【NSM80100MT1GPNP晶体管与双系列开关二极管特点这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合】,IC型号NSM80100MT1G,NSM80100MT1G PDF资料,NSM80100MT1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NSM80100MT1G

PNP晶体管与双

系列开关二极管

特点

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

典型应用

LCD控制板

高速开关

高压开关

最大额定值

PNP晶体管

等级

集热器

：辐射源

电压

集热器

： BASE

电压

辐射源

： BASE

电压

集电极电流

连续

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

价值

80

80

4.0

500

单位

VDC

VDC

VDC

MADC

http://onsemi.com

PNP晶体管，双系列

开关二极管

6

D1

5

4

D2

Q1

最大额定值

开关二极管

等级

反向电压

正向电流

非重复性峰值正向电流

（方波，T

J

= 25 ° C状态

浪涌）

吨< 1秒

t = 1

毫秒

工作和存储结

温度范围

符号

V

R

I

F

I

FSM

1.0

20

T

J

, T

英镑

55

+150

°C

价值

100

200

单位

V

mA

A

4

6 5

1 2

1

2

3

3

SC74

CASE 318F

应力超过那些在最大额定值表中列出可能会损坏

装置。如果有任何超出这些限制，设备的功能不应该

可能发生的假定，破坏和可靠性可能会受到影响。

标记图

ESD额定值

等级

静电放电

HBM

MM

类

3A

M4

价值

4000 V

≤

否则< 8000 V

否则> 400 V

3PN

M

G

3PN MG

G

热特性

等级

器件总功耗FR - 5局，

（注1 ） @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

从热阻

结到环境（注1 ）

器件总功耗FR- 5局

（注2 ）T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境（注2 ）

结存储

温度范围

1， FR - 5 = 650毫米

2

垫， 2.0盎司铜。

2， FR - 5 = 10毫米

2

垫， 2.0盎司铜。

半导体元件工业有限责任公司， 2013

=器件代码

=日期代码*

= Pb-Free包装

符号

P

D

最大

400

313

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

R

qJA

P

D

订购信息

设备

包

SC74

（无铅）

航运

3000 /

磁带&卷轴

270

463

55

+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

NSM80100MT1G

R

qJA

T

J

, T

英镑

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

2013年12月，

第3版

1

出版订单号：

NSM80100M/D

NSM80100MT1G

Q1 ： PNP晶体管

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集热器

：辐射源

击穿电压（注3 ）

辐射源

： BASE

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

收藏家Cuto FF电流

基本特征

（注3）

直流电流增益

集热器

：辐射源

饱和电压

BASE

：辐射源

饱和电压

小信号特性

当前

- 获得 -

带宽积（注4 ）

(I

C

=

100

毫安，V

CE

=

2.0

V，F = 100兆赫）

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

4. fT的被定义为频率在其中| H

fe

|推断团结。

f

T

150

兆赫

(I

C

=

10

毫安，V

CE

=

1.0

V)

(I

C

=

100

妈，我

B

=

10

毫安）

(I

C

=

100

毫安，V

CE

=

1.0

V)

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

120

0.25

1.2

V

V

(I

C

=

1.0

妈，我

B

= 0)

(I

E

=

100

毫安，

I

C

= 0)

(V

CE

=

60

V，I

B

= 0)

(V

CB

=

80

V，I

E

= 0)

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CES

I

CBO

80

4.0

0.1

0.1

V

V

mA

mA

符号

民

最大

单位

D1 ， D2 ：开关二极管

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

反向击穿电压

反向电压漏电流

V

（ BR ）

I

R

75

1.0

30

100

1.5

715

855

1000

1250

4.0

1.75

V

mA

符号

民

最大

单位

(V

R

= 75 V)

(V

R

= 20 V ，T

J

= 150°C)

(V

R

= 75 V ，T

J

= 150°C)

(V

R

= 0 V ， F = 1.0兆赫）

(I

F

= 1.0 mA）的

(I

F

= 10 mA）的

(I

F

= 50 mA）的

(I

F

= 150 mA）的

(I

F

= I

R

= 10 mA时，我

R（ REC ）

= 1.0毫安，R

L

= 100

W)

(I

F

= 10毫安，T

r

= 20纳秒）

二极管电容

正向电压

C

D

V

F

pF

mV

反向恢复时间

正向恢复电压

t

rr

V

FR

ns

V

产品性能参数显示在电气特性列出的测试条件下，除非另有说明。产品

性能可能无法通过电气特性来表示，如果在不同条件下操作。

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2

NSM80100MT1G

典型特征

F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）

200

V

CE

= -2.0 V

T

J

= 25°C

C，电容（pF ）

100

70

50

100

70

50

30

20

C

IBO

T

J

= 25°C

10

7.0

30

20

-2.0 -3.0

5.0

-0.1 -0.2

C

敖包

图1.电流增益 - 带宽积

-5.0 -7.0 -10

-20 -30 -50 -70 -100

I

C

，集电极电流（毫安）

-200

-0.5 -1.0 -2.0

-5.0 -10 -20

V

R

，反向电压（伏）

-50 -100

图2.电容

1.0 k

700

500

300

T， TIME （ NS ）

200

100

70

50

30

20

V

CC

= -40 V

I

C

/I

B

= 10

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

400

T

J

= 125°C

t

s

^ h FE ， DC电流增益

200

25°C

-55°C

100

80

60

40

-0.5 -1.0 -2.0

V

CE

= -1.0 V

t

f

t

d

@ V

BE （OFF）的

= -0.5 V

t

r

-500

-5.0 -10 -20

-50 -100 -200

I

C

，集电极电流（毫安）

-500

10

-5.0 -7.0 -10

-20 -30

-50 -70 -100

-200 -300

I

C

，集电极电流（毫安）

图3.开关时间

图4.直流电流增益

1

V

CE （ SAT ）

，集电极 - 发射极

饱和电压（ V）

I

C

/I

B

= 10

V

BE （ SAT ）

，基极 - 发射

饱和电压（ V）

150°C

25°C

55°C

0.1

1.1

1.0

0.9

0.8

55°C

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

150°C

25°C

I

C

/I

B

= 10

0.01

0.001

0.01

0.1

1

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ A）

I

C

，集电极电流（ A）

图5.集电极发射极饱和电压

与集电极电流

图6.基极发射极饱和电压与

集电极电流

http://onsemi.com

3

NSM80100MT1G

典型特征

V

BE（上）

，基极发射极电压（V）的

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

150°C

55°C

25°C

V

CE

= 1 V

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

-1.0

T

J

= 25°C

-0.8

I

C

=

-50毫安

-0.6

I

C

=

-100毫安

I

C

=

-250毫安

I

C

=

-500毫安

-0.4

I

C

=

-10毫安

-0.2

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

0

-0.05 -0.1 -0.2

-0.5

-1.0

-2.0

-5.0

-10

-20

-50

I

C

，集电极电流（ A）

I

B

，基极电流（毫安）

图7.基极发射极电压与集电极

当前

-0.8

I

C

，集电极电流（ A）

1

图8.集电极饱和区

R

q

VB ，温度系数（毫伏/

°

C)

1S

100毫秒

0.1

10毫秒

1毫秒

-1.2

-1.6

R

QVB

对于V

BE

-2.0

热限制

0.01

-2.4

-2.8

-0.5 -1.0 -2.0

0.001

-5.0

-10

-20

-50

-100 -200

-500

I

C

，集电极电流（毫安）

0.1

1

10

100

V

CE

，集电极 - 发射极电压（ V）

图9.基射极温度

系数

图10.安全工作区

400

P

D

，功耗（毫瓦）

300

200

100

0

0

20

40

60

80

100

120

140

160

温度（℃）

图11.工作温度降额

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4

NSM80100MT1G

典型特征

1000

I

F

，正向电流（mA ）

I

R

，反向电流（毫安）

100

10

1.0

0.1

0.01

0.001

T

A

= 150°C

T

A

= 125°C

T

A

= 85°C

T

A

= 55°C

100

T

A

= 125°C

10

T

A

= 85°C

T

A

= 55°C

1

T

A

= 25°C

T

A

= 150°C

T

A

=

40°C

0.1

T

A

=

55°C

0

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2

V

F

，正向电压（ V）

T

A

= 25°C

0

10

20

30

40

50

60

70

V

R

，反向电压（V）的

图12.正向电压

0.61

V

R

，采用直流反接电压（ V）

C

d

，二极管电容（PF ）

0.59

0.57

0.55

0.53

0.51

0.49

0.47

0.45

0

1

2

3

4

5

6

7

8

100

图13.漏电流

75

50

25

0

0

25

50

75

100

125

150

175

V

R

，反向电压（V）的

T

A

，降额使用环境温度（ ° C）

图14.电容

图15.二极管功耗曲线

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5

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联系人：雷小姐

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2024+

9675

SOT-23

优势现货，全新原装进口

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ON

1820

8867

HF

公司现货！欢迎咨询。假一赔百支持发货。

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地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★

NSM80100MT1G

ON

24+

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SOT163

100%原装正品，只做原装正品

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联系人：林

地址：广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室

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12000

原厂封装

原装现货可含税

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联系人：柯

地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室本公司可以开13%增值税发票以及3%普通发票！！

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联系人：李先生

地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

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电话：0755-89697985

联系人：李

地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822

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原厂一级代理，原装现货

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电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

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21+22+

12600

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ON

13+

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