【NPN硅锗RF晶体管NESG3033M14NPN硅锗RF晶体管低噪声，高增益放大4 -PIN LEA】,IC型号NESG3033M14,NESG3033M14 PDF资料,NESG3033M14经销商,ic,电子元器件-51电子网

NPN硅锗RF晶体管

NESG3033M14

NPN硅锗RF晶体管

低噪声，高增益放大

4 -PIN LEAD - LESS MINIMOLD （ M14 ， 1208 PKG ）

特点

该设备是针对低噪声，高增益放大的理想选择

NF = 0.6 dB典型值。 @ V

= 2 V，I

= 6毫安， F = 2.0 GHz的

最大稳定功率增益：味精= 20.5分贝TYP 。 @ V

= 2 V，I

= 15 mA时， F = 2.0 GHz的

的SiGe HBT技术（ UHS3 ）采用：F

最大

= 110 GHz的

本产品的改进NESG3032M14的ESD的。

4针引线少minimold （ M14 ， 1208 PKG ）

订购信息

产品型号

NESG3033M14

订单号

NESG3033M14-A

包

4针引线少minimold

（ M14 ， 1208 PKG ）

NESG3033M14 - T3 NESG3033M14 - T3 -A

（无铅）

QUANTITY

50个

（无卷）

10千件/卷

供给方式

8毫米宽压纹带卷

引脚1 （珍藏），引脚4 （发射极）所面临的

带的穿孔侧

备注

如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。

样本股数量为50个。

绝对最大额定值（T

= +25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

基极电流

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

注1

评级

5.0

4.3

150

+150

单位

°C

首席执行官

注1

合计

注2

英镑

注意事项1 。

CBO

我

由保护元件的容许电流的限制。

安装在1.08厘米

1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板

当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。

一号文件PU10640EJ01V0DS （第1版）

发布日期2006年9月NS CP （ K）

2006

NESG3033M14

推荐工作范围（T

= +25°C)

参数

输入功率

基地反馈反抗者

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

100

单位

DBM

备注

当电压返回偏置电路如下图所示时，电流增加的原因是在

ESD保护元件被接通时，在上表中运动的推荐范围超出上。

然而，没有影响的可靠性，包括恶化。

BIAS

呛

数据表PU10640EJ01V0DS

NESG3033M14

电气特性（T

= +25°C)

参数

DC特性

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

射频特性

插入功率增益

噪声系数

相关的增益

反向传输电容

最大稳定功率增益

21e

注2

记

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

CBO

EBO

注1

= 5 V，I

= 0毫安

= 1 V，I

= 0毫安

= 2 V，I

= 6毫安

220

300

100

380

= 2 V，I

= 15 mA时， F = 2.0 GHz的

= 2 V，I

= 6毫安， F = 2.0千兆赫，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 2 V，I

= 6毫安， F = 2.0千兆赫，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 2 V，I

= 0 mA时， F = 1兆赫

= 2 V，I

= 15 mA时， F = 2.0 GHz的

= 3 V，I

C（套）

= 20毫安，

F = 2.0千兆赫，Z

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 3 V，I

C（套）

= 20毫安，

F = 2.0千兆赫，Z

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

15.0

17.5

0.60

17.5

0.15

20.5

0.85

0.25

味精

增益1 dB压缩输出功率

三阶互调失真

输出截获点

O（1 dB为单位）

OIP

12.5

24.0

DBM

注意事项1 。

脉搏测量： PW

≤

350

S，占空比

≤

集电极基极电容，当发射器接地

味精=

分类

秩

记号

价值

220到380

数据表PU10640EJ01V0DS

NESG3033M14

包装尺寸

4 -PIN LEAD - LESS MINIMOLD （ M14 ， 1208 PKG ）（单位：mm ）

1.0±0.05

0.8

+0.07

–0.05

0.5±0.05

引脚连接

集热器

辐射源

BASE

NC （跟引脚2 ）

数据表PU10640EJ01V0DS

0.11

+0.1

–0.05

0.15±0.05

1.2

+0.07

–0.05

0.8

NESG3033M14

本文档中的信息是截至今年9月， 2006年的信息如有

更改，恕不另行通知。在实际设计中，指的是NEC电子数据的最新出版物

表或数据手册等，对本公司产品的最先进的最新规格。不

所有的产品和/或型号都向每个国家。请与本公司销售查询

代表性的产品供应及其他信息。

本文件的任何部分不得复制或未经事先转载于任何形式或任何方式

NEC电子的书面同意。 NEC电子对任何错误概不承担任何责任的可能

本文件中。

NEC Electronics不承担侵权专利，版权或其他知识产权的任何法律责任

第三方通过或由于使用本公司产品本文档中列出的所产生的财产权利

或因使用这类制品的任何其他责任所产生的。没有许可证，明示，暗示或其他，是

任何专利，版权或NEC电子或他人的其他知识产权的授权。

提供用于说明电路，软件和本文件中的相关信息的描述

半导体产品操作和应用实例。这些纳入

电路，软件和信息在客户的设备的设计应在全面完成

对客户的责任。 NEC电电子不承担任何损失承担任何责任

客户或因使用这些电路，软件和信息时造成第三方。

虽然本公司致力于提高半导体产品的质量，可靠性和安全性，

客户同意并确认缺陷的可能不能完全消除。对

最大限度地减少财产损失，或伤害（包括死亡）的风险，而产生的缺陷NEC人士

电子产品，客户必须在设计过程中应加强安全措施，比如

冗余度，防火和防故障功能。

本公司产品分为以下三个质量等级： "Standard" ， "Special"和

＆ QUOT ;比＆ QUOT ;.

该"Specific"质量等级只适用于基于一个开发的日电电子产品

指定"quality保证program"针对特定应用程序。在NEC的推荐应用

电子产品取决于其质量等级，详见如下。客户必须检查的质量等级

以前每次NEC电子的产品在一个特定的应用程序中使用它。

＆ QUOT ;标准＆ QUOT ;：计算机，办公自动化设备，通信设备，测试和测量设备，音频

·视频设备，家用电子电器，机械工具，个人电子设备

与工业机器人。

＆ QUOT ;特殊＆ QUOT ;：运输设备（汽车，火车，船舶等），交通控制系统，防灾

系统，防止犯罪系统，安全设备和医疗设备（不包括专门设计的

生命支持）。

＆ QUOT ;比＆ QUOT ;:飞机，航空航天设备，海底中继设备，原子能控制系统，生命

支持系统和生命支持等医疗设备

日电电子产品的质量等级是"Standard"除非在NEC明确规定

电子数据表或数据手册等，如果客户希望使用本公司产品的应用

不打算由NEC电子，它们必须提前联系NEC电子销售代表

确定NEC Electronics是否支持该应用。

（注）

（ 1 ）＆ QUOT ; NEC电子QUOT ;作为本声明中表示NEC电子公司和它的

控股子公司。

（ 2 ）＆ QUOT ; NEC电子的产品和QUOT ;是指由或为NEC电子开发或生产的任何产品（如

如上文所定义）。

M8E 02. 11-1

数据表PU10640EJ01V0DS

初步

数据表

NESG3033M14

NPN硅锗RF晶体管的低噪声，高增益

放大4引脚无铅减Minimold （ M14 ， 1208 PKG ）

特点

在NESG3033M14是低噪声，高增益放大的理想选择

NF = 0.6 dB典型值。 @ V

= 2 V，I

= 6毫安， F = 2.0 GHz的

最大稳定功率增益：味精= 20.5分贝TYP 。 @ V

= 2 V，I

= 15 mA时， F = 2.0 GHz的

的SiGe HBT技术（ UHS3 ）采用：F

最大

= 110 GHz的

本产品的改进NESG3032M14的ESD的。

4针引线少minimold （ M14 ， 1208 PKG ）

<R>

R09DS0049EJ0300

Rev.3.00

2012年9月14日

订购信息

产品型号

NESG3033M14

订单号

NESG3033M14-A

包

4针引线少minimold

（ M14 ， 1208 PKG ）

NESG3033M14 - T3 NESG3033M14 - T3 -A

（无铅）

QUANTITY

50个

（无卷）

10千件/卷

供给方式

8毫米宽压纹带卷

引脚1 （珍藏），引脚4 （ NC）面对

带的穿孔侧

备注

如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。

样本股数量为50个。

绝对最大额定值（T

= +25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

基极电流

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

注1

评级

5.0

4.3

150

+150

单位

°C

首席执行官

注1

合计

注2

英镑

注意事项1 。

CBO

我

由保护元件的容许电流的限制。

安装在1.08厘米

1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板

小心

观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。

标记<R>表示主要修改点。

"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。

R09DS0049EJ0300 Rev.3.00

2012年9月14日

第14页1

NESG3033M14

推荐工作范围（T

= +25°C)

参数

输入功率

基地反馈反抗者

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

100

单位

DBM

kΩ

备注

当电压返回偏置电路如下图所示时，电流增加的原因是在

ESD保护元件被接通时，在上表中运动的推荐范围超出上。

然而，没有影响的可靠性，包括恶化。

BIAS

呛

R09DS0049EJ0300 Rev.3.00

2012年9月14日

第14页2

NESG3033M14

<R>

电气特性（T

= +25°C)

参数

DC特性

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

射频特性

插入功率增益

噪声系数

相关的增益

反向传输电容

最大稳定功率增益

增益1 dB压缩输出功率

三阶互调失真

输出截获点

21e

注2

注3

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

CBO

EBO

注1

= 5 V，I

= 0

= 1 V，I

= 0

= 2 V，I

= 6毫安

220

300

100

380

= 2 V，I

= 15 mA时， F = 2.0 GHz的

= 2 V，I

= 6毫安， F = 2.0千兆赫，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 2 V，I

= 6毫安， F = 2.0千兆赫，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 2 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= 2 V，I

= 15 mA时， F = 2.0 GHz的

= 3 V，I

C（套）

= 20毫安，

F = 2.0千兆赫，Z

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 3 V，I

C（套）

= 20毫安，

F = 2.0千兆赫，Z

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

15.0

17.5

0.60

17.5

0.15

20.5

12.5

24.0

0.85

0.25

DBM

味精

O（1 dB为单位）

OIP

注意事项1 。

脉搏测量： PW

≤

350

S，占空比

≤

集电极基极电容，当发射器接地

味精=

<R>

分类

秩

记号

价值

FB / YFB

220到380

R09DS0049EJ0300 Rev.3.00

2012年9月14日

第14页3

NESG3033M14

典型特征（T

= + 25 ℃，除非另有规定）

总功耗

- 环境温度

总功耗P

合计

（ mW）的

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

反向传输电容C

（PF ）

250

安装在玻璃环氧树脂印刷电路板

（ 1.08厘米

1.0毫米（ t））的

200

0.3

F = 1 MHz的

0.2

150

100

0.1

100

125

150

环境温度T

(C)

集电极基极电压V

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

0.1

0.01

0.001

= 1 V

集电极电流I

（MA ）

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

0.1

0.01

0.001

= 2 V

集电极电流I

（MA ）

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基极至发射极电压V

(V)

基极至发射极电压V

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

0.1

0.01

0.001

= 3 V

集电极电流I

（MA ）

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

200

180

160

140

120

100

= 20

集电极电流I

（MA ）

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基极至发射极电压V

(V)

集电极到发射极电压V

(V)

备注

该图表显示的标称特性。

R09DS0049EJ0300 Rev.3.00

2012年9月14日

第14页4

NESG3033M14

直流电流增益主场迎战

集电极电流

1 000

= 1 V

1 000

= 2 V

直流电流增益主场迎战

集电极电流

直流电流增益

100

直流电流增益

100

0.1

100

0.1

100

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

直流电流增益主场迎战

集电极电流

1 000

= 3 V

直流电流增益

100

0.1

100

集电极电流I

（MA ）

备注

该图表显示的标称特性。

R09DS0049EJ0300 Rev.3.00

2012年9月14日

第14页5