添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第20页 > NSS60201LT1G
NSS60201LT1G
60 V , 4.0 A,低V
CE ( SAT )
NPN晶体管
安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE ( SAT )
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压(V
CE ( SAT )
)和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压,高速开关应用中使用
其中,经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品,例如蜂窝和无绳
电话,PDA,计算机,打印机,数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品,如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业,他们可以在气囊展开,并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出,线性增益驱动
(测试版) ,使它们非常适合组件的模拟放大器。
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
60
140
8.0
2.0
4.0
单位
VDC
VDC
VDC
A
A
1
2
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318
类型6
3
http://onsemi.com
60伏, 4.0 AMPS
NPN低V
CE ( SAT )
晶体管
等效
DS ( ON)
70毫瓦
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
HBM 3B类
MM C级
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
器件总功耗
(单脉冲< 10秒。 )
结存储
温度范围
符号
P
D
(注1 )
最大
460
3.7
R
qJA
(注1 )
P
D
(注2 )
270
540
4.3
R
qJA
(注2 )
P
Dsingle
(注3)
T
J
, T
英镑
230
710
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
°C
VJ
M
G
器件标识
VJ M
G
G
1
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
NSS60201LT1G
SOT-23
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1, FR- 4 @百毫米
2
, 1盎司铜的痕迹。
2. FR- 4 @ 500毫米
2
, 1盎司铜的痕迹。
3.热响应。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
出版订单号:
NSS60201L/D
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年12月 - 第1版
NSS60201LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 0.1 MADC ,我
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 0.1 MADC ,我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ,我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6.0伏)
基本特征
直流电流增益(注4 )
(I
C
= 10 mA时, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 500毫安, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 1.0 A,V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 2.0 A,V
CE
= 2.0 V)
集电极 - 发射极饱和电压(注4 )
(I
C
= 0.1 A,I
B
= 0.010 A)
(I
C
= 1.0 A,I
B
= 0.100 A)
(I
C
= 2.0 A,I
B
= 0.200 A)
基地 - 发射极饱和电压(注4 )
(I
C
= 1.0 A,I
B
= 10 mA)的
基地 - 发射极导通电压(注4 )
(I
C
= 1.0 A,V
CE
= 2.0 V)
截止频率
(I
C
= 100毫安, V
CE
= 5.0 V , F = 100兆赫)
输入电容(V
EB
= 0.5 V , F = 1.0兆赫)
输出电容(V
CB
= 3.0 V,F = 1.0兆赫)
开关特性
延迟(V
CC
= 30 V,I
C
= 750 mA时,我
B1
= 15 mA)的
上升(V
CC
= 30 V,I
C
= 750 mA时,我
B1
= 15 mA)的
存储(V
CC
= 30 V,I
C
= 750 mA时,我
B1
= 15 mA)的
秋季(V
CC
= 30 V,I
C
= 750 mA时,我
B1
= 15 mA)的
4.脉冲条件:脉冲宽度= 300毫秒,占空比
2%.
t
d
t
r
t
s
t
f
-
-
-
-
-
-
-
-
55
100
1100
120
ns
ns
ns
ns
h
FE
160
160
150
100
V
CE ( SAT )
-
-
-
V
BE ( SAT )
-
V
BE(上)
-
f
T
100
CIBO
科博
-
-
-
-
-
-
380
45
pF
pF
0.760
0.900
兆赫
0.790
0.900
V
-
-
-
0.020
0.075
0.140
V
-
-
-
-
-
-
350
-
V
V
( BR ) CEO
60
V
( BR ) CBO
140
V
( BR ) EBO
8.0
I
CBO
-
I
EBO
-
-
0.1
-
0.1
MADC
-
-
MADC
-
-
VDC
-
-
VDC
VDC
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NSS60201LT1G
0.35
I
C
/I
B
= 10
0.30
H
FE
,直流电流增益
V
CE ( SAT )
电压(V)的
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.001
25°C
-55°C
150°C
325
300
275
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0.001
150 ° C( 5.0 V)
150C ( 2.0 V)
25 ° C( 5.0 V)
25C ( 2.0 V)
-55°C ( 5.0 V)
-55°C ( 2.0 V)
0.01
0.10
1.0
I
C
,集电极电流( A)
10
0.01
0.1
1
I
C
,集电极电流( A)
10
图1.集电极 - 发射极饱和电压
1.2
1.1
V
BE ( SAT )
电压(V)的
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0
0
0.1
1.0
10
150°C
-55°C
25°C
H
FE
,直流电流增益
1.0
1.2
图2.直流电流与集电极电流
-55°C
0.8
25°C
0.6
0.4
0.2
0
0.001
150°C
0.01
0.10
1.0
10
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
图3. V
BE ( SAT )
1.0
C
IBO
,输入电容( pF)的
V
CE
,集电极 - 发射极
电压(V)的
I
C
= 10毫安
0.8
百毫安
0.6
500毫安
0.4
300毫安
0.2
400
375
350
325
300
275
250
225
200
175
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
0
1
图4. V
BE(上)
T
J
= 25°C
0
I
B
,基极电流( A)
2
3
4
5
6
V
EB
,发射极基极电压( V)
图5.饱和区
图6.输入电容
http://onsemi.com
3
NSS60201LT1G
65
C
敖包
,输出电容( pF)的
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
0
5
10
15
20
25
30
35
V
CB
,集电极基极电压( V)
I
C
,集电极电流( A)
60
T
J
= 25°C
10
1毫秒
1
1s
热限制
0.1
100毫秒
0.01
10毫秒
0.001
0.10
10
10
100
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图7.输出电容
图8.安全工作区
单脉冲测试@ T
AMB
= 255C
http://onsemi.com
4
NSS60201LT1G
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
问题一
D
SEE视图C
3
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了,新
标准318-08 。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
E
HE
c
1
2
b
e
q
A
L
A1
L1
视图C
0.25
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
类型6 :
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话: 303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真: 303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件: orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
NSS60201L/D
查看更多NSS60201LT1GPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NSS60201LT1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
NSS60201LT1G
ON/安森美
2418+
4500
SOT-23
正规报关原装现货系列订货技术支持
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
NSS60201LT1G
ON
25+
32560
SOT-23
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
NSS60201LT1G
ON
25+
7150
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
NSS60201LT1G
ON
2020+
10000
SOT-23
全新原装正品 现货库存 价格最低 欢迎咨询洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
NSS60201LT1G
Onsemi
3000
22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
NSS60201LT1G
ONSEMI/安森美
2024+
9675
SOT23
优势现货,全新原装进口
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
NSS60201LT1G
ON原盒原标 有单必成
24+
68500
SOT-23
一级代理/放心采购
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:247773782 复制

电话:755-83252273
联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
NSS60201LT1G
ON/安森美
19+
10000
绝对全新原装/自己库存现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:575915585 复制

电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
NSS60201LT1G
ONSEMI/安森美
17+
21000
SOT-23
原装进口低价实单必成
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NSS60201LT1G
Onsemi
21+
4000
SOT23
全新原装正品/质量有保证
查询更多NSS60201LT1G供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!