【NTB25P06功率MOSFET-60 V， -27.5 A，P通道D2PAK设计用于低电压，高速开】,IC型号NTB25P06,NTB25P06 PDF资料,NTB25P06经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTB25P06

功率MOSFET

-60 V， -27.5 A，P通道D

2

PAK

设计用于低电压，高速开关应用，并

在雪崩和减刑模式下承受较高的能量。

特点

无铅包可用

典型应用

V

（ BR ） DSS

60 V

http://onsemi.com

R

DS （ ON）

典型值

65毫瓦@ -10 V

I

D

最大

27.5 A

PWM电机控制

电源

转换器

桥电路

P- CHANNEL

D

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

- 连续

- 不重复（T

p

v10

女士）

漏电流

- 连续@ T

A

= 25°C

- 单脉冲（T

p

v10

女士）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

工作和存储

温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 25 V, V

GS

= 10 V,

I

L（ PK）

= 20 A，L = 3 mH的，R

G

= 25

W)

热阻

- 结到外壳

- 结到环境（注1 ）

- 结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的（ 1/8“从案例10秒）

符号

V

DSS

V

GS

V

GSM

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

E

AS

价值

60

"15

"20

27.5

80

120

-55

+175

600

单位

V

VPK

4

A

APK

W

°C

mJ

1

2

3

D

2

PAK

CASE 418B

方式2

NTB25P06

YWW

G

S

标记图

＆放大器;引脚分配

漏

门

来源

° C / W

R

QJC

R

qJA

R

qJA

T

L

1.25

46.8

63.2

260

°C

NTB25P06 =器件代码

Y

=年

WW

=工作周

订购信息

设备

NTB25P06

NTB25P06G

NTB25P06T4

NTB25P06T4G

包

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

航运

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.当表面安装用1 “垫尺寸为FR4板

在（铜面积1.127

2

).

2.表面安装用最小的FR4板推荐

焊盘尺寸（以铜区0.412

2

).

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年8月 - 第2版

出版订单号：

NTB25P06/D

NTB25P06

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

毫安）

（正温度系数）

零栅极电压漏极电流

(V

GS

= 0 V, V

DS

= -60 V，T

J

= 25°C)

(V

GS

= 0 V, V

DS

= -60 V，，T

J

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

GS

=

±

15 V, V

DS

= 0 V)

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS ，

I

D

= 250

毫安）

（阈值负温度系数）

静态漏源导通电阻

(V

GS

= -10 V，I

D

= 12.5 A)

(V

GS

= -10 V，I

D

= 25 A)

正向跨导

(V

DS

= -10 V，I

D

= 12.5 A)

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

（注3 & 4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

DS

= -48 V，I

D

= 25 A,

V

GS

= 10 V)

体漏二极管额定值

（注3）

二极管正向导通电压

反向恢复时间

(I

S

= -25 A，V

GS

= 0 V,

dI

S

/ DT = 100 A / MS）

反向恢复电荷存储

(I

S

= -25 A，V

GS

= 0 V)

(I

S

= -25 A，V

GS

= 0 V ，T

J

= 150°C)

V

SD

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

3.表示脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

1.8

1.4

70

50

20

0.2

2.5

mC

V

ns

(V

DD

= -30 V，I

D

= 25 A,

V

GS

= -10 V R

G

= 9.1

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

1

Q

2

14

72

43

190

33

6.5

15

24

118

68

320

50

ns

nC

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

1200

345

90

1680

480

180

pF

V

GS （ TH）

2.0

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

13

0.065

0.070

0.075

0.082

姆欧

2.8

6.2

4.0

V

毫伏/°C的

W

V

（ BR ） DSS

60

I

DSS

I

GSS

10

100

±100

nA

64

V

毫伏/°C的

mA

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

2

NTB25P06

50

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

2

4

6

8

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

10

5.5 V

5 V

4.5 V

4.2 V

6 V

V

GS

= 10 V

9 V

8 V

T

J

= 25°C

7 V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

50

V

DS

≥

10 V

T

J

= 25°C

40

30

T

J

= 55°C

T

J

= 125°C

20

10

0

2

4

6

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

8

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.2

V

GS

= 10 V

0.15

T

J

= 125°C

0.1

T

J

= 25°C

0.05

T

J

= 55°C

0.095

T

J

= 25°C

0.085

V

GS

= 10 V

0.075

V

GS

= 15 V

0

10

20

30

40

50

0.065

10

20

30

40

50

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流和

温度

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

1.75

I

D

= 25 A

V

GS

= 10 V

1.5

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

T

J

= 150°C

1.25

1

100

T

J

= 125°C

0.75

10

25

0

25

50

75

100

125

150

0

10

20

30

40

50

60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

0.5

50

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTB25P06

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

3000

2500

C，电容（pF ）

2000

1500

1000

500

V

DS

= 0 V

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

10

V

DS

8

Q

1

6

Q

2

Q

T

V

GS

C

RSS

C

国际空间站

4

C

OSS

C

RSS

2

I

D

= 25 A

T

J

= 25°C

0

4

10

15

20

25

30

35

0

10

5 V

GS

0 V

DS

5

0

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

10

15

20

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（安培）

25

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

20

t

r

T， TIME （ NS ）

100

t

f

t

D（关闭）

10

t

D（上）

V

DD

= 30 V

I

D

= 25 A

V

GS

= 10 V

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

15

10

5

0

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5

1.75

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

100

E

AS

，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

600

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 25 A

500

400

300

200

100

0

25

10

dc

10毫秒

1毫秒

1

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

1

100

ms

0.1

10

100

50

75

100

125

150

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

http://onsemi.com

4

NTB25P06

包装尺寸

D

2

PAK

CASE 418B -04

ISSUE

C

E

B

4

V

W

注意事项：

1.尺寸和公差

符合ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3. 418B -01 THRU 418B -03过时了，

新标准418B -04 。

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

P

R

S

V

英寸

民

最大

0.340 0.380

0.380 0.405

0.160 0.190

0.020 0.035

0.045 0.055

0.310 0.350

0.100 BSC

0.080

0.110

0.018 0.025

0.090

0.110

0.052 0.072

0.280 0.320

0.197 REF

0.079 REF

0.039 REF

0.575 0.625

0.045 0.055

门

漏

来源

漏

MILLIMETERS

民

最大

8.64

9.65

9.65 10.29

4.06

4.83

0.51

0.89

1.14

1.40

7.87

8.89

2.54 BSC

2.03

2.79

0.46

0.64

2.29

2.79

1.32

1.83

7.11

8.13

5.00 REF

2.00 REF

0.99 REF

14.60 15.88

1.14

1.40

A

1

2

3

S

T

座位

飞机

K

G

D

H

3 PL

M

W

J

0.13 (0.005)

变量

CON组fi guration

区

L

M

T B

M

R

N

U

L

M

P

L

方式2 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

F

VIEW的W-W

1

F

VIEW的W-W

2

F

VIEW的W-W

3

焊接足迹*

8.38

0.33

10.66

0.42

1.016

0.04

5.08

0.20

3.05

0.12

17.02

0.67

尺度3:1

mm

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

http://onsemi.com

5

NTB25P06

功率MOSFET

-60 V， -27.5 A，P通道D

2

PAK

设计用于低电压，高速开关应用，并

在雪崩和减刑模式下承受较高的能量。

特点

无铅包可用

典型应用

V

（ BR ） DSS

60 V

http://onsemi.com

R

DS （ ON）

典型值

65毫瓦@ -10 V

I

D

最大

27.5 A

PWM电机控制

电源

转换器

桥电路

P- CHANNEL

D

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

- 连续

- 不重复（T

p

v10

女士）

漏电流

- 连续@ T

A

= 25°C

- 单脉冲（T

p

v10

女士）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

工作和存储

温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 25 V, V

GS

= 10 V,

I

L（ PK）

= 20 A，L = 3 mH的，R

G

= 25

W)

热阻

- 结到外壳

- 结到环境（注1 ）

- 结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的（ 1/8“从案例10秒）

符号

V

DSS

V

GS

V

GSM

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

E

AS

价值

60

"15

"20

27.5

80

120

-55

+175

600

单位

V

VPK

4

A

APK

W

°C

mJ

1

2

3

D

2

PAK

CASE 418B

方式2

NTB25P06

YWW

G

S

标记图

＆放大器;引脚分配

漏

门

来源

° C / W

R

QJC

R

qJA

R

qJA

T

L

1.25

46.8

63.2

260

°C

NTB25P06 =器件代码

Y

=年

WW

=工作周

订购信息

设备

NTB25P06

NTB25P06G

NTB25P06T4

NTB25P06T4G

包

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

航运

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.当表面安装用1 “垫尺寸为FR4板

在（铜面积1.127

2

).

2.表面安装用最小的FR4板推荐

焊盘尺寸（以铜区0.412

2

).

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年8月 - 第2版

出版订单号：

NTB25P06/D

NTB25P06

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250

毫安）

（正温度系数）

零栅极电压漏极电流

(V

GS

= 0 V, V

DS

= -60 V，T

J

= 25°C)

(V

GS

= 0 V, V

DS

= -60 V，，T

J

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

GS

=

±

15 V, V

DS

= 0 V)

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS ，

I

D

= 250

毫安）

（阈值负温度系数）

静态漏源导通电阻

(V

GS

= -10 V，I

D

= 12.5 A)

(V

GS

= -10 V，I

D

= 25 A)

正向跨导

(V

DS

= -10 V，I

D

= 12.5 A)

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

（注3 & 4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

DS

= -48 V，I

D

= 25 A,

V

GS

= 10 V)

体漏二极管额定值

（注3）

二极管正向导通电压

反向恢复时间

(I

S

= -25 A，V

GS

= 0 V,

dI

S

/ DT = 100 A / MS）

反向恢复电荷存储

(I

S

= -25 A，V

GS

= 0 V)

(I

S

= -25 A，V

GS

= 0 V ，T

J

= 150°C)

V

SD

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

3.表示脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

1.8

1.4

70

50

20

0.2

2.5

mC

V

ns

(V

DD

= -30 V，I

D

= 25 A,

V

GS

= -10 V R

G

= 9.1

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

1

Q

2

14

72

43

190

33

6.5

15

24

118

68

320

50

ns

nC

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

1200

345

90

1680

480

180

pF

V

GS （ TH）

2.0

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

13

0.065

0.070

0.075

0.082

姆欧

2.8

6.2

4.0

V

毫伏/°C的

W

V

（ BR ） DSS

60

I

DSS

I

GSS

10

100

±100

nA

64

V

毫伏/°C的

mA

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

2

NTB25P06

50

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

2

4

6

8

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

10

5.5 V

5 V

4.5 V

4.2 V

6 V

V

GS

= 10 V

9 V

8 V

T

J

= 25°C

7 V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

50

V

DS

≥

10 V

T

J

= 25°C

40

30

T

J

= 55°C

T

J

= 125°C

20

10

0

2

4

6

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

8

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.2

V

GS

= 10 V

0.15

T

J

= 125°C

0.1

T

J

= 25°C

0.05

T

J

= 55°C

0.095

T

J

= 25°C

0.085

V

GS

= 10 V

0.075

V

GS

= 15 V

0

10

20

30

40

50

0.065

10

20

30

40

50

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流和

温度

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

1.75

I

D

= 25 A

V

GS

= 10 V

1.5

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

T

J

= 150°C

1.25

1

100

T

J

= 125°C

0.75

10

25

0

25

50

75

100

125

150

0

10

20

30

40

50

60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

0.5

50

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTB25P06

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

3000

2500

C，电容（pF ）

2000

1500

1000

500

V

DS

= 0 V

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

10

V

DS

8

Q

1

6

Q

2

Q

T

V

GS

C

RSS

C

国际空间站

4

C

OSS

C

RSS

2

I

D

= 25 A

T

J

= 25°C

0

4

10

15

20

25

30

35

0

10

5 V

GS

0 V

DS

5

0

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

10

15

20

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（安培）

25

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

20

t

r

T， TIME （ NS ）

100

t

f

t

D（关闭）

10

t

D（上）

V

DD

= 30 V

I

D

= 25 A

V

GS

= 10 V

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

15

10

5

0

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5

1.75

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

100

E

AS

，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

600

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 25 A

500

400

300

200

100

0

25

10

dc

10毫秒

1毫秒

1

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

1

100

ms

0.1

10

100

50

75

100

125

150

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

http://onsemi.com

4

NTB25P06

包装尺寸

D

2

PAK

CASE 418B -04

ISSUE

C

E

B

4

V

W

注意事项：

1.尺寸和公差

符合ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3. 418B -01 THRU 418B -03过时了，

新标准418B -04 。

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

P

R

S

V

英寸

民

最大

0.340 0.380

0.380 0.405

0.160 0.190

0.020 0.035

0.045 0.055

0.310 0.350

0.100 BSC

0.080

0.110

0.018 0.025

0.090

0.110

0.052 0.072

0.280 0.320

0.197 REF

0.079 REF

0.039 REF

0.575 0.625

0.045 0.055

门

漏

来源

漏

MILLIMETERS

民

最大

8.64

9.65

9.65 10.29

4.06

4.83

0.51

0.89

1.14

1.40

7.87

8.89

2.54 BSC

2.03

2.79

0.46

0.64

2.29

2.79

1.32

1.83

7.11

8.13

5.00 REF

2.00 REF

0.99 REF

14.60 15.88

1.14

1.40

A

1

2

3

S

T

座位

飞机

K

G

D

H

3 PL

M

W

J

0.13 (0.005)

变量

CON组fi guration

区

L

M

T B

M

R

N

U

L

M

P

L

方式2 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

F

VIEW的W-W

1

F

VIEW的W-W

2

F

VIEW的W-W

3

焊接足迹*

8.38

0.33

10.66

0.42

1.016

0.04

5.08

0.20

3.05

0.12

17.02

0.67

尺度3:1

mm

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

http://onsemi.com

5