基本产品信息
MOS场效应
NP55N06CLD,NP55N06DLD,NP55N06ELD
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
此产物是N-沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
特点
通道温度175度额定
超低导通电阻
R
DS(on)1
= 17毫欧（最大值）（V
GS
= 10 V，I
D
= 28 A)
R
DS(on)2
= 23毫欧（最大值）（V
GS
= 5 V，I
D
= 28 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 1920 PF（ TYP 。 ）
内置栅极保护二极管
订购信息
产品型号
NP55N06CLD
NP55N06DLD
NP55N06ELD
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
绝对最大额定值（T
A
= 25 °C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
I
AS
Note2
60
±20
±55
±165
1.8
77
待定
待定
175
-55 + 175
V
V
A
A
W
W
A
mJ
°C
°C
总功率耗散（T
A
= 25 °C)
总功率耗散（T
ch
= 25 °C)
单雪崩电流
单雪崩能量
通道温度
储存温度
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
E
AS
T
ch
T
英镑
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
,
V
GS
= 20 V
→0
热阻
渠道情况
渠道环境
RTH （ CH -C ）
RTH （ CH -A ）
1.95
83.3
° C / W
° C / W
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当此
设备实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过额定电压
可应用于该设备。
正在提前生产周期为发行本文件所载信息
装置。该参数用于所述装置可改变最终的生产或NEC公司之前，在其自身的
自由裁量权，可以撤销该设备之前，对其生产。
文档编号
D13792EJ2V0PM00 （第2版）
发布日期1999年1月NS CP （ K）
日本印刷
1998
NP55N06CLD,NP55N06DLD,NP55N06ELD
电气CHRACTERISTICS （T
A
= 25 °C)
特征
漏极至源极导通电阻
符号
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
栅极到源截止电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷1
总栅极电荷2
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G1
Q
G2
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
I
F
= 55 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 55 A，V
GS
= 0 V ，的di / dt = 100 A /
s
I
D
= 55 A，V
DD
= 48 V, V
GS
= 10 V
I
D
= 55 A，V
DD
= 48 V, V
GS
= 5 V
I
D
= 28 A，V
GS （ ON）
= 10 V, V
DD
= 30 V,
R
G
= 10
测试条件
V
GS
= 10 V，I
D
= 28 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 28 A
V
GS
= 4 V，I
D
= 28 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 250
A
V
DS
= 10 V，I
D
= 28 A
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1920
380
140
35
440
110
230
44
25
8
13
1.0
60
100
1.0
13
分钟。
典型值。
13
17
20
1.5
42
10
±10
2880
570
250
80
1100
220
500
66
38
马克斯。
17
23
27
2.0
单位
m
m
m
V
S
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
D.U.T.
R
L
V
GS
V
GS
电波表
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
90 %
90 %
I
D
PG 。
R
G
R
G
= 10
0
I
D
10 %
V
GS （上）
90 %
R
L
V
DD
V
DD
50
V
GS
0
t
t = 1
s
占空比
≤
1 %
D
电波表
I
0
10 %
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
10 %
t
f
2
基本产品信息D13792EJ2V0PM00
NP55N06CLD,NP55N06DLD,NP55N06ELD
封装图（单位：mm ）
1. TO- 220AB （ MP -25 ）
2， TO- 262 （ MP -25鳍片切割）
1.0±0.5
3.0±0.3
10.6 MAX 。
3.6±0.2
10.0
5.9 MIN 。
15.5 MAX 。
4.8最大。
1.3±0.2
4.8最大。
1.3±0.2
10
4
1
2
3
1 2 3
6.0 MAX 。
12.7分钟。
1.3±0.2
1.3±0.2
0.5±0.2
0.75±0.3
2.54
2.8±0.2
0.75±0.1
2.54
2.54
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin （漏）
0.5±0.2
2.8±0.2
2.54
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin （漏）
3， TO- 263 （ JEDEC类型： MP- 25ZJ ）
(10.0)
4
1.0±0.5
8.5±0.2
4.8最大。
1.3±0.2
5.7±0.4
1.4±0.2
0.7±0.2
(2.54) 1
2
3
(2.54)
.5
(0
R)
(
R
0.8
)
0.5±0.2
2.8±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin （漏）
12.7分钟。
4
8.5±0.2
基本产品信息D13792EJ2V0PM00
3
NP55N06CLD,NP55N06DLD,NP55N06ELD
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在其设计的措施，如冗余度，防火和防故障功能。
NEC公司的设备被分类成下列三个质量等级：
＆ QUOT ;标准＆ QUOT ;，＆ QUOT ;特殊＆ QUOT ;和＆ QUOT ;比＆ QUOT ;.在具体的质量等级只适用于设备的基础上研制
一个顾客指定"quality保证program"针对特定应用程序。推荐用途
一个设备的依赖于它的质量等级，如以下所示。客户必须检查每个质量等级
之前在特定的应用中使用它的设备。
标准：计算机，办公自动化设备，通信设备，测试和测量设备，
音频和视频设备，家用电子电器，机床，个人电子
设备和工业机器人
特别声明：运输设备（汽车，火车，船舶等） ，交通控制系统，防灾
系统，防止犯罪系统，安全设备和医疗设备（不包括专门设计的
生命支持）
具体有：飞机，航空航天设备，海底中继设备，原子能控制系统，生命
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M4 96. 5
QQ：2880707522 复制
