NCP5228
超前信息
同步降压控制器
有自动省电
模式和内置LDO
NCP5228是用于优化的双同步降压控制器
将电池电压转换器或适配器电压分成多个功率
导轨需要在台式机和笔记本电脑系统。 NCP5228包含
与通道2固定的5.0 V输出两路降压开关控制器,
3.3 V通道1和两个板载LDO,具有三路输出: 5V /
60毫安和3.3 V或12 V / 10 mA的电流。 NCP5228支持高效率,
快速瞬态响应和提供电源良好信号。 ON
安森美半导体专有的自适应脉冲控制实现无缝
转变从CCM到DCM ,在转换运行在减少
的开关频率在轻负载高得多的效率。该
器件的工作电源电压范围为5.5 V至28 V.
NCP5228是采用28引脚QFN封装。
特点
http://onsemi.com
记号
图
1
28引脚QFN封装, 4×4
MN后缀
CASE 485AR
NCP5228
ALYWG
G
GH2
BST2
SWN2
GL2
PGND2
CSP2
CSN2
28
1
5V_LDOBYP
5V_LDOOUT
5V_LDOEN
SKIP
LDO2_EN
LDO2_OUT
VIN
GND
GH1
BST1
SWN1
GL1/FSET
PGND1
CSP1
CSN1
宽输入电压范围: 5.5 V至28 V
内置500 V / 60毫安LDO
内置可选的3.3 V或12 V / 10毫安LDO
三种可选的固定频率300千赫, 400千赫或600千赫
180间插操作的两个通道中
继续导通模式( CCM)的
选择的省电模式/强制PWM模式
瞬态响应增强( TRE )控制
输入电源电压前馈控制
电阻或无损电感的DCR电流检测
超温保护
内部固定的13 ms软启动
固定输出电压5 V和3.3 V
电源良好输出两个通道
内置自适应栅极驱动器
输出放电操作
内置过压,欠压保护
精确的过电流保护
热关断
这是一个Pb - Free设备
NCP5228 =具体设备守则
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
引脚连接
订购信息
设备
NCP5228MNTWG
包
QFN28
(无铅)
航运
4,000 /
磁带&卷轴
应用
台式机/笔记本电脑
系统电源
I / O电源
本文件包含的新产品信息。规格及信息
本文如有更改,恕不另行通知。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2013
十月, 2013
牧师P6
1
FB2
COMP2
EN2/SS2
PG
EN1/SS1
COMP1
FB1
( TOP VIEW )
出版订单号:
NCP5228/D
NCP5228
表1.引脚说明
针
号
1, 21
2, 20
3, 19
4
18
5, 17
6, 16
7, 15
8, 14
9, 13
10, 12
11
22
23
24
符号
GH1 , GH2
BST1 , BST2
SWN1 , SWN2
GL2
GL1/FSET
PGND1 , PGND2
CSP1 , CSP2
CSN1 , CSN2
FB1 , FB2
COMP1 , COMP2
EN1 , EN2
PG
VIN
LDO2_OUT
LDO2_EN
描述
顶端的N沟道MOSFET的栅极驱动器输出。
顶部栅极驱动器的输入电源, SWNx与该引脚之间的自举电容连接。
高端MOSFET和底部MOSFET的开关节点。
在通道2底部的N沟道MOSFET栅极驱动器输出。
在通道1底部的N沟道MOSFET栅极驱动器输出。而且它也可以用来建立交换
频率从这个引脚到地连接一个电阻。
电源接地通道1 & 2 。
电感电流差动读出的非反相输入端。
电感电流差动读出反相输入端。
输出电压反馈。
输出误差放大器洱。
通道1和通道2的使能引脚。总之这个引脚接地禁用切换通道。把这
引脚为高电平,使切换信道。
电源良好指示器两个输出电压。漏极开路输出。
电池或适配器输入电压
第二个内部LDO输出。最低1.0电容器
mF
建议在此之间的连接
引脚和地。
启用第二个内部LDO
领带VCC设置LDO2输出12 V
配合1 / 2VCC设置LDO2输出电压为3.3 V
配合地禁用LDO2
DCM编程引脚:
地将此引脚设置自动CCM -DCM转移与33 kHz最小开关
频率限制;
该引脚连接到VCC来强制CCM操作;
离开这个引脚开路给自动CCM -DCM转移与33 kHz最小开关
频率为信道1,但强制CCM为信道2 。
启用内部5 V LDO 。
输出内部5 V LDO 。最低4.7电容器
mF
建议之间连接
该引脚与地之间。它作为内部偏置电压(V
CC
)和栅极驱动电压。
5 V LDO旁路引脚。
GND 。
25
SKIP
26
27
28
5V_LDOEN
5V_LDOOUT
5V_LDOBYP
E-垫
http://onsemi.com
3
NCP5228
5V_LDO
10 K
EN5
SKIP
LDO2_OUT
(3.3 V)
VIN
10 K
VOUT1
5V_LDOOUT
5V_LDOBYP
LDO2_OUT
5V_LDOEN
LDO2_EN
22
mFx2
VIN
21
20
19
GH1
BST1
SWN1
GL1/FSET
PGND1
0.1
mF
3.3
mH
Vout1
3.3 V / 6.0
18
17
16 CSP1
CSN1
15
FB1
Vout2
5.0 V / 6.0 V
GH2
BST2 1
0.1
mF
2
SWN2
3
GL2
4
PGND2
5
CSP2
6
CSN2
7
28
27
26 25 24 23 22
AGND
8
FB2
9
COMP2
10 11 12 13 14
EN2/SS2
EN1/SS1
COMP1
4
图2.应用电路
表2.绝对最大额定值
(注1 )
V
IN
到GND , 5V_LDOEN到GND
SWN1 , SWN2到GND
BST1 , BST2至GND
GH1 , GH2到GND
PGND1 , PGND2
所有其他引脚
工作温度范围,T
A
结温,T
J
存储温度范围,T
S
PKG功率耗散(T
A
= + 25°C ) ,磷
D
(注2 )
0.3
V( DC)至28 V
1.0
V对于T < 100 n的
0.6
V到28 V ,
10.0
V对于T < 20纳秒
0.6
V到34 V
0.6
V到34 V ,
5.0
V对于T < 100纳秒
0.3
V到0.3 V
0.3
V到6.0 V,
1.0
V对于T < 100纳秒
0 ° C至+ 85°C
40°C
至+ 150°C
55°C
至+ 150°C
2.45 W(最大值)
R
qJA
= 51C / W
R
QJ-铅
= 26 ° C / W
R
QJ- BoardTop
= 3.2 ° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.操作时
40°C
至0℃,保证了设计,不生产测试。
2.这些数据是基于JEDEC JESD51.7高导电性的PCB多层电路板( 2个电源和/或2接地平面76毫米X 76毫米
每次1盎司) 20散热通孔连接。 100平方毫米的铜散热器, 2盎司
http://onsemi.com
PG
SKIP
NCP5228
表3.电气特性
参数
电源
输入电源电压
内部LDO输出
5V_LDOOUT电压
5V_LDOOUT电流
5V_LDO切换到旁路门限
5V_LDOOUT到5V_LDOBYP阻抗
迟滞
LDO2_OUT电压
LDO2_EN = VCC , VIN = 15 V ,
负载电流= 10毫安
LDO2_EN = 1/2 VCC , VIN = 15 V ,
负载电流= 10毫安
LDO2_OUT电流
电源电流
BSTX静态电流
BSTX关断电源电流
VIN引脚的电源电流
关断电流
I
VIN_SD
I
BST
I
BST_SD
V
FB
= 1.5 V, EN = 5.0
(无转换) , GH和GL开放
EN = 0 , BST = 5 V , SWN = 0
ILOAD = 0
EN1 , EN2 , LDOEN , LDO2_EN = 0
EN1 , EN2 , LDOEN = 5 V ,
LDO2_EN = 5 V
EN1 , EN2 = 0 , LDOEN = 5 V ,
LDO2_EN = 2.5 V
EN1 , EN2 = 0 , LDOEN = 5 V ,
LDO2_EN =
0
振荡器
振荡器频率
FSW
RSET = 1.8
RSET = 9.1
RSET = 16 Kb
振荡器频率精度
误差放大器器
开环DC增益(注3 )
开环单位增益带宽(注3 )
开环相位裕度(注3 )
输入偏置电流(注3 )
输入失调电压(注3 )
压摆率
最大输出电压
最小输出电压
输出源电流
输出灌电流
3.设计保证
4.这些参数的设计而已,不是产品的测试。
V+ = V = 0.8 V
COMP引脚与GND = 10 pF的
对超速10 mV时,我
来源
= 2.0毫安
对超速10 mV时,我
SINK
= 2.0毫安
超速,V为10 mV
OUT
= 3.5 V
超速,V为10 mV
OUT
= 1.0 V
2.0
2.0
3.3
0.3
F
0dB,EA
80
10
60
200
1.0
2.5
200
1.0
15
dB
兆赫
度
nA
mV
V / ms的
V
V
mA
mA
270
340
540
300
400
600
330
460
660
±10
千赫
千赫
千赫
%
2.0
5.0
1.15
1.57
1.11
0.3
6.0
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
LDOBYP = 5 V
100
11.4
3.20
10
VIN = 12 V,I
5V_LDOOUT
= 60毫安
VIN = 12V, EN1 = EN2 = 0
4.75
1.0
200
12.0
3.33
15
12.6
3.46
4.9
5.0
100
4.95
5.15
V
mA
V
W
mV
V
V
mA
VIN
5.5
28
V
(V
IN
= 12 V ,输出电压= 5.0 V ,T
A
= + 25°C典型值; 0 ℃的<牛逼
A
< 85 ℃,最大/最小值,除非另有说明)
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
5