NLU1GT125
非反相三态
缓冲器， TTL电平
LSTTL兼容输入
该NLU1GT125 MiniGatet是一种先进的CMOS高速
在超小尺寸的非反相缓冲器。
该NLU1GT125需要三态控制输入OE进行设置
高以放置在高阻抗状态的输出。
该器件的输入与TTL型输入阈值和兼容
输出有一个完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。
该NLU1GT125输入和输出结构提供保护
当被应用，而不管电源的电压高达7.0 V
电压。
特点
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记号
图表
UDFN6
MU后缀
CASE 517AA
1
ULLGA6
1.0 x 1.0
CASE 613AD
7M
高速：吨
PD
= 3.8纳秒（典型值） @ V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 1
mA
（最大）在T
A
= 25°C
TTL兼容输入： V
IL
= 0.8 V; V
IH
= 2.0 V
CMOS兼容的输出：
V
OH
> 0.8 V
CC
; V
OL
< 0.1 V
CC
@负荷
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
超小型封装
这些无铅器件
7M
1
1
ULLGA6
1.2 x 1.0
CASE 613AE
7M
ULLGA6
1.45 x 1.0
CASE 613AF
1
7
M
=器件标识
=日期代码
7M
OE
1
6
V
CC
引脚分配
IN A
2
5
NC
1
2
3
GND
3
4
输出Y
4
5
OE
IN A
GND
输出Y
NC
V
CC
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
6
功能表
输入
OE
IN A
输出Y
A
L
H
X
OE
L
L
H
产量
Y
L
H
Z
图2.逻辑符号
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年3月 - 第2版
出版订单号：
NLU1GT125/D
NLU1GT125
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
MSL
F
R
I
闭锁
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源/灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
湿气敏感度
可燃性等级
氧指数：28 34
V
IN
＆ LT ; GND
V
OUT
＆ LT ; GND
参数
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-20
±20
±12.5
±25
±25
-65到+150
260
150
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
±500
mA
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
°C
闭锁性能超过V
CC
及以下GND在125 ° C（注2 ）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.测量具有在FR4板上最小焊盘间距，用10毫米×1英寸2盎司铜迹没有空气流动。
2.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
DT / DV
正直流电源电压
数字输入电压
输出电压
工作自由空气的温度
输入过渡上升或下降速率
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
参数
民
1.65
0
0
-55
0
0
最大
5.5
5.5
5.5
+125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
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2
NLU1GT125
DC电气特性
T
A
= 25
5C
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
低电平输入
电压
低电平输入
电压
高电平的输出
电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -8毫安
V
OL
低电平输出
电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
IN
I
CC
I
CCT
输入漏
当前
静态电源
当前
静态电源
当前
输出漏
当前
三态泄漏
当前
0
v
V
IN
v
5.5 V
0
v
V
IN
v
V
CC
V
IN
= 3.4 V
其他输入： V
CC
或GND
V
OUT
= 5.5 V
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OUT
= V
CC
or
GND
条件
V
CC
(V)
3.0
4.5 5.5
3.0
4.5 5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
0至5.5
5.5
5.5
2.9
4.4
2.58
3.94
0
0
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
1.0
1.35
3.0
4.5
民
1.4
2.0
0.53
0.8
2.9
4.4
2.48
3.80
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
20
1.50
典型值
最大
T
A
=
+855C
民
1.4
2.0
0.53
0.8
2.9
4.4
2.34
3.66
0.1
0.1
0.52
0.52
±1.0
40
1.65
mA
mA
mA
V
最大
T
A
= -555C
至+ 1255C
民
1.4
2.0
0.53
0.8
最大
单位
V
V
V
I
OPD
I
OZ
0.0
0.0
0.5
±0.25
5.0
±2.5
10
±2.5
mA
mA
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）
T
A
= 25
5C
民
典型值
5.6
8.1
3.8
5.3
5.4
7.9
3.6
5.1
6.5
8.0
4.8
7.0
4
6
最大
8.0
11.5
5.5
7.5
8.0
11.5
5.1
7.1
9.7
13.2
6.8
8.8
10
T
A
=
+855C
民
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
9.5
13.0
6.5
8.5
9.5
13.0
6.0
8.0
11.5
15.0
8.0
10.0
10
T
A
= -555C
至+ 1255C
民
最大
12.0
16.0
8.5
10.5
11.5
15.0
7.5
9.5
14.5
18.5
10.0
12.0
10.0
pF
pF
ns
ns
单位
ns
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
传播延迟， A到
Y
（图3和5 ）
V
CC
(V)
3.0 3.6
4.5 5.5
TEST
条件
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
t
PZL
,
t
PZH
输出使能时间， OE为Y
（图4和6）
3.0 3.6
4.5 5.5
t
PLZ
,
t
PHZ
输出禁止时间， OE为Y
（图4和6）
3.0 3.6
4.5 5.5
C
IN
C
OUT
输入电容
三态输出电容
（输出高阻抗
状态）
功耗
电容（注3）
5.0
C
PD
14
pF
3. C
PD
被定义为内部等效电容是从动态工作电流消耗来计算，而不值
负载。平均工作电流可以通过等式I来获得
CC （ OPR ）
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
. C
PD
用于确定空载
动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC.
http://onsemi.com
3
NLU1GT125
开关波形
OE
V
CC
50%
A
t
PLH
50% V
CC
Y
Y
50% V
CC
t
PHL
GND
Y
t
PZL
t
PLZ
V
CC
50%
GND
高
阻抗
V
OL
+ 0.3V
V
OH
- 0.3V
50% V
CC
t
PZH
t
PHZ
图3.开关波形
图4中。
高
阻抗
测试点
产量
设备
下
TEST
测试点
产量
1 KW
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL 。
连接到GND
当
测试吨
PHZ
和T
PZH 。
C
L
*
设备
下
TEST
C
L
*
*包括所有探测和夹具电容
*包括所有探测和夹具电容
图5.测试电路
图6.测试电路
输入
图7.输入等效电路
订购信息
设备
NLU1GT125MUTCG
NLU1GT125AMX1TCG
NLU1GT125BMX1TCG
NLU1GT125CMX1TCG
包
UDFN6
（无铅）
ULLGA6 ， 1.45 ×1.0 ， 0.5P
（无铅）
ULLGA6 ， 1.2× 1.0 ， 0.4P
（无铅）
ULLGA6 ， 1.0× 1.0 ， 0.35P
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
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