+ 70° C，V

SS

= 0V, V

CC

= +5V

±10%

除非另有规定编）

参数

输入高电压（所有输入）

输入低电压（所有输入）

输出高电压

输出低电压

平均V

CC

电源电流

待机V

CC

电源电流

平均V

CC

在电源电流

RAS-只刷新周期

平均V

CC

在电源电流

页模式

输入漏电流（任何输入）

输出漏电流

电源电压

符号

V

IH

V

IL

V

OH

V

OL

I

CC1

I

CC2

I

CC3

I

CC4

I

I（L）

I

O（ L）

V

CC

V

SS

CAS为逻辑1 ， 0

≤

V OUT

≤

5.5

注2

测试条件

注2 ，注3

注2 ，注3

注4

注5

t

RC

= 260ns ，注6

注7：

注6

注6

民

2.4

–1.0

2.4

–

–

–

–

–

–

–

4.5

0

典型值

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

最大

V

CC

+1

0.8

–

0.4

70

5

65

55

10

10

5.5

0

单位

V

V

V

V

mA

mA

mA

mA

A

A

V

V

注2：参考V所有电压

SS

.

注3.冲和下冲在+ 6.5V或-2V输入电平一段0F 30ns的最大值。

会影响该设备的功能和可靠性。

注4：我

OH

= 4mA到100pF的负载。

注5.我

OL

= 4mA到100pF的负载。

注6.我

CC

取决于操作的频率。最大电流的测量，以最快的循环

率。

注7， RAS和CAS都在V

IH

.

电容：

（注6 ）

参数

输入电容（ A0 - A8 ， DI ）

输入电容（ RAS ， CAS ， WE）

输出电容（ DO ， CAS = V

IH

禁用输出）

符号

C

I1

C

I2

C

O

测试条件

民

–

–

–

典型值

–

–

–

最大单位

6

7

7

pF

pF

pF

注意由下式计算6.有效电容：

C=

I

t

同

V

= 3V或Boonton的计测。

V

AC测试条件：

输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至3.0V

输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8和2.4V之间的5ns

输入时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8 2.4V

输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4 2.4V

输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 equivelent至2个标准TTL负载和100pF电容

交流特性：

(T

A

= 0°到+ 70° C，V

CC

= 5V

±10%,

注9 ，注10 ，注11 ，除非

另有规定）

参数

随机读或写周期时间

读 - 修改 - 写周期时间

从RAS访问时间

从CAS访问时间

RAS脉冲宽度

CAS脉冲宽度

刷新周期

RAS预充电时间

CAS到RAS预充电时间

RAS到CAS的延迟时间

RAS保持时间

CAS保持时间

行地址建立时间

行地址保持时间

列地址设置时间

列地址保持时间

列地址保持时间参考RAS

转换时间（上升和下降）

READ命令设置时间

阅读参考CAS命令保持时间

阅读参考RAS命令保持时间

输出缓冲器关闭延迟

符号

t

RC

t

RWC

t

RAC

t

CAC

t

RAS

t

CAS

t

REF

t

RP

t

CRP

t

RCD

t

RSH

t

CSH

t

ASR

t

RAH

t

ASC

t

CAH

t

AR

t

T

t

RCS

t

RCH

t

RRH

t

关闭

注18

注18

注19

注17

注9

注16

测试条件

注12

注12

注13 ，注14

注13 ，注15

民

260

310

–

–

150

75

–

100

0

30

75

150

0

20

0

30

105

3

0

0

10

0

典型值

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

最大单位

–

–

150

75

10

4

–

4

–

–

75

–

–

–

–

–

–

–

50

–

–

–

40

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ms

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

注9 V

IH

和V

IL

是参考电平来测量输入信号的定时。此外，过渡时间

V的测量

IH

和V

IL

.

注10 。为200μs的初始暂停要求后跟最少八个初始化电后

之前的正常工作周期。

11.注意此处指定的时间参数是有效的T的过渡时间

T

=用于将输入信号为5ns

注12 。该规范吨

RC

（分钟） ，T

RWC

（最小值） ，并且页面模式周期时间（t

PC

）仅用于

指示周期时间而正确的操作在整个温度范围内

(0°C

≤

T

A

≤

+ 70 ℃）是有保证的。

Note13 。测量相当于两个TTL负载和100pF电容负载。

Note14 。假设吨

RCD

≤

t

RCD

（MAX）。如果T

RCD

大于最大推荐值

在此表中，叔所示

RAC

将通过量增加了吨

RCD

超出显示的值。

Note15 。假设吨

RCD

≤

t

RCD

（最大值）。

Note16 。内的T操作

RCD

（ MAX）限制确保吨

RAC

（MAX），可以得到满足。吨

RCD

（max）是spe-

cified作为唯一的参考点。如果T

RCD

大于指定吨

RCD

（最大值）限值，则

存取时间为t独占控制

CAC

.

Note17 。吨

RCD

+ t

CAH

≥

t

AR

分钟，T

RCD

+ t

DH

≥

t

DHR

分钟，T

RCD

+ t

WCH

≥

t

WCR

分钟。

Note18 。要么吨

RRH

或T

RCH

必须满足一个读周期。

Note19 。吨

关闭

（最大值）限定在其中的输出达到开路状态而不是时间

参考输出电压电平。

AC特性（续） ：

(T

A

= 0°到+ 70° C，V

CC

= 5V

±10%,

注9 ，注10 ，注11

除非另有规定编）

参数

写命令设置时间

写命令保持时间

写参考RAS命令保持时间

WRITE命令的脉冲宽度

写命令到RAS交货期

写命令到CAS交货期

数据建立时间

数据保持时间

在数据保持时间参考RAS

CAS以拖延

RAS到我们拖延

RMW周期RAS脉冲宽度

RMW周期CAS脉冲宽度

页模式周期时间

页面模式读写周期时间

页模式CAS预充电时间

符号

t

WCS

t

WCH

t

WCR

t

WP

t

RWL

t

CWL

t

DS

t

DH

t

DHR

t

CWD

t

RWD

t

RRW

t

CRW

t

PC

t

PRWC

t

CP

注12

注21

注21

注17

注20

注20

注17

测试条件

注20

民

0

45

120

45

45

45

0

45

120

75

150

200

125

145

190

60

典型值

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

最大单位

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

注9 V

IH

和V

IL

是参考电平来测量输入信号的定时。此外，过渡时间

V的测量

IH

和V

IL

.

注10 。为200μs的初始暂停要求后跟最少八个初始化电后

之前的正常工作周期。

11.注意此处指定的时间参数是有效的T的过渡时间

T

=用于将输入信号为5ns

注12 。该规范吨

RC

（分钟） ，T

RWC

（最小值） ，并且页面模式周期时间（t

PC

）仅用于

指示周期时间而正确的操作在整个温度范围内

(0°C

≤

T

A

≤

+ 70 ℃）是有保证的。

Note17 。吨

RCD

+ t

CAH

≥

t

AR

分钟，T

RCD

+ t

DH

≥

t

DHR

分钟，T

RCD

+ t

WCH

≥

t

WCR

分钟。

Note20 。吨

WCS

, t

CWD

和叔

RWC

不是限制性的操作参数。它们被包括在数据

片作为唯一的电气特性：若T

WCS

≥

t

WCS

（分钟） ，则该循环是一个早期的写周期

和数据输出将保持开路（高阻抗）的整个周期;如果

t

CWD

≥

t

CWD

（MIN）和叔

RWD

≥

t

RWD

（最小值）的周期是一个读 - 写周期，并从数据输出

将包含从所选择的单元中读取数据。如果没有的条件在上述套是令人满意

田间，数据输出的（按访问时间）的条件是不确定的。

Note21 。吨

DS

和T

DH

被引用到CAS的早期的写周期的前沿，并与主导

我们在读 - 修改 - 写周期的延迟写入边缘。