NMC27C32B 32 768位（ 4096 ×8 ） CMOS EPROM
1996年12月
NMC27C32B
32 768位（ 4096 ×8 ） CMOS EPROM
概述
该NMC27C32B是32K紫外线擦除，再电
可编程CMOS EPROM非常适合应用
系统蒸发散的地方快速周转模式的实验和
低功率消耗是重要的要求
该NMC27C32B被设计成与单个操作
a
5V
电源与
g
10％的容差
该NMC27C32B封装在一个24针的双列直插式封装
年龄与石英窗的石英窗口允许
用户以露出芯片紫外光擦除位
图案的新格局可以被电写入
该设备按照编程程序
这是EPROM与制造国家专有的时间
成熟的CMOS双多晶硅栅极技术，
结合了高性能和高密度，低pow-
呃消费和出色的可靠性
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
CMOS低功耗
有源功率55毫瓦最大
待机功耗0 55毫瓦最大
扩展级温度范围
b
40℃
a
85 C
快速，可靠的编程
TTL CMOS兼容输入输出
三态输出
自动制造商标识代码
程序设计
大电流CMOS电平输出驱动器
兼容NMOS 2732
框图
引脚名称
A0 – A11
CE
OE
V
PP
O
0
– O
7
V
CC
GND
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
编程电压
输出
电源
地
TL 8827 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1996年美国国家半导体公司
TL 8827
RRD - B30M17印制在U S A
HTTP
WWW国家COM
接线图
27C256
27256
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O
0
O
1
O
2
GND
27C128
27128
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O
0
O
1
O
2
GND
27C64
2764
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O
0
O
1
O
2
GND
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O
0
O
1
O
2
GND
TL 8827 -2
27C16
2716
NMC27C32B
双列直插式封装
27C16
2716
27C64
2764
V
CC
PGM
27C128
27128
V
CC
PGM
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
27C256
27256
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
V
CC
A8
A9
V
PP
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
记
插座兼容EPROM的管脚配置示于邻近NMC27C32B销块
订单号NMC27C32BQ
见NS包装数J24AQ
商用温度范围（ 0℃至
a
70℃ ）V
CC
e
5V
g
10%
参数订单号
NMC27C32BQ150
NMC27C32BQ200
NMC27C32BQ250
访问时间（纳秒）
150
200
250
扩展级温度范围（
b
40℃
a
85 C ）V
CC
e
5V
g
10%
参数订单号
NMC27C32BQE200
访问时间（纳秒）
200
HTTP
WWW国家COM
2
电容
T
A
E A
25 C
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
f
e
1兆赫（注2 ）
条件典型值最大值单位
6
16
9
12
20
12
pF
pF
pF
输入电容除了OE V
PP
V
IN
e
0V
OE V
PP
输入电容
输出电容
V
IN
e
0V
V
OUT
e
0V
AC测试条件
输出负载
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
1 TTL门和
C
L
e
100 pF的（注8）
s
5纳秒
0 45V 2 4V
定时测量参考电平
输入
输出
0 8V和2V
0 8V和2V
AC波形
（注7 ）
TL 8827 - 3
注1
超出上述'绝对最大额定值' ，可能会对设备造成永久性损坏，这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性
注2
该参数仅取样，而不是100％测试
注3
OE可能会延迟到t
加
b
t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
注4
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定
高TRI- STATE测得的V
OH1
（DC）的
b
0 10V
低TRI- STATE测得V
OL1
（DC）的
a
0 10V
注5
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现
注6
电源开关的EPROM的特征需要仔细器件去耦，建议至少一个0 1
mF
陶瓷电容器被用在
V的每一个设备
CC
和GND
注7：
的输出必须被限制到V
CC
a
1 0V ，避免闩锁和设备损坏
注8
1 TTL门我
OL
e
1 6毫安我
OH
E B
400
mA
C
L
100 pF的包括夹具电容
注9
输入和输出可以下冲来
b
2 0V为20 ns（最大值） ，除了OE V
PP
不能超过
b
0 2V
注10
典型值是在t
A
e
25℃和额定电源电压
HTTP
WWW国家COM
4
编程特性
（注1
符号
t
AS
t
OES
t
DS
t
VCS
t
AH
t
DH
t
CF
t
PW
t
OEH
t
DV
t
PRT
t
VR
I
PP
I
CC
T
A
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
数据建立时间
V
CC
建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片使能到输出的浮动延迟
编程脉冲宽度
OE保持时间
数据有效期从CE
OE脉冲上升时间
在编程过程中
V
PP
恢复时间
V
PP
在电源电流
编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入上升下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
2 3
4)
民
1
1
1
1
0
1
典型值
最大
单位
ms
ms
ms
ms
ms
ms
60
100
105
250
50
1
ns
ms
ms
ns
ns
ms
30
10
20
60
12 5
5
00
24
08
08
40
20
20
0 45
25
6 25
12 75
30
65
13 0
mA
mA
C
V
V
ns
V
V
V
V
条件
OE
e
V
IL
0
95
1
OE
e
V
IL
CE
e
V
IL
OE
e
V
PP
编程波形
TL 8827 - 4
注1
只有国家标准的产品保修适用于编程，这里所描述的设备规格
注2
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
在EPROM中不能插入或从除去
板与电压施加到V
PP
或V
CC
注3
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚14V护理必须切换V时，应采取
PP
电源，以防止过冲超出这个14V最大规格至少为0 1
mF
电容器两端V所需
CC
到GND抑制杂散
电压瞬变可能会损坏设备
注4
编程和程序校验是在典型的电源电压和时序测试与快速的程序算法
5
HTTP
WWW国家COM
NMC27C32B 32 768位（ 4096 ×8 ） CMOS EPROM
1996年12月
NMC27C32B
32 768位（ 4096 ×8 ） CMOS EPROM
概述
该NMC27C32B是32K紫外线擦除，再电
可编程CMOS EPROM非常适合应用
系统蒸发散的地方快速周转模式的实验和
低功率消耗是重要的要求
该NMC27C32B被设计成与单个操作
a
5V
电源与
g
10％的容差
该NMC27C32B封装在一个24针的双列直插式封装
年龄与石英窗的石英窗口允许
用户以露出芯片紫外光擦除位
图案的新格局可以被电写入
该设备按照编程程序
这是EPROM与制造国家专有的时间
成熟的CMOS双多晶硅栅极技术，
结合了高性能和高密度，低pow-
呃消费和出色的可靠性
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
CMOS低功耗
有源功率55毫瓦最大
待机功耗0 55毫瓦最大
扩展级温度范围
b
40℃
a
85 C
快速，可靠的编程
TTL CMOS兼容输入输出
三态输出
自动制造商标识代码
程序设计
大电流CMOS电平输出驱动器
兼容NMOS 2732
框图
引脚名称
A0 – A11
CE
OE
V
PP
O
0
– O
7
V
CC
GND
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
编程电压
输出
电源
地
TL 8827 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1996年美国国家半导体公司
TL 8827
RRD - B30M17印制在U S A
HTTP
WWW国家COM
接线图
27C256
27256
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O
0
O
1
O
2
GND
27C128
27128
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O
0
O
1
O
2
GND
27C64
2764
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O
0
O
1
O
2
GND
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O
0
O
1
O
2
GND
TL 8827 -2
27C16
2716
NMC27C32B
双列直插式封装
27C16
2716
27C64
2764
V
CC
PGM
27C128
27128
V
CC
PGM
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
27C256
27256
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
V
CC
A8
A9
V
PP
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
记
插座兼容EPROM的管脚配置示于邻近NMC27C32B销块
订单号NMC27C32BQ
见NS包装数J24AQ
商用温度范围（ 0℃至
a
70℃ ）V
CC
e
5V
g
10%
参数订单号
NMC27C32BQ150
NMC27C32BQ200
NMC27C32BQ250
访问时间（纳秒）
150
200
250
扩展级温度范围（
b
40℃
a
85 C ）V
CC
e
5V
g
10%
参数订单号
NMC27C32BQE200
访问时间（纳秒）
200
HTTP
WWW国家COM
2
电容
T
A
E A
25 C
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
f
e
1兆赫（注2 ）
条件典型值最大值单位
6
16
9
12
20
12
pF
pF
pF
输入电容除了OE V
PP
V
IN
e
0V
OE V
PP
输入电容
输出电容
V
IN
e
0V
V
OUT
e
0V
AC测试条件
输出负载
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
1 TTL门和
C
L
e
100 pF的（注8）
s
5纳秒
0 45V 2 4V
定时测量参考电平
输入
输出
0 8V和2V
0 8V和2V
AC波形
（注7 ）
TL 8827 - 3
注1
超出上述'绝对最大额定值' ，可能会对设备造成永久性损坏，这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性
注2
该参数仅取样，而不是100％测试
注3
OE可能会延迟到t
加
b
t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
注4
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定
高TRI- STATE测得的V
OH1
（DC）的
b
0 10V
低TRI- STATE测得V
OL1
（DC）的
a
0 10V
注5
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现
注6
电源开关的EPROM的特征需要仔细器件去耦，建议至少一个0 1
mF
陶瓷电容器被用在
V的每一个设备
CC
和GND
注7：
的输出必须被限制到V
CC
a
1 0V ，避免闩锁和设备损坏
注8
1 TTL门我
OL
e
1 6毫安我
OH
E B
400
mA
C
L
100 pF的包括夹具电容
注9
输入和输出可以下冲来
b
2 0V为20 ns（最大值） ，除了OE V
PP
不能超过
b
0 2V
注10
典型值是在t
A
e
25℃和额定电源电压
HTTP
WWW国家COM
4
编程特性
（注1
符号
t
AS
t
OES
t
DS
t
VCS
t
AH
t
DH
t
CF
t
PW
t
OEH
t
DV
t
PRT
t
VR
I
PP
I
CC
T
A
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
数据建立时间
V
CC
建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片使能到输出的浮动延迟
编程脉冲宽度
OE保持时间
数据有效期从CE
OE脉冲上升时间
在编程过程中
V
PP
恢复时间
V
PP
在电源电流
编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入上升下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
2 3
4)
民
1
1
1
1
0
1
典型值
最大
单位
ms
ms
ms
ms
ms
ms
60
100
105
250
50
1
ns
ms
ms
ns
ns
ms
30
10
20
60
12 5
5
00
24
08
08
40
20
20
0 45
25
6 25
12 75
30
65
13 0
mA
mA
C
V
V
ns
V
V
V
V
条件
OE
e
V
IL
0
95
1
OE
e
V
IL
CE
e
V
IL
OE
e
V
PP
编程波形
TL 8827 - 4
注1
只有国家标准的产品保修适用于编程，这里所描述的设备规格
注2
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
在EPROM中不能插入或从除去
板与电压施加到V
PP
或V
CC
注3
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚14V护理必须切换V时，应采取
PP
电源，以防止过冲超出这个14V最大规格至少为0 1
mF
电容器两端V所需
CC
到GND抑制杂散
电压瞬变可能会损坏设备
注4
编程和程序校验是在典型的电源电压和时序测试与快速的程序算法
5
HTTP
WWW国家COM
NMC27C32B 32 768位（ 4096 ×8 ） CMOS EPROM
1996年12月
NMC27C32B
32 768位（ 4096 ×8 ） CMOS EPROM
概述
该NMC27C32B是32K紫外线擦除，再电
可编程CMOS EPROM非常适合应用
系统蒸发散的地方快速周转模式的实验和
低功率消耗是重要的要求
该NMC27C32B被设计成与单个操作
a
5V
电源与
g
10％的容差
该NMC27C32B封装在一个24针的双列直插式封装
年龄与石英窗的石英窗口允许
用户以露出芯片紫外光擦除位
图案的新格局可以被电写入
该设备按照编程程序
这是EPROM与制造国家专有的时间
成熟的CMOS双多晶硅栅极技术，
结合了高性能和高密度，低pow-
呃消费和出色的可靠性
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
CMOS低功耗
有源功率55毫瓦最大
待机功耗0 55毫瓦最大
扩展级温度范围
b
40℃
a
85 C
快速，可靠的编程
TTL CMOS兼容输入输出
三态输出
自动制造商标识代码
程序设计
大电流CMOS电平输出驱动器
兼容NMOS 2732
框图
引脚名称
A0 – A11
CE
OE
V
PP
O
0
– O
7
V
CC
GND
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
编程电压
输出
电源
地
TL 8827 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1996年美国国家半导体公司
TL 8827
RRD - B30M17印制在U S A
HTTP
WWW国家COM
接线图
27C256
27256
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O
0
O
1
O
2
GND
27C128
27128
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O
0
O
1
O
2
GND
27C64
2764
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O
0
O
1
O
2
GND
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O
0
O
1
O
2
GND
TL 8827 -2
27C16
2716
NMC27C32B
双列直插式封装
27C16
2716
27C64
2764
V
CC
PGM
27C128
27128
V
CC
PGM
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
27C256
27256
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
V
CC
A8
A9
V
PP
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
记
插座兼容EPROM的管脚配置示于邻近NMC27C32B销块
订单号NMC27C32BQ
见NS包装数J24AQ
商用温度范围（ 0℃至
a
70℃ ）V
CC
e
5V
g
10%
参数订单号
NMC27C32BQ150
NMC27C32BQ200
NMC27C32BQ250
访问时间（纳秒）
150
200
250
扩展级温度范围（
b
40℃
a
85 C ）V
CC
e
5V
g
10%
参数订单号
NMC27C32BQE200
访问时间（纳秒）
200
HTTP
WWW国家COM
2
电容
T
A
E A
25 C
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
f
e
1兆赫（注2 ）
条件典型值最大值单位
6
16
9
12
20
12
pF
pF
pF
输入电容除了OE V
PP
V
IN
e
0V
OE V
PP
输入电容
输出电容
V
IN
e
0V
V
OUT
e
0V
AC测试条件
输出负载
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
1 TTL门和
C
L
e
100 pF的（注8）
s
5纳秒
0 45V 2 4V
定时测量参考电平
输入
输出
0 8V和2V
0 8V和2V
AC波形
（注7 ）
TL 8827 - 3
注1
超出上述'绝对最大额定值' ，可能会对设备造成永久性损坏，这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性
注2
该参数仅取样，而不是100％测试
注3
OE可能会延迟到t
加
b
t
OE
行政长官不会影响吨下降沿后
加
注4
经t
DF
和T
CF
比较电平如下确定
高TRI- STATE测得的V
OH1
（DC）的
b
0 10V
低TRI- STATE测得V
OL1
（DC）的
a
0 10V
注5
TRI- STATE可以使用OE或CE来实现
注6
电源开关的EPROM的特征需要仔细器件去耦，建议至少一个0 1
mF
陶瓷电容器被用在
V的每一个设备
CC
和GND
注7：
的输出必须被限制到V
CC
a
1 0V ，避免闩锁和设备损坏
注8
1 TTL门我
OL
e
1 6毫安我
OH
E B
400
mA
C
L
100 pF的包括夹具电容
注9
输入和输出可以下冲来
b
2 0V为20 ns（最大值） ，除了OE V
PP
不能超过
b
0 2V
注10
典型值是在t
A
e
25℃和额定电源电压
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编程特性
（注1
符号
t
AS
t
OES
t
DS
t
VCS
t
AH
t
DH
t
CF
t
PW
t
OEH
t
DV
t
PRT
t
VR
I
PP
I
CC
T
A
V
CC
V
PP
t
FR
V
IL
V
IH
t
IN
t
OUT
参数
地址建立时间
OE建立时间
数据建立时间
V
CC
建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片使能到输出的浮动延迟
编程脉冲宽度
OE保持时间
数据有效期从CE
OE脉冲上升时间
在编程过程中
V
PP
恢复时间
V
PP
在电源电流
编程脉冲
V
CC
电源电流
温度环境
电源电压
编程电压
输入上升下降时间
输入低电压
输入高电压
输入时序参考电压
输出时序参考电压
2 3
4)
民
1
1
1
1
0
1
典型值
最大
单位
ms
ms
ms
ms
ms
ms
60
100
105
250
50
1
ns
ms
ms
ns
ns
ms
30
10
20
60
12 5
5
00
24
08
08
40
20
20
0 45
25
6 25
12 75
30
65
13 0
mA
mA
C
V
V
ns
V
V
V
V
条件
OE
e
V
IL
0
95
1
OE
e
V
IL
CE
e
V
IL
OE
e
V
PP
编程波形
TL 8827 - 4
注1
只有国家标准的产品保修适用于编程，这里所描述的设备规格
注2
V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
在EPROM中不能插入或从除去
板与电压施加到V
PP
或V
CC
注3
其可被应用到V中的最大绝对允许电压
PP
在编程过程中引脚14V护理必须切换V时，应采取
PP
电源，以防止过冲超出这个14V最大规格至少为0 1
mF
电容器两端V所需
CC
到GND抑制杂散
电压瞬变可能会损坏设备
注4
编程和程序校验是在典型的电源电压和时序测试与快速的程序算法
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