添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第213页 > NP75N04YUG
初步
数据表
NP75N04YUG
MOS场效应
描述
R07DS0018EJ0100
Rev.1.00
2010年7月1日
该NP75N04YUG是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
特点
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 4.8 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 37.5 A)
低西塞：西塞= 4300 pF的典型。 （V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V)
专为汽车应用和AEC- Q101标准
小尺寸封装8脚HSON
订购信息
产品型号
NP75N04YUG -E1 - AY
1
NP75N04YUG -E2 - AY
1
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
带2500 P /卷
包
8引脚HSON ，大坪（ E1型）
8引脚HSON ，大坪（ E2型）
注意：
1.无Pb （此产品不包含铅，在外部电极）。
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
项
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
1
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
2
通道温度
储存温度
重复性雪崩电流
3
重复性雪崩能量
3
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AR
E
AR
评级
40
±20
±75
±225
138
1.0
175
55
to
+175
35
123
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
热阻
通道到外壳热阻
2
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
1.09
150
° C / W
° C / W
注意事项：
1. T
C
= 25 ° C， PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.安装在40毫米×40毫米× 0.8万吨环氧玻璃基板
*3. T
通道（峰值）
≤
150℃ ，R
G
= 25
Ω
R07DS0018EJ0100 Rev.1.00
2010年7月1日
第1页6
NP75N04YUG
章标题
电气特性（T
A
= 25°C)
项
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门源阈值电压
正向转移导纳
1
漏极至源极导通状态
1
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
1
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
1.脉冲
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
Ω
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
民
典型值
2.0
23
3.0
46
3.8
4300
400
250
27
10
66
6
77
20
25
0.93
39
46
最大
1
±100
4.0
4.8
6450
600
450
54
25
132
15
116
单位
μ
A
nA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试条件
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 5 V，I
D
= 37.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 37.5 A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 20 V，I
D
= 37.5 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 0
Ω
V
DD
= 32 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 75 A
I
F
= 75 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A，V
GS
= 0 V,
的di / dt = 100 A /
μ
s
1.5
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
τ
τ
= 1
μ
s
占空比
≤
1%
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
R07DS0018EJ0100 Rev.1.00
2010年7月1日
第2 6
NP75N04YUG
章标题
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置安全的降额因子
工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
160
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
总功耗对比
外壳温度
P
T
- 总功耗 - W
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
1000
d
IT ê
林V）
)
on
S(
1
0
R
S
= 1
V
G
(
1
T
C
- 外壳温度 -
°C
I
D（脉冲）
PW
=1
1
0
I
D
- 漏电流 - 一个
100
0
μ
s
功耗有限公司
10
1
1
0
m
1
1
1
m
1
s
s
1
T
C
= 25°C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
第（章-a）的
： 150 ° C / W
100
10
R
TH（ CH-C ）
： 1.09 ° C / W
1
0.1
单脉冲
装在40毫米×40毫米× 0.8万吨环氧玻璃基板
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
R07DS0018EJ0100 Rev.1.00
2010年7月1日
第3页6
NP75N04YUG
漏电流与
漏源极电压
250
200
150
100
50
0
0
0.5
1
1.5
1000
100
T
A
=
55°C
25°C
75°C
125°C
175°C
章标题
正向传递特性
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1
0.1
0.01
0.001
1
V
GS
= 10 V
脉冲
V
DS
= 10 V
脉冲
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
门源阈值电压
与通道温度
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-100
0
100
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μA
200
远期转移导纳主场迎战漏
当前
100
TA =
55°C
25°C
75°C
125°C
175°C
10
1
0.1
1
10
V
DS
= 5V
脉冲
100
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
10
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
10
脉冲
I
D
= 75 A
37.5 A
15 A
5
V
GS
= 10 V
脉冲
5
0
0.1
1
10
100
1000
0
0
5
10
15
20
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R07DS0018EJ0100 Rev.1.00
2010年7月1日
第4 6
NP75N04YUG
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
15
V
GS
= 10 V
I
D
= 37.5 A
脉冲
10000
章标题
电容与漏源极电压
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
C
国际空间站
1000
C
OSS
C
RSS
100
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
0.1
1
10
100
10
5
0
-100
10
0
100
200
T
ch
- 通道温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
1000
动态输入/输出特性
40
12
10
V
GS
8
6
4
V
DS
2
0
0
20
40
60
80
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
35
30
25
20
15
10
5
0
V
DD
= 32 V
20 V
8V
100
t
D（关闭）
t
D（上）
10
t
r
t
f
1
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
反向恢复时间对比
漏电流
100
源极到漏极二极管的正向电压
1000
100
V
GS
= 10 V
10
0V
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
10
1
脉冲
0
0.5
1
1.5
0.1
1
0.1
1
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
10
100
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 漏电流 - 一个
R07DS0018EJ0100 Rev.1.00
2010年7月1日
分页： 5 6
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DD
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
Ω
I
D
= 75 A
查看更多NP75N04YUGPDF信息
推荐型号
N37160D1EB1S
NAND01GW3B2CZA1
NCV8501PDW80R2G
NRN10S104JTH
NE56632-45D
N08L6182AB7I
NP17-12I
NL17SZ32D
NJU7700F42
NF4EB-2M-24V
NTMFS4926NT3G
NAZT331M35V10X10.5LBF
NLC565050T-680K-S
NP48N055DHE-S12-AY
NX25A
NCV8560SN280T1G
NPO2220
NDL5592P
NVF4-1
NAND01GW4A0CZA6E
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NP75N04YUG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NP75N04YUG
RENESAS/瑞萨
2443+
23000
DFN56
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NP75N04YUG
RENESAS/瑞萨
24+
12300
DFN5*6
全新原装现货，原厂代理。
深圳市易信优科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制

电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
NP75N04YUG
RENESAS/瑞萨
24+
21000
DFN56
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
NP75N04YUG
RENESAS/瑞萨
2024
18000
DFN5*6
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
NP75N04YUG
RENESAS/瑞萨
24+
32000
DFN56
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NP75N04YUG
RENESAS
21+
8000
HSON-8
全新原装正品/质量有保证
上海金庆电子科技京城市场部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制

电话：021-51872165/51872561
联系人：陈小姐 付先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
NP75N04YUG
RENESAS/瑞萨
20+
26000
DFN56
全新原装 货期两周
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
NP75N04YUG
RENESAS/瑞萨
21+22+
15800
DFN5*6
全新原装正品/质量有保证
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
NP75N04YUG
RENESAS/瑞萨
2024
18000
DFN5*6
原装现货上海库存，欢迎咨询
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：864187665 复制 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制
电话：0755-82710336 82533156年度优秀供应商
联系人：何
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区501栋1109-1110室
NP75N04YUG
RENESAS/瑞萨
24+
66000
HSON-8
十五年专营 金牌供应商
查询更多NP75N04YUG供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！