【NTB52N10功率MOSFET52安培， 100伏N沟道增强模式2PAK特点http://onse】,IC型号NTB52N10G,NTB52N10G PDF资料,NTB52N10G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTB52N10

功率MOSFET

52安培， 100伏

N沟道增强模式

PAK

特点

http://onsemi.com

DSS

100 V

DS （ ON）

典型值

30毫瓦@ 10 V

最大

52 A

源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散

快恢复二极管

较高的雪崩能量

DSS

和R

DS （ ON）

指定高温

本发明提供用于D安装信息

PAK封装

无铅包可用

N沟道

典型应用

PWM电机控制

电源

转换器

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

漏极至源极电压（R

= 1.0毫瓦）

栅极 - 源极电压

- 连续

- 不重复（T

v10

女士）

漏电流

- 连续@ T

= 25°C

- 连续@ T

= 100°C

- 脉冲（注1 ）

总功率耗散@ T

= 25°C

减免上述25℃

总功率耗散@ T

= 25 ° C（注2 ）

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

= 25°C

= 50伏，V

= 10 VDC ，

L（ PK）

= 40 A，L = 1.0 mH的，R

= 25

热阻

- 结到外壳

- 结到环境

- 结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的， 1 / 8英寸的情况下，持续10秒

156

178

1.43

2.0

-55

+150

800

W / ℃，

°C

符号

DSS

DGR

GSM

价值

100

"20

"40

ADC

单位

VDC

标记图

＆放大器;引脚分配

漏

NTB

52N10G

AYWW

PAK

CASE 418B

方式2

门

漏

来源

, T

英镑

NTB52N10

=器件代码

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

° C / W

QJC

qJA

0.7

62.5

260

°C

订购信息

设备

NTB52N10

NTB52N10G

NTB52N10T4

NTB52N10T4G

包

PAK

（无铅）

PAK

（无铅）

航运

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.脉冲测试：脉冲宽度= 10

女士，

占空比= 2 ％。

2.表面安装用最小的FR4板推荐

焊盘尺寸，（铜， 0.412地区

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

出版订单号：

NTB52N10/D

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年8月 - 第3版

NTB52N10

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

= 0伏，我

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

= 0伏，V

= 100伏，T

= 25°C)

= 0伏，V

= 100伏，T

= 125°C)

门体漏电流（Ⅴ

20伏直流电，V

= 0伏）

基本特征

栅极阈值电压

= V

GS ，

= 250

MADC ）

温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻

= 10 VDC ，我

= 26 ADC）

= 10 VDC ，我

= 26 ADC ，T

= 125°C)

漏极 - 源极导通电压

= 10 VDC ，我

= 52 ADC）

正向跨导（V

= 26伏直流，我

= 10 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

（注3 & 4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

体漏二极管额定值

（注3）

二极管正向导通电压

反向恢复时间

= 52 ADC ，V

= 0伏，

/ DT = 100 A / MS）

反向恢复电荷存储

3.脉冲测试：脉冲宽度= 300

最大值，占空比= 2 ％。

4.开关的特点是独立的工作结温。

= 52 ADC ，V

= 0伏）

= 37 ADC ，V

= 0伏，T

= 125°C)

1.06

0.95

148

106

0.66

1.5

VDC

= 80伏直流，我

= 52 ADC ，

= 10 VDC ）

= 80伏直流，我

= 52 ADC ，

= 10 VDC ，

= 9.1

D（上）

D（关闭）

合计

100

180

150

190

135

= 25伏，V

= 0伏，

F = 1.0兆赫）

国际空间站

OSS

RSS

2250

620

135

3150

860

265

GS （ TH）

2.0

DS （ ON）

1.25

1.45

姆欧

0.023

0.050

0.030

0.060

VDC

2.92

8.75

4.0

VDC

毫伏/°C的

（ BR ） DSS

100

DSS

GSS

5.0

100

NADC

160

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

NTB52N10

100

，漏极电流（ AMPS ）

4.5 V

，漏极至源极电压（伏）

5.5 V

= 10 V

= 25°C

，漏极电流（ AMPS ）

100

= 100°C

= 25°C

= 55°C

，栅极至源极电压（伏）

≥

10 V

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.05

= 10 V

0.04

= 100°C

0.05

= 25°C

0.04

0.03

= 25°C

0.02

= 55°C

0.01

，漏极电流（ AMPS ）

100

0.03

= 10 V

0.02

= 15 V

0.01

30 40 50

60 70 80

，漏极电流（ AMPS ）

90 100

DS （ON ），

漏极至源极电阻（标准化）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

2.5

2.25

2.0

1.75

1.5

1.25

1.0

0.75

0.5

0.25

= 26 A

= 10 V

10,000

= 0 V

= 150°C

DSS

，漏电（ NA）

1000

100

= 100°C

120

，结温（ ° C）

150

100

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NTB52N10

功率MOSFET开关

交换行为是最容易建模和预测

由认识到功率MOSFET是充电

控制。各种开关间隔的长度（申）

由如何快速FET输入电容可确定

从发电机通过电流进行充电。

已发布的电容数据是难以用于

计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容

变化很大随施加电压。因此，门

电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计

平均输入电流（I

G（ AV ）

）可以由一个作

驱动电路，使得基本的分析

T = Q / I

G（ AV ）

在上升和下降时间间隔切换时，

阻性负载，V

实际上保持恒定的水平

被誉为高原电压，V

SGP

。因此，上升和下降

时间可近似由下：

= Q

个R

/(V

普遍优惠制

)

= Q

个R

普遍优惠制

哪里

=栅极驱动电压，其中从0变到V

=栅极驱动电阻

和Q

和V

普遍优惠制

从栅极电荷曲线读取。

在导通和关断延迟时间，栅极电流是

不是恒定的。最简单的计算使用合适的

在一个标准方程用于从所述电容值曲线

电压的变化的RC网络。该方程为：

D（上）

= R

国际空间站

在[V

/(V

普遍优惠制

)]

D（关闭）

= R

国际空间站

在（V

普遍优惠制

)

6000

= 0 V V

= 0 V

5000

C，电容（pF ）

4000

3000

2000

1000

RSS

OSS

RSS

国际空间站

= 25°C

的电容（C

国际空间站

）从电容曲线上读出在

对应于关断状态的条件时的电压

计算牛逼

D（上）

和读出在对应于一个电压

导通状态时，计算吨

D（关闭）

在高开关速度，寄生电路元件

复杂的分析。 MOSFET的电感

源引，内包装，在电路布线

这是通用的漏极和栅极的电流路径，

产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源

电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的

是漏极电流的函数，在数学溶液

复杂的。 MOSFET的输出电容也

复杂的数学。最后， MOSFET的

有限的内部栅极电阻，有效地增加了

所述驱动源的电阻，但内阻

难以测量，因此，没有被指定。

电阻开关时间变化与门

电阻（图9）显示了如何典型开关

性能由寄生电路元件的影响。如果

寄生效应不存在时，曲线的斜率将

保持统一的值，而不管开关速度。

用于获得所述数据的电路被构造以最小化

在漏极和栅极电路环路共同电感和

被认为是很容易达到的板装

组件。大多数电力电子负载是感性的;该

图中的数据是使用电阻性负载，其

近似的最佳冷落感性负载。动力

的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;

然而，不压井作业减少了开关损耗。

国际空间站

栅极 - 源极或漏极至源极

电压（伏）

图7.电容变化

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NTB52N10

VGS ，栅极至源极电压（伏）

V DS ，漏极至源极电压（伏）

100

1000

= 80 V

= 52 A

= 10 V

100

T， TIME （ NS ）

D（关闭）

D（上）

= 52 A

= 25°C

，总栅极电荷（ NC）

，栅极电阻（欧姆）

100

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

漏极至源极二极管特性

IS ，源电流（安培）

0.45

0.55

0.65

0.75

0.85

0.25 0.35

，源极到漏极电压（伏）

0.95

= 0 V

= 25°C

图10.二极管的正向电压与电流

安全工作区

正向偏置安全工作区曲线定义

的最大同时漏极 - 源极电压和

漏电流的晶体管可以处理安全时，它是

正向偏置。曲线是基于最大峰值

结温度和壳体温度（T

） 25℃ 。

重复峰值脉冲功率限制使用确定

在与程序一起使用时的热响应数据

在AN569讨论， “瞬态热阻 -

一般数据和它的使用。 “

关断状态，导通状态可能会之间的切换

遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流

），也不额定电压（V

DSS

）的上限和

过渡时间（t

）不超过10

女士。

此外，该总

功率平均一个完整的开关周期不得

超过（T

J（下最大）

)/(R

QJC

指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用

与松开感性负载的开关电路。为

可靠的操作，所存储的能量从电路电感

耗散在晶体管，而在雪崩必须小于

超过额定界限和调节操作条件

从这些规定不同。虽然行业惯例是

以速度在能源方面，雪崩能量能力不

一个常数。能量等级降低非线性地与

峰值电流的增加，雪崩和峰值结

温度。

虽然许多E-场效应管能承受的压力

漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲

电流（I

），能量等级在额定指定

连续电流（I

），按照行业惯例。

能量等级必须降低温度，如图

在所附的图中（图12）。在最大能量

低于额定连续电流我

可以安全地假定为

等于指定的值。

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