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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第114页 > NTB5605PT4G
NTB5605P
功率MOSFET
-60伏， -18.5放大器
P沟道，D
2
PAK
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
典型值
120毫瓦@ -5.0 V
P- CHANNEL
D
I
D
最大
18.5 A
专为低R
DS （ ON）
可承受高能量的雪崩和减刑模式
无铅包可用
应用
电源
PWM电机控制
转换器
电源管理
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
E
AS
价值
60
$20
18.5
88
55
-55
175
338
单位
V
V
A
W
1
A
°C
mJ
2
3
D
2
PAK
CASE 418B
方式2
4
S
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
t
p
= 10
ms
NTB5605PG
AYWW
工作结温和存储温度
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 25 V, V
GS
= 5.0 V，I
PK
= 15 A,
L = 3.0 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（从1/8的情况下为10秒）
1
门
2
漏
3
来源
T
L
260
°C
热电阻额定值
参数
结至外壳（漏） - 稳态
符号
R
QJC
最大
1.7
单位
° C / W
NTB5605P
A
Y
WW
G
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装用1 “的焊盘尺寸（铜面积1.127在FR4板
2
).
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸（铜区0.41
2
).
订购信息
设备
NTB5605P
NTB5605PG
NTB5605PT4
NTB5605PT4G
包
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
800磁带&卷轴
800磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年8月 - 第2版
出版订单号：
NTB5605P/D
NTB5605P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向跨导
漏极至源极导通电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= -5.0 V，I
D
= 8.5 A
V
GS
= -5.0 V，I
D
= 17 A
V
DS
= -10 V，I
D
= 8.5 A
V
GS
= -5.0 V，I
D
= 8.5 A
1.0
1.5
120
140
12
1.3
2.0
140
V
mW
S
V
I
GSS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
60
64
1.0
10
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V
I
S
= 17 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1.55
1.4
60
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 17 A
39
21
0.14
nC
ns
2.5
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 5.0 V, V
DD
= 30 V,
I
D
= -17 A，R
G
= 9.1
W
12.5
122
29
75
25
183
58
150
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 48 V,
I
D
= 17 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 25 V
730
211
67
13
4.0
7.0
1190
300
120
22
nC
pF
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTB5605P
40
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
1
3
5
7
9
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
10
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 3 V
0
0
4
6
8
1
2
3
5
7
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
9
V
GS
= 10 V
V
GS
= 9 V
V
GS
= 8 V
V
GS
= 7 V
T
J
= 25°C
40
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 6 V
V
GS
= 5.5 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4 V
V
DS
= 10 V
T
J
= 55°C
30
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
20
10
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.5
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0
5
10
T
J
= 55°C
15
20
25
30
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 5.0 V
0.25
0.225
0.2
0.175
0.15
0.125
0.1
0.075
0.05
0.025
0
0
T
J
= 25°C
V
GS
= 5.0 V
V
GS
= 10 V
3
6
9
12
15
18
21
24
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与漏电流和
温度
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
1
25
0
25
50
75
100
125
150
5
I
D
= 8.5 A
V
GS
= 5.0 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
10000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
100
10
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTB5605P
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
10
C
RSS
5 V
GS
0 V
DS
5
10
15
20
C
OSS
8
7
6
5
4
Q
GS
3
2
1
0
0
4
8
12
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
I
D
= 17 A
T
J
= 25°C
0
16
Q
DS
Q
T
V
GS
V
DS
60
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
45
C
RSS
C
国际空间站
30
15
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
图7.电容变化
1000
I
S
，源电流（安培）
20
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
15
T， TIME （ NS ）
100
t
r
t
f
t
D（关闭）
10
10
t
D（上）
V
DD
= 30 V
I
D
= 17 A
V
GS
= 5.0 V
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
5
1
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1000
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
100
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
400
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 15 A
350
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
10
dc
10毫秒
1毫秒
100
ms
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
10
ms
100
1
0.1
0.1
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
4
NTB5605P
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
0.001
0.01
T，时间（S ）
0.1
1
10
0.1
0.0001
图13.热响应
的di / dt
I
S
t
rr
t
a
t
b
时间
t
p
I
S
0.25 I
S
图14.二极管的反向恢复波形
http://onsemi.com
5
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NM27C256NE100
NAND128W4A2AV1F
NM24C65UEM8
NFL21SP106X1C3
NAND01GW4A0CZA6
N74F181D
NR8501CP-BC
NFS80
NTR4502P
NJL64H300
N74F398D-T
NDL5481P1
NFN40-7628
NM24W16UTLEMT8
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    NTB5605PT4G
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