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NT511740D0J
16兆： X4
快速页模式DRAM
NT511740D0J
数据表
REV 1.0 ，七月。 2000
1
南亚科技股份有限公司。
NAYNA科技股份有限公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
NT511740D0J
16兆： X4
快速页模式DRAM
目录
目录
.................................................................................................................................................................................... 02
Description................................................................................................................................................................................................
03
Features.....................................................................................................................................................................................................03
产品系列
........................................................................................................................................................................................03
引脚分配
........................................................................................................................................................................................04
电气特性
.....................................................................................................................................................................05
绝对最大额定值
............................................................................................................................................................ 05
建议的直流工作条件
....................................................................................................................................... 05
电容
................................................................................................................................................................................... 05
DC电气特性
..........................................................................................................................................................06
AC Characteristics..................................................................................................................................................................................
07
定时Waveform....................................................................................................................................................................................
10
读周期..................................................................................................................................................................................... 10
写周期（早期写） ................................................................................................................................................................ 11
读 - 修改 - 写周期................................................................................................................................................................ 12
快速页面模式读取周期..........................................................................................................................................................13
快速页模式写周期（早期写） ......................................................................................................................................14
快速页模式修改写周期..............................................................................................................................................15
RAS
- 只刷新周期.............................................................................................................................................................. 16
CAS -before- RAS refresh............................................................................................................................................................ 17
隐藏刷新读周期............................................................................................................................................................ 18
隐藏刷新写周期............................................................................................................................................................ 19
包Dimension................................................................................................................................................................................20
REV 1.0 ，七月。 2000
2
南亚科技股份有限公司。
NAYNA科技股份有限公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
NT511740D0J
16兆： X4
快速页模式DRAM
描述
这是一个家庭的4,194,304 ×4位的快速页面模式的CMOS DRAM的。快速页模式提供了高速随机存取
同一行内的存储单元。电源电压（ + 5.0V ） ，刷新周期（ 2K参考） ，访问时间（ -5或-6 ） ，电源
消费（正常或低功率）和封装类型（ SOJ ）是这个家族的可选功能。
所有这些家庭有
CAS
-before-
RAS
刷新，
RAS
- 只刷新和隐藏刷新功能。此外，自我
刷新操作是在L型版本。这4Mx4 EDO DRAM模式的家庭正在使用NANYA先进制造
CMOS工艺实现高带宽，低功耗和高可靠性。
它也可以用作用于微型计算机的主存储器单元，高级计算机和个人计算机。
特点
快速页模式操作。
TTL （ 5V ）兼容输入和输出
+ 5V单
±
10 ％的电力供应
JEDEC标准引脚
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS
- 只刷新功能
刷新： 2048次/ 32毫秒
自刷新功能（L -版本只）
多比特测试模式能力
可在塑料SOJ包装
产品系列
家庭
NT511740D0J - 50 / 5L
NT511740D0J - 60 / 6L
访问时间（最大值）。
TRAC
50ns
60ns
大隘社
13ns
15ns
TRC
90ns
110ns
TPC
35ns
40ns
有功
耗散
605mW
550mW
电压
5V
包
26(24)-pin
SOJ
REV 1.0 ，七月。 2000
3
南亚科技股份有限公司。
NAYNA科技股份有限公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
NT511740D0J
16兆： X4
快速页模式DRAM
引脚配置
（ TOP VIEW ）
NT511740D0J
V
CC
DQ0
DQ1
W
RAS
NC
1
2
3
4
5
6
24
23
22
21
20
19
VSS
DQ3
DQ2
CAS
OE
A9
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
7
8
9
10
11
12
18
17
16
15
14
13
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
300MIL 26 （ 24 ） -pin SOJ
引脚名称
A0-A10
DQ0-DQ3
VSS
RAS
CAS
W
OE
V
CC
NC
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
地
行地址STROB
列地址STROB
读/写输入
数据输出使能
电源+ 5.0V （ + 3.3V ）
无连接
REV 1.0 ，七月。 2000
4
南亚科技股份有限公司。
NAYNA科技股份有限公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
NT511740D0J
16兆： X4
快速页模式DRAM
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
符号
V
IN
,
V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
OPR
等级
-1.0到+7.0
-1.0到+7.0
50
1
0到70
单位
V
V
mA
W
°C
储存温度
T
英镑
-55到150
°C
* ： TA = 25 ℃，
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应
被限制的条件，在此数据表的操作部分详细介绍。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（参考电压到Vss ，TA = 0
°C
至70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
分钟。
4.5
0
2.4
-1.0
*2
典型值。
5.0
0
-
-
马克斯。
5.5
0
Vcc+1.0
*1
0.8
单位
V
V
V
V
输入低电压
V
IL
* 1 ： V + 2.0V /为20ns （ 5V ） ，脉冲宽度测量V
cc
cc
* 2 ： -2.0V /为20ns （ 5V ） ，脉冲宽度测量V
ss
电容
（VCC = 5V ，TA = 25 ° C，F = 1 MHZ ）
参数
输入电容（ A0 -A11 ）
输入电容（
RAS
,
CAS
,
WE
,
OE
输出电容（ DQ0 - DQ3 ）
)
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
-
-
-
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
DC特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
最大
参数
输入漏电流（任何输入0 < = V
IN
＆ LT ;?
V
IN
+ 0.5V ，其他所有输入引脚不能被测= 0伏）
5V
输出漏电流
（数据输出被禁止， 0 < = V
OUT
< = V
CC
)
输出高电压电平（I
OH
= -5mA ）
输出低电压电平（I
OL
=4.2mA)
符号
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
民
-5
-5
2.4
-
最大
5
5
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
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5
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16兆： X4
快速页模式DRAM
NT511740D0J
数据表
REV 1.0 ，七月。 2000
1
南亚科技股份有限公司。
NAYNA科技股份有限公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
NT511740D0J
16兆： X4
快速页模式DRAM
目录
目录
.................................................................................................................................................................................... 02
Description................................................................................................................................................................................................
03
Features.....................................................................................................................................................................................................03
产品系列
........................................................................................................................................................................................03
引脚分配
........................................................................................................................................................................................04
电气特性
.....................................................................................................................................................................05
绝对最大额定值
............................................................................................................................................................ 05
建议的直流工作条件
....................................................................................................................................... 05
电容
................................................................................................................................................................................... 05
DC电气特性
..........................................................................................................................................................06
AC Characteristics..................................................................................................................................................................................
07
定时Waveform....................................................................................................................................................................................
10
读周期..................................................................................................................................................................................... 10
写周期（早期写） ................................................................................................................................................................ 11
读 - 修改 - 写周期................................................................................................................................................................ 12
快速页面模式读取周期..........................................................................................................................................................13
快速页模式写周期（早期写） ......................................................................................................................................14
快速页模式修改写周期..............................................................................................................................................15
RAS
- 只刷新周期.............................................................................................................................................................. 16
CAS -before- RAS refresh............................................................................................................................................................ 17
隐藏刷新读周期............................................................................................................................................................ 18
隐藏刷新写周期............................................................................................................................................................ 19
包Dimension................................................................................................................................................................................20
REV 1.0 ，七月。 2000
2
南亚科技股份有限公司。
NAYNA科技股份有限公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
NT511740D0J
16兆： X4
快速页模式DRAM
描述
这是一个家庭的4,194,304 ×4位的快速页面模式的CMOS DRAM的。快速页模式提供了高速随机存取
同一行内的存储单元。电源电压（ + 5.0V ） ，刷新周期（ 2K参考） ，访问时间（ -5或-6 ） ，电源
消费（正常或低功率）和封装类型（ SOJ ）是这个家族的可选功能。
所有这些家庭有
CAS
-before-
RAS
刷新，
RAS
- 只刷新和隐藏刷新功能。此外，自我
刷新操作是在L型版本。这4Mx4 EDO DRAM模式的家庭正在使用NANYA先进制造
CMOS工艺实现高带宽，低功耗和高可靠性。
它也可以用作用于微型计算机的主存储器单元，高级计算机和个人计算机。
特点
快速页模式操作。
TTL （ 5V ）兼容输入和输出
+ 5V单
±
10 ％的电力供应
JEDEC标准引脚
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS
- 只刷新功能
刷新： 2048次/ 32毫秒
自刷新功能（L -版本只）
多比特测试模式能力
可在塑料SOJ包装
产品系列
家庭
NT511740D0J - 50 / 5L
NT511740D0J - 60 / 6L
访问时间（最大值）。
TRAC
50ns
60ns
大隘社
13ns
15ns
TRC
90ns
110ns
TPC
35ns
40ns
有功
耗散
605mW
550mW
电压
5V
包
26(24)-pin
SOJ
REV 1.0 ，七月。 2000
3
南亚科技股份有限公司。
NAYNA科技股份有限公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
NT511740D0J
16兆： X4
快速页模式DRAM
引脚配置
（ TOP VIEW ）
NT511740D0J
V
CC
DQ0
DQ1
W
RAS
NC
1
2
3
4
5
6
24
23
22
21
20
19
VSS
DQ3
DQ2
CAS
OE
A9
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
7
8
9
10
11
12
18
17
16
15
14
13
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
300MIL 26 （ 24 ） -pin SOJ
引脚名称
A0-A10
DQ0-DQ3
VSS
RAS
CAS
W
OE
V
CC
NC
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
地
行地址STROB
列地址STROB
读/写输入
数据输出使能
电源+ 5.0V （ + 3.3V ）
无连接
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4
南亚科技股份有限公司。
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16兆： X4
快速页模式DRAM
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
符号
V
IN
,
V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
OPR
等级
-1.0到+7.0
-1.0到+7.0
50
1
0到70
单位
V
V
mA
W
°C
储存温度
T
英镑
-55到150
°C
* ： TA = 25 ℃，
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应
被限制的条件，在此数据表的操作部分详细介绍。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（参考电压到Vss ，TA = 0
°C
至70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
分钟。
4.5
0
2.4
-1.0
*2
典型值。
5.0
0
-
-
马克斯。
5.5
0
Vcc+1.0
*1
0.8
单位
V
V
V
V
输入低电压
V
IL
* 1 ： V + 2.0V /为20ns （ 5V ） ，脉冲宽度测量V
cc
cc
* 2 ： -2.0V /为20ns （ 5V ） ，脉冲宽度测量V
ss
电容
（VCC = 5V ，TA = 25 ° C，F = 1 MHZ ）
参数
输入电容（ A0 -A11 ）
输入电容（
RAS
,
CAS
,
WE
,
OE
输出电容（ DQ0 - DQ3 ）
)
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
-
-
-
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
DC特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
最大
参数
输入漏电流（任何输入0 < = V
IN
＆ LT ;?
V
IN
+ 0.5V ，其他所有输入引脚不能被测= 0伏）
5V
输出漏电流
（数据输出被禁止， 0 < = V
OUT
< = V
CC
)
输出高电压电平（I
OH
= -5mA ）
输出低电压电平（I
OL
=4.2mA)
符号
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
民
-5
-5
2.4
-
最大
5
5
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
REV 1.0 ，七月。 2000
5
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NRU473K20
NTE74S153
NAND512R4A2AZA6F
NRB683M10
NM24C03FVM8
NAND01GR4A2CZA6F
NAND512R3A2AZA6F
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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