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NS2029M3T5G
PNP硅通用
用途放大器晶体管
这PNP晶体管是专为通用放大器
应用程序。此装置被安置在SOT - 723封装是
专为低功率表面贴装应用中,电路板
空间是十分宝贵的。
板级空间缩小
FE
, 210-460 (典型)
低V
CE ( SAT )
, < 0.5 V
静电放电性能:人体模型;
u
2000 V,
机器型号;
u
200 V
可在4毫米, 8000单位带卷&
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
PNP一般
用途放大器
晶体管
表面贴装
集热器
3
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
C
价值
-60
-50
-6.0
-100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
BASE
2
辐射源
热特性
等级
功率耗散(注1 )
结温
存储温度范围
符号
P
D
T
J
T
英镑
最大
265
150
-55 ~ +150
单位
mW
°C
°C
1
2
3
记号
SOT-723
CASE 631AA
9F M
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的
推荐最低足迹。
9F =具体设备守则
M =日期代码
订购信息
设备
NS2029M3T5G
SOT-723
(无铅)
航运
8000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年5月 - 修订版0
出版订单号:
NS2029M3/D
NS2029M3T5G
电气特性
(T
A
= 25°C)
特征
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= -50
MADC ,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压(I
C
= -1.0 MADC ,我
B
= 0)
发射极 - 基极击穿电压(I
E
= -50
MADC ,
I
E
= 0)
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= -30伏直流,我
E
= 0)
发射基截止电流(V
EB
= -7.0伏,我
B
= 0)
集电极 - 发射极饱和电压(注2 )
(I
C
= -50 MADC ,我
B
= -5.0 MADC )
DC电流增益(注2)
(V
CE
= -6.0伏,我
C
= -1.0 MADC )
跃迁频率
(V
CE
= -12伏直流,我
C
= -2.0 MADC , F = 30兆赫)
输出电容(V
CB
= -12伏直流,我
E
= 0 ADC中,f = 1.0 MHz)的
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2%.
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
-
h
FE
120
f
T
-
C
OB
-
140
3.5
-
-
pF
-
560
兆赫
-
-0.5
-
-60
-50
-6.0
-
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-0.5
-0.1
单位
VDC
VDC
VDC
nA
mA
VDC
http://onsemi.com
2
NS2029M3T5G
典型电气特性
1000
T
A
= 25°C
IC ,集电极电流(毫安)
120
直流电流增益
T
A
= 75°C
300
mA
250
200
150
30
0
100
I
B
= 50
mA
0
3
6
9
12
15
10
0.1
1
10
100
T
A
= - 25°C
100
T
A
= 25°C
V
CE
= 10 V
90
60
V
CE
,集电极电压(V )
I
C
,集电极电流(毫安)
图1.我
C
- V
CE
2
VCE ,集电极 - 发射极电压( V)
T
A
= 25°C
集电极电压(毫伏)
1.5
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0.01
0.1
1
I
B
,基极电流(毫安)
10
100
0
0.2
0.5
1
图2.直流电流增益
1
0.5
T
A
= 25°C
V
CE
= 5 V
5
10
20
40
60
80
100
150 200
I
C
,集电极电流(毫安)
图3.集电极饱和区
13
兴业银行,输入电容(pF )
12
11
10
9
8
7
6
0
1
2
V
EB
(V)
3
4
OB ,电容(pF )
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
图4.电压
20
V
CB
(V)
30
40
图5.电容
图6.电容
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3
NS2029M3T5G
包装尺寸
SOT-723
CASE 631AA -01
版本C
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
完成。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4.尺寸D和E不包括塑模
FLASH中,突出或毛刺。
-X-
D
b1
-Y-
3
A
E
1
2
L
C
H
E
暗淡
A
b
b1
C
D
E
e
H
E
L
e
b
2X
0.08 ( 0.0032 ) X Y
MILLIMETERS
最大
0.45
0.50
0.55
0.15
0.21
0.27
0.25
0.31
0.37
0.07
0.12
0.17
1.15
1.20
1.25
0.75
0.80
0.85
0.40 BSC
1.15
1.20
1.25
0.15
0.20
0.25
英寸
最大
0.018 0.020 0.022
0.0059 0.0083 0.0106
0.010 0.012 0.015
0.0028 0.0047 0.0067
0.045 0.047 0.049
0.03 0.032 0.034
0.016 BSC
0.045 0.047 0.049
0.0059 0.0079 0.0098
焊接足迹*
0.40
0.0157
0.40
0.0157
1.0
0.039
0.40
0.0157
0.40
0.0157
0.40
0.0157
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
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与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
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为了文学:
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有关更多信息,请联系您当地的
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4
NS2029M3/D
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SOT-723
假一罚十,原装进口正品现货供应,长期供货
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ON
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100%原装正品,只做原装正品
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ON
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ON
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联系人:朱咸华
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NS2029M3T5G
ON
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25500
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联系人:小邹
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NS2029M3T5G
ON
22+
44000
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QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
NS2029M3T5G
ON
21+22+
27000
SOT423
原装正品
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