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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第487页 > NMC0805NPO470J50TRPF
多层陶瓷芯片电容器
特点
I类电介质,温度补偿
随着时间推移,电压高稳定性和
温度变化
低介质损耗
镍挡板终端和优良
机械强度
NPO规格
电容范围
电容容差
工作温度范围
温度特性
额定电压
耗散因数
绝缘电阻
绝缘耐电压
测试条件( EIA- 198-2E )
NMC系列NPO
扩大
01005
表壳尺寸
0.47pF至0.068μF
10pF以下: ± 0.1pF (B ) , ±电容是0.25 pF (C ) , ±在0.5pF (D )
为10pF及以上: ± 1 % (F ) , ± 2 % ( G) , ± 5 % (J )
-55°C ~ +125°C
0 ± 30ppm的/°C的
25VDC , 35VDC , 50V直流(见NMC -H系列高电压)
对于价值>30pF 0.1 %@ 25 ℃;对于价值< 30pF的Q = 400 + 20乘C (C为pF )
10,000Megohms分钟。或500Megohm / μF (分钟) ,以较低者为准@ + 25°C
5 ± 1秒250 %额定电压为50mA最大电流
<1000pF ; 1MHz时, 1.2Vrms最大。或>1000pF ; 1KHz时, 1.2Vrms最大。
典型的NPO温度COEF网络cient
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-55 -25
0 25
50 75 100 125
温度(摄氏度)
0.2
0.1
0.0
-0.1
-0.2
电压COEF网络cient
电容 - NPO
10,000
最小绝缘电阻
与温度
1000
100
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
直流电压APPLIED
0.2
0.1
10
10
25
100 150
温度(摄氏度)
阻抗 - 频率曲线NPO
1000
100
10
1
1000pF
100pF
老化率 - NPO
0.0
-0.1
0.1
0.01
1
10
100
频率(MHz)
1000
-0.2
1
10
100
小时
1000
10000
型号系统
NMC 0805 NPO 101 50 TRP或TRPLP 3K F
符合RoHS
可选卷轴数量( 3K = 3,000pcs )
磁带&卷(压花塑料载体)
磁带&卷(打孔载体)
电压( VDC )
电容公差代码(见图表)
电容码,表示单位为pF ,科幻RST 2位是
显着的,第三个数字是否定的。零,“R ”表示
十进制为10pF的下
温度特性
尺寸代码(见图表)
系列
NIC昌科技股份有限公司。
www.niccomp.com
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www.RFpassives.com
www.SMTmagnetics.com
1
多层陶瓷芯片电容器
EIA外壳尺寸
长度(L)的
宽度( w)的
厚度最大。 (T )
终止宽度
(P)
电容
0.5pF
1.0pF
1.5pF
2.0pF
3.0pF
4.0pF
5.0pF
6.0pF
7.0pF
8.0pF
9.0pF
10pF
12pF
15pF
18pF
22pF
27pF
33pF
39pF
47pF
56pF
68pF
82pF
100pF
01005
0.4±0.02
0.2±0.02
0.22
0.1±0.03
工作电压(VDC )
16
EIA外壳尺寸
长度(L)的
宽度( w)的
厚度最大。 (T )
终止宽度
(P)
电容
0.47pF 22pF的
24pF
27pF
30pF
33pF
36pF
39pF
43pF
47pF
51pF
56pF
62pF
68pF
75pF
82pF
91pF
100pF
110pF
120pF
130pF
150pF
160pF
180pF
200pF
220pF
240pF
270pF
300pF
330pF
360pF
390pF
430pF
470pF
510pF
560pF
620pF
680pF
750pF
820pF
910pF
0.001μF
0.0012μF
0.0015μF
0.0018μF
0.0022μF
0.0027μF
0.0033μF
0.0039μF
0.0047μF
0.0056μF
0.0068μF
0.0082μF
* 1.45毫米最大厚度
0201
0.6±0.03
0.3±0.03
0.33
0.15±0.05
0402
1.0±0.05
0.5±0.05
0.6
0.2±0.1
NMC系列NPO
0603
1.6±0.15
0.8±0.15
1.0
0.12 ~ 0.51
0805
2.0±0.2
1.25±0.2
1.35
0.25 ~ 0.71
工作电压(VDC )
10 16 25 50 16 25 50 100 16 25 50 100 16 25 50 100
W
T
P
L
P
100 %的锡比镍屏障
(向厂家咨询
电容
VALUES未上市)
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
2
NIC昌科技股份有限公司。
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多层陶瓷芯片电容器
EIA外壳尺寸
长度(L)的
宽度( w)的
厚度最大。 (T )
终止宽度( P)
电容
0.47pF 9.1pF
在10pF 22pF的
24pF 0.001μF
0.0012μF
0.0015μF
0.0018μF
0.0022μF
0.0027μF
0.0033μF
0.0039μF
0.0047μF
0.0056μF
0.0068μF
0.0075μF
0.0082μF
0.0091μF
0.01μF
0.012μF
0.015μF
0.018μF
0.022μF
0.027μF
0.033μF
0.039μF
0.047μF
0.056μF
1210
3.2±0.2
2.5±0.2
1.80
0.25 ~ 0.71
工作电压(VDC )
16 25 50 100 10 16 25 50 100 10 16 25 50 100
0805
2.0±0.2
1.25±0.2
1.45
0.25 ~ 0.71
1206
3,2±0.2
1.6±0.2
1.80
0.25 ~ 0.71
NMC系列NPO
1812
4.5±0.3
3.2±0.25
1.80
0.25 ~ 0.76
25
50
100
2225
5.70±0.4
6.35±0.25
1.80
0.25 ~ 1.02
50
100
前一页
*
**
**
**
**
* 1.90毫米最大厚度, ** 2.60毫米最大厚度
请参阅NMC高Capactiance数据更高电容值
或NMC -H高压表更高的额定电压
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