NSS20200W6
20 V ， 3.0 A，低V
CE （ SAT ）
PNP晶体管
安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE （ SAT ）
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压（V
CE （ SAT ）
）和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压，高速开关应用中使用
其中，经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品，例如蜂窝和无绳
电话，PDA，计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品，如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业，他们可以在气囊展开，并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出，线性增益驱动
（测试版） ，使它们非常适合组件的模拟放大器。
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
集电极电流
PEAK
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
最大
20
20
7.0
2.0
3.0
单位
VDC
VDC
VDC
A
A
1
符号
P
D
（注1 ）
最大
426
3.4
R
qJA
（注1 ）
P
D
（注2 ）
293
555
4.4
R
qJA
（注2 ）
T
J
, T
英镑
225
55
to
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
VC =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
SC88/SOT363
CASE 419B
20风格
http://onsemi.com
20
伏， 3.0 AMPS
PNP低V
CE （ SAT ）
晶体管
等效
DS （ ON）
65毫瓦
集热器
1, 2, 5, 6
3
BASE
4
辐射源
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结存储
温度范围
器件标识
6
VC M
G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹。
2. FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹。
订购信息
设备
NSS20200W6T1G
包
SC88
（无铅）
航运
3000/
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年8月，
第2版
1
出版订单号：
NSS20200W6/D
NSS20200W6
包装尺寸
SC88/SC706/SOT363
CASE 419B -02
ISSUE W
e
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419B -01已过时，新标准419B -02 。
4
暗淡
A
A1
A3
b
C
D
E
e
L
H
E
MILLIMETERS
民
喃最大
0.80
0.95
1.10
0.00
0.05
0.10
0.20 REF
0.10
0.21
0.30
0.10
0.14
0.25
1.80
2.00
2.20
1.15
1.25
1.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.30
2.00
2.10
2.20
英寸
喃最大
0.037 0.043
0.002 0.004
0.008 REF
0.004 0.008 0.012
0.004 0.005 0.010
0.070 0.078 0.086
0.045 0.049 0.053
0.026 BSC
0.004 0.008 0.012
0.078 0.082 0.086
民
0.031
0.000
D
6
5
H
E
1
2
3
E
b
6 PL
0.2 (0.008)
M
E
M
A3
C
A
风格20 ：
PIN 1.集热器
2.收集
3. BASE
4.发射器
5.集热器
6.集热器
A1
L
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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