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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第212页 > NTB45N06L
NTP45N06L , NTB45N06L
功率MOSFET
45安培, 60伏特,逻辑电平,
N沟道TO- 220和D
2
PAK
在专为低电压,高速开关应用
电源,转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
更高的额定电流
DS ( ON)
低V
DS ( ON)
较低的电容
低总栅极电荷
更严格的V
SD
规范
低二极管反向恢复时间
低反向恢复电荷存储
45安培, 60伏
R
DS ( ON)
= 28毫瓦
N沟道
D
G
S
典型应用
记号
图表
4
4
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
TO220
CASE 221A
风格5
NTx45N06L
AYWW
1
2
3
1
2
4
4
3
来源
2
1
3
D
2
PAK
CASE 418B
方式2
NTx45N06L
AYWW
2
1
3
来源
NTx45N06L
x
A
Y
WW
=器件代码
= P或B
=大会地点
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号:
NTP45N06L/D
NTP45N06L , NTB45N06L
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压(R
GS
= 10毫瓦)
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复(T
p
v10
女士)
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲(T
p
v10
女士)
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C(注1 )
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C(注2 )
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏,V
GS
= 5.0伏, L = 0.3 mH的
I
L( PK)
= 40 A,V
DS
= 60伏,R
G
= 25
W)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境(注1 )
- 结到环境(注2 )
最大的铅焊接温度的目的, 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
"15
"20
45
30
150
125
0.83
3.2
2.4
-55到+175
240
ADC
APK
W
W / ℃,
W
W
°C
mJ
单位
VDC
VDC
VDC
T
J
, T
英镑
E
AS
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
1.2
46.8
63.2
260
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不
可能会出现隐含的,损害和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装用1“的焊盘尺寸, (铜面积1.127在FR4板
2
).
2.表面安装的FR4电路板用最小建议焊盘尺寸, (铜区在0.412
2
).
订购信息
设备
NTP45N06L
NTB45N06L
NTB45N06LG
NTB45N06LT4
NTB45N06LT4G
TO220
D
2
PAK
D
2
PAK
(无铅)
D
2
PAK
D
2
PAK
(无铅)
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
800磁带&卷轴
800磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
NTP45N06L , NTB45N06L
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压(注3 )
(V
GS
= 0伏,我
D
= 250
MADC )
温度系数(正)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ,V
GS
= 0伏)
(V
DS
= 60 VDC ,V
GS
= 0伏,T
J
= 150°C)
门体漏电流(Ⅴ
GS
=
±
15 VDC ,V
DS
= 0伏)
基本特征
(注4 )
栅极阈值电压(注4 )
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC )
阈值温度系数(负)
静态漏 - 源极导通电阻(注4 )
(V
GS
= 5.0伏,我
D
= 22.5 ADC)
静态漏 - 源极导通电压(注4 )
(V
GS
= 5.0伏,我
D
= 45 ADC)
(V
GS
= 5.0伏,我
D
= 22.5 ADC ,T
J
= 150°C)
正向跨导(注4 ) (V
DS
= 8.0伏,我
D
= 12 ADC)
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
(注5 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
= 48伏直流,我
D
= 45 ADC ,
Vd
Ad
V
GS
= 5.0伏) (注4 )
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
(I
S
= 45 ADC ,V
GS
= 0伏,
Ad
Vd
dI
S
/ DT = 100 A / MS ) (注4 )
反向恢复电荷存储
(I
S
= 45 ADC ,V
GS
= 0伏) (注4 )
(I
S
= 45 ADC ,V
GS
= 0伏,T
J
= 150°C)
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
1.01
0.92
56
30
26
0.09
1.15
mC
VDC
ns
(V
DD
= 30伏直流电,我
D
= 45 ADC ,
V
GS
= 5.0伏,R
G
= 9.1
W)
(注4 )
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
13
341
36
158
23
4.6
14.1
30
680
75
320
32
nC
ns
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0伏,
Vd
Vd
F = 1.0兆赫)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1212
352
90
1700
480
180
pF
V
GS ( TH)
1.0
R
DS ( ON)
V
DS ( ON)
g
FS
1.03
0.93
22.8
1.51
姆欧
23
28
VDC
1.8
4.7
2.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V
( BR ) DSS
60
I
DSS
I
GSS
1.0
10
±100
NADC
67
67.2
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
典型值
最大
单位
3.表面贴装的FR4电路板用最小建议焊盘尺寸, (铜区在0.412
2
).
4.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2%.
5.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
3
NTP45N06L , NTB45N06L
80
V
GS
= 10 V
I
D
,漏极电流( AMPS )
70
60
50
40
30
V
GS
= 8 V
20
10
0
0
1
V
GS
= 9 V
2
V
GS
= 5.5 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 6 V
V
GS
= 7 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
,漏极电流( AMPS )
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.8
T
J
= 100°C
T
J
= 55°C
T
J
= 25°C
V
DS
> = 10 V
V
GS
= 4 V
V
GS
= 3.5 V
3
4
2.6
3.4
4.2
5
5.8
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图1.区域特征
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
图2.传输特性
0.046
V
GS
= 5 V
0.042
0.038
0.034
0.03
0.026
0.022
T
J
= 55°C
0.018
0.014
0
10
20
30
40
50
60
70
80
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
0.046
0.042
0.038
0.034
V
GS
= 5 V
0.03
0.026
0.022
0.018
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
D
,漏极电流( AMPS )
V
GS
= 10 V
I
D
,漏极电流( AMPS )
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极电阻
(归一化)
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50 25
10
0
25
50
75
100
125
150
175
10000
I
D
= 22.5 A
V
GS
= 5 V
I
DSS
,漏电( NA)
1000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
100
T
J
= 100°C
0
10
20
30
40
50
60
T
J
,结温( ° C)
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
4
NTP45N06L , NTB45N06L
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
4000
3600
C,电容(pF )
3200
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
10
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
C
RSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
6
5
Q
1
4
3
2
1
0
0
I
D
= 45 A
T
J
= 25°C
4
8
12
16
20
24
Q
T
V
GS
Q
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5 V
GS
0 V
DS
5
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压
(伏)
Q
g
,总栅极电荷( NC)
图7.电容变化
1000
48
I
S
,源电流(安培)
t
r
t
f
100
t
D(关闭)
40
32
24
16
8
0
0.6
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
V
DS
= 30 V
I
D
= 45 A
V
GS
= 5 V
T, TIME ( NS )
t
D(上)
10
1
10
R
G
,栅极电阻( W)
100
0.64 0.68 0.72 0.76 0.8
0.84 0.88 0.92 0.96 1
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
E
AS
,单脉冲漏极 - 源
雪崩能量(兆焦耳)
1000
I
D
,漏极电流( AMPS )
V
GS
= 15 V
单脉冲
T
C
= 25°C
280
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 45 A
240
200
160
120
80
40
0
25
50
75
100
125
150
175
100
dc
10
10毫秒
1毫秒
1
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
100
ms
0.1
0.10
1
10
100
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
T
J
,起动结温( ° C)
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
5
NTP45N06L , NTB45N06L
功率MOSFET
45安培, 60伏特,逻辑电平
N沟道TO- 220和D2PAK
在专为低电压,高速开关应用
电源,转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
更高的额定电流
低RDS ( ON)
较低的VDS (上)
较低的电容
低总栅极电荷
更严格的规范VSD
低二极管反向恢复时间
低反向恢复电荷存储
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
45安培
60伏特
RDS ( ON) = 28毫欧
N沟道
D
典型应用
G
4
S
1
TO–220AB
CASE 221A
风格5
2
3
2
3
D2PAK
CASE 418B
方式2
4
最大额定值
( TJ = 25° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压( RGS = 10 MΩ )
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复( TP
v10
女士)
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA = 100℃
- 单脉冲( TP
v10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25 ° C(注1 )
总功率耗散@ TA = 25 ° C(注2 )
工作和存储温度范围
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGS
ID
ID
IDM
PD
价值
60
60
"15
"20
45
30
150
125
0.83
3.2
2.4
-55
+175
ADC
APK
W
W / ℃,
W
W
°C
单位
VDC
VDC
VDC
1
标记DIAGRAMS
&放大器;引脚分配
4
4
NTP45N06L
LLYWW
1
2
3
来源
1
NTB45N06L
LLYWW
TJ , TSTG
2
3
来源
单脉冲Drain - to-Source雪崩
EAS
240
mJ
能源 - 启动TJ = 25°C
( VDD = 50伏直流电, VGS = 5.0伏, L = 0.3 mH的
IL ( PK ) = 40 A, VDS = 60 VDC , RG = 25
)
1.当表面安装用1 “垫尺寸为FR4板,
(铜区1.127平方英寸) 。
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸, (铜区0.412平方英寸) 。
NTx45N06L
LL
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP45N06L
NTB45N06L
NTB45N06LT4
TO–220AB
D2PAK
D2PAK
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年3月 - 修订版0
出版订单号:
NTP45N06L/D
NTP45N06L , NTB45N06L
最大额定值
( TJ = 25° C除非另有说明)
等级
热阻
- 结到外壳
- 结到环境(注3 )
- 结到环境(注4 )
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
TL
价值
1.2
46.8
63.2
260
单位
° C / W
最大的铅焊接温度的目的, 1/8“案件从10秒
°C
电气特性
( TJ = 25° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压(注4 )
( VGS = 0伏, ID = 250
μAdc )
温度系数(正)
零栅极电压漏极电流
( VDS = 60 V , VGS = 0伏)
( VDS = 60 V , VGS = 0伏, TJ = 150 ° C)
门体漏电流( VGS =
±15
VDC , VDS = 0伏)
基本特征
(注5 )
栅极阈值电压(注5 )
(VDS = VGS ,ID = 250
μAdc )
阈值温度系数(负)
静态漏 - 源极导通电阻(注5 )
( VGS = 5.0伏, ID = 22.5 ADC )
静态漏 - 源极导通电压(注5 )
( VGS = 5.0伏, ID = 45 ADC )
( VGS = 5.0伏, ID = 22.5 ADC , TJ = 150 ° C)
正向跨导(注5 ) ( VDS = 8.0伏, ID = 12 ADC)
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
(注6 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
( VDS = 48伏直流电, ID = 45的ADC ,
Vd
Ad
VGS = 5.0伏) (注5 )
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
( IS = 45 ADC , VGS = 0伏,
Ad
Vd
DIS / DT = 100 A / μs)内(注5 )
反向恢复电荷存储
3.
4.
5.
6.
( IS = 45 ADC , VGS = 0伏) (注5 )
( IS = 45 ADC , VGS = 0伏, TJ = 150 ° C)
VSD
TRR
ta
tb
QRR
1.01
0.92
56
30
26
0.09
1.15
C
VDC
ns
( VDD = 30 V直流, ID = 45的ADC ,
VGS = 5.0伏, RG = 9.1
)
(注5 )
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
QT
Q1
Q2
13
341
36
158
23
4.6
14.1
30
680
75
320
32
nC
ns
( VDS = 25 Vd的VGS = 0伏,
Vd
VDC ,
F = 1.0兆赫)
西塞
科斯
CRSS
1212
352
90
1700
480
180
pF
VGS ( TH)
1.0
RDS ( ON)
VDS (上)
政府飞行服务队
1.03
0.93
22.8
1.51
姆欧
23
28
VDC
1.8
4.7
2.0
VDC
毫伏/°C的
毫欧
V( BR ) DSS
60
IDSS
IGSS
1.0
10
±100
NADC
67
67.2
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
典型值
最大
单位
当表面安装用1“的焊盘尺寸, (铜区1.127平方英寸)的FR4电路板。
当表面安装到FR4电路板用最小建议焊盘尺寸, (铜区0.412平方英寸) 。
脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比
2%.
开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTP45N06L , NTB45N06L
80
ID ,漏极电流( AMPS )
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
VGS = 8 V
VGS = 9 V
2
VGS = 10 V
VGS = 5.5 V
VGS = 5V
VGS = 6 V
VGS = 7 V
VGS = 4.5 V
ID ,漏极电流( AMPS )
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.8
TJ = 100℃
TJ = -55°C
TJ = 25°C
VDS > = 10 V
VGS = 24 V
VGS = 3.5 V
3
4
2.6
3.4
4.2
5
5.8
VDS ,漏极至源极电压(伏)
VGS ,栅极至源极电压(伏)
图1.区域特征
RDS ( ON) ,漏极至源极电阻( Ω )
RDS ( ON) ,漏极至源极电阻( Ω )
图2.传输特性
0.046
VGS = 5V
0.042
0.038
0.034
0.03
0.026
0.022
TJ = -55°C
0.018
0.014
0
10
20
30
40
50
60
70
80
TJ = 25°C
TJ = 100℃
0.046
0.042
0.038
0.034
0.03
0.026
0.022
0.018
0
10
20
30
40
50
60
70
80
ID ,漏极电流( AMPS )
VGS = 10 V
VGS = 5V
ID ,漏极电流( AMPS )
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
RDS ( ON) ,漏极 - 源极电阻
(归一化)
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
–50 –25
10
0
25
50
75
100
125
150
175
10000
ID = 22.5
VGS = 5V
智能决策支持系统,漏电( NA)
1000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
VGS = 0 V
TJ = 150℃
TJ = 125°C
100
TJ = 100℃
0
10
20
30
40
50
60
TJ ,结温( ° C)
VDS ,漏极至源极电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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3
NTP45N06L , NTB45N06L
VGS ,栅极至源极电压(伏)
4000
3600
C,电容(pF )
3200
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
10
VDS = 0 V
西塞
CRSS
VGS = 0 V
TJ = 25°C
6
5
Q1
4
3
2
1
0
0
ID = 45一
TJ = 25°C
4
8
12
16
20
24
QT
Q2
VGS
西塞
科斯
CRSS
5 VGS VDS 0 5
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压
(伏)
QG ,总栅极电荷( NC)
图7.电容变化
1000
48
IS ,源电流(安培)
tr
tf
100
TD (关闭)
40
32
24
16
8
0
0.6
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
VGS = 0 V
TJ = 25°C
VDS = 30 V
ID = 45一
VGS = 5V
T, TIME ( NS )
TD (上)
10
1
10
RG ,栅极电阻( Ω )
100
0.64 0.68 0.72 0.76 0.8
0.84 0.88 0.92 0.96 1
VSD ,源 - 漏极电压(伏)
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
EAS ,单脉冲漏极 - 源
雪崩能量(兆焦耳)
1000
ID ,漏极电流( AMPS )
VGS = 15 V
单脉冲
TC = 25°C
280
240
200
160
120
80
40
0
25
图10.二极管的正向电压与电流
ID = 45一
100
dc
10
10毫秒
1毫秒
1
RDS ( ON)限制
热限制
套餐限制
100
s
0.1
0.10
1
10
100
50
75
100
125
150
175
VDS ,漏极至源极电压(伏)
TJ ,起动结温( ° C)
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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4
NTP45N06L , NTB45N06L
1
R(T ),有效瞬态热响应(标准化)
归至R
θJC
在稳定状态
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T,时间(S )
0.1
1
10
图13.热响应
10
R(T ),有效瞬态热阻(标准化)
归至R
θJA
在稳定状态下,
1 “方形铜垫,铜区1.127平方英寸,
3× 3英寸FR4板
1
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T,时间(S )
1
10
100
1000
图14.热响应
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5
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