【NTB23N03R功率MOSFET23安培， 25伏N沟2PAK在专为低电压，高速开关应用电源，转换】,IC型号NTB23N03R,NTB23N03R PDF资料,NTB23N03R经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTB23N03R

功率MOSFET

23安培， 25伏

N沟

2

PAK

在专为低电压，高速开关应用

电源，转换器和功率电机控制和桥

电路。

特点

http://onsemi.com

无铅包可用

典型应用

23安培， 25伏

R

DS （ ON）

= 32毫瓦（典型值）

N沟道

D

平面HD3e工艺的快速开关性能

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低C

国际空间站

以最小化驱动程序丢失

低栅电荷

优化的高边开关要求

高效率DC -DC转换器

G

S

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

漏电流

- 连续@ T

A

= 25°C ，受限于芯片

- 连续@ T

A

= 25 ℃，包装有限公司

- 单脉冲（T

p

= 10

女士）

总功率耗散@ T

A

= 25°C

工作和存储温度范围

热电阻 - 结到外壳

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

R

QJC

T

L

价值

25

±20

23

6.0

60

37.5

-55

150

3.3

260

W

°C

° C / W

°C

单位

VDC

VDC

A

1

2

3

D

2

PAK

CASE 418B

方式2

T23N03

A

Y

WW

G

1

门

4

4漏

T23

N03G

AYWW

2

漏

3

来源

标记图

＆放大器;引脚分配

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

=具体设备守则

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年8月 - 第2版

出版订单号：

NTB23N03R/D

NTB23N03R

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注1 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏）

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

门体漏电流

(V

GS

=

±20

VDC ，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注1 ）

栅极阈值电压（注1 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注1 ）

(V

GS

= 4.5伏，我

D

= 6 ADC）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 6 ADC）

正向跨导（注1 ）

(V

DS

= 10 VDC ，我

D

= 6 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

GS

= 4.5伏，我

D

= 6 ADC ，

V

DS

= 10 VDC ）（注1 ）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 6 ADC ，V

GS

= 0伏）（注1 ）

(I

S

= 6 ADC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 125°C)

V

SD

t

rr

(I

S

= 6 ADC ，V

GS

= 0伏，

dI

S

/ DT = 100 A / MS）（注1 ）

反向恢复电荷存储

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

2.开关特性是独立的工作结点温度。

t

a

t

b

Q

RR

0.87

0.74

8.7

5.2

3.5

0.003

1.2

mC

ns

VDC

(V

GS

= 10 VDC ，V

DD

= 10 VDC ，

I

D

= 6 ADC ，R

G

= 3

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

1

Q

2

2.0

14.9

9.9

2.0

3.76

1.7

1.6

nC

ns

(V

DS

= 20伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

225

108

48

pF

V

GS （ TH）

1.0

R

DS （ ON）

g

FS

14

50.3

32.3

60

45

姆欧

1.8

2.0

VDC

毫伏/°C的

mW

V（ BR ）

DSS

25

I

DSS

I

GSS

1.0

10

±100

NADC

28

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

订购信息

设备

NTB23N03R

NTB23N03RG

NTB23N03RT4

NTB23N03RT4G

包

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

D

2

PAK

D

2

PAK

（无铅）

航运

50单位/铁

50单位/铁

800单位/磁带&卷轴

800单位/磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

NTB23N03R

20

10 V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

16

4.5 V

8V

6V

5V

12

20

4V

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

V

DS

≥

10 V

16

3.5 V

12

8

3V

4

V

GS

= 2.5 V

0

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

8

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

0

1

2

3

T

J

= 55°C

4

5

6

4

0

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.20

V

GS

= 10 V

0.16

0.20

V

GS

= 4.5 V

0.16

0.12

0.12

T

J

= 125°C

0.08

T

J

= 25°C

0.04

0

0

4

8

12

16

20

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

T

J

= 55°C

0.08

T

J

= 125°C

0.04

0

0

4

8

12

16

20

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

图3.导通电阻与漏电流

和温度

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

50

10

25

0

25

50

75

100

125

150

I

D

= 6 A

V

GS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

10,000

图4.导通电阻与漏电流

和温度

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

100

T

J

= 125°C

0

5

10

15

20

25

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTB23N03R

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

400

V

DS

= 0 V V

GS

= 0 V

C

国际空间站

C，电容（pF ）

300

C

RSS

200

T

J

= 25°C

8

V

GS

6

Q

T

4

Q

2

C

国际空间站

Q

1

C

OSS

100

C

RSS

0

10

5

V

GS

0 V

DS

5

10

15

20

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

2

I

D

= 6 A

T

J

= 25°C

0

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

100

I

S

，源电流（安培）

V

DS

= 10 V

I

D

= 6 A

V

GS

= 10 V

T， TIME （ NS ）

10

V

GS

= 0 V

8

t

r

10

t

D（关闭）

6

4

T

J

= 150°C

2

T

J

= 25°C

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

t

D（上）

t

f

1

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与

当前

http://onsemi.com

4

NTB23N03R

包装尺寸

D

2

PAK

CASE 418AA -01

发行

注意事项：

1.尺寸和公差

符合ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

英寸

民

最大

0.340 0.380

0.380 0.405

0.160 0.190

0.020 0.036

0.045 0.055

0.310

0.100 BSC

0.018 0.025

0.090

0.110

0.280

0.575 0.625

0.045 0.055

门

漏

来源

漏

MILLIMETERS

民

最大

8.64

9.65

9.65 10.29

4.06

4.83

0.51

0.92

1.14

1.40

7.87

2.54 BSC

0.46

0.64

2.29

2.79

7.11

14.60 15.88

1.14

1.40

C

E

B

4

V

W

A

1

2

3

S

T

座位

飞机

K

G

D

3 PL

M

W

J

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

J

K

M

S

V

0.13 (0.005)

变量

CON组fi guration

区

T B

M

方式2 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

U

M

M

M

F

VIEW的W-W

1

F

VIEW的W-W

2

F

VIEW的W-W

3

焊接足迹*

8.38

0.33

10.66

0.42

1.016

0.04

5.08

0.20

3.05

0.12

17.02

0.67

尺度3:1

mm

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

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5

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数量

封装

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联系人：连

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NTB23N03R

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

NTB23N03R

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市向鸿伟业电子有限公司

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电话：0755-82561519

联系人：李先生

地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

NTB23N03R

ONS

2413+

12000

D2PAK

原装正品假一罚百/门市现货一只起售

深圳市源丰诚电子科技有限公司

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电话：0755-23919407

联系人：朱先生

地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518

NTB23N03R

ON

17+

4550

D2PAK

进口全新原装现货

深圳市芯泽盛世科技有限公司

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电话：0755-89697985

联系人：李

地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822

NTB23N03R

onsemi

24+

10000

D2PAK

原厂一级代理，原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

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QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

NTB23N03R

ON/安森美

2443+

23000

SOT-263

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

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电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

NTB23N03R

ON/安森美

24+

12300

SO-263

全新原装现货，原厂代理。

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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QQ：1002316308 复制

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QQ：515102657 复制

电话：0755-83777708/83777607/82799993

联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

NTB23N03R

ON

25+23+

25500

D2PRK

绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!

深圳市正信鑫科技有限公司

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QQ：1686616797 复制

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电话：0755-22655674/15099917285

联系人：小邹

地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室

NTB23N03R

ＯＮ

22+

8250

原厂封装

原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈

深圳市世品佳电子有限公司

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QQ：296271020 复制

电话：0755-/83218466/83200833

联系人：销售部

地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402

NTB23N03R

ON Semiconductor

24+

22000

250￥/片,原装正品假一赔百！

深圳市金亿泰电子有限公司

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QQ：247773782 复制

电话：755-83252273

联系人：郑

地址：中航路新亚洲二期N3D039

NTB23N03R

ON

24+

90000

D2PAK

绝对全新原装/自己库存现货

深圳和润天下电子科技有限公司

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QQ：1139848500 复制

电话：0755-83798683

联系人：许先生

地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室

NTB23N03R

ON/安森美

22+

100368

D2PAK

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