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多层陶瓷芯片电容器
特点
II类电介质,温度稳定性
EAR
优良的频率特性,非线性
RoHS指令
静电容量变化
柔顺
更高的电容量比NPO
包括所有均质材料中
镍挡板终端和优良
机械强度
*请参阅产品型号系统详情
S
S
f
NMC系列X7R
电容范围
电容容差
工作温度范围
温度特性
额定电压
耗散因数
绝缘电阻
绝缘耐电压
测试条件( EIA- 198-2E )
%静电容量变化
47pF的 0.82μF (参见更高电容值,高CV数据表)
±5% (J) ,±10% (K), ± 20% (M)的
-55°C ~ +125°C
± 15% Δ最大。整个温度范围内( 0伏加)
10VDC , 16V直流, 25VDC , 35VDC , 50V直流(见NMC -H系列高电压)
2.5 %以下。 ( 50V直流, 100V直流) ; 3.5 %以下。 ( 16V直流, 25VDC ) 5 %以下。 ( 10V直流)
@ 1.0Vrms和1KHz的, + 25°C
10,000Megohms分钟。或500Megohm / μF分钟。以较低者为准@ + 25°C
5 ± 1秒250 %额定电压为50mA最大电流
1KHz的, 1.0V ± 0.2Vrms
电容的电压COEF网络cient - X7R
%静电容量变化
典型的X7R温度COEF网络cient
温度°C
直流电压APPLIED
最小绝缘电阻
与温度的关系
绝缘电阻
( μ法拉)
10000
阻抗与频率 - X7R
%损耗因数
阻抗
Ω
%损耗角正切与温度的关系
1000
100
10
10
25
100 125
频率(MHz)
温度°C
温度°C
型号系统
NMC 0805 X7R 102 50 TRP或TRPLP 3K F
系列
符合RoHS
可选卷轴数量( 3K = 3,000pcs )
磁带&卷(压花塑料载体)
磁带&卷(打孔载体)
电压( VDC )
电容公差代码(见图表)
电容码,表示单位为pF ,
第一个2位数的
显着的,第三个数字是否定的。零,“R ”表示
十进制为10pF的下
温度特性
尺寸代码(见图表)
NIC昌科技股份有限公司。
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特定网络阳离子如有变动
1
多层陶瓷芯片电容器
X7R电容器的尺寸图(毫米)
EIA外壳尺寸
长度(L)的
宽度( w)的
厚度最大。 (T )
终止宽度( P)
电容
47pF的 91pF
100pF的 470pF的
510pF
560pF
620pF
680pF
750pF
820pF
910pF
0.001μF
0.0012μF
0.0015μF
0.0018μF
0.0022μF
0.0027μF
0.0030μF
0.0033μF
0.0039μF
0.0047μF
0.0056μF
0.0068μF
0.0075μF
0.0082μF
0.01μF
0.012μF
0.015μF
0.018μF
0.022μF
0.033μF
0.039μF
0.047μF
0.056μF
0.068μF
0.082μF
0.1μF
0.15μF
0.18μF
0.22μF
0.33μF
0.39μF
0.47μF
0.56μF
0.68μF
0.82μF
* 1.45毫米最大厚度
0201
0.6±0.03
0.3±0.03
0.3±0.03
0.15±0.05
16
25
50
10
0402
1.0±0.05
0.5±0.05
0.6
0.2±0.1
16
25
0603
1.6±0.15
0.8±0.15
1.0
0.12 ~ 0.51
工作电压(VDC )
50 10 16 25 50 100 10
0805
2.0±0.2
1.25±0.2
1.35
0.25 ~ 0.71
16
25
50
100
NMC系列X7R
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
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*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
(向厂家咨询
电容
VALUES未上市)
W
请参阅NMC高CV系列以上0.82μF值
T
P
P
L
100 %的锡比镍屏障
2
NIC昌科技股份有限公司。
www.niccomp.com
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特定网络阳离子如有变动
多层陶瓷芯片电容器
X7R电容器的尺寸图(毫米)
EIA外壳尺寸
长度(L)的
宽度( w)的
厚度最大。 (T )
终止宽度( P)
电容
150pF的 910pF
0.001
0.0012μF
0.0015μF
0.0018μF
0.0022μF
0.0027μF
0.0033μF
0.0036μF
0.0039μF
0.0043μF
0.0047μF
0.0056μF
0.0068μF
0.0075μF
0.0082μF
0.01μF
0.012μF
0.015μF
0.018μF
0.022μF
0.027μF
0.033μF
0.036μF
0.039μF
0.043μF
0.047μF
0.056μF
0.068μF
0.082μF
0.1μF
0.12μF
0.15μF
0.18μF
0.22μF
0.27μF
0.33μF
0.39μF
0.47μF
0.56μF
0.68μF
0.82μF
* 2.20毫米最大厚度
1206
3.2±0.2
1.6±0.2
1.80
0.25 ~ 0.71
10 16 25 50 100 10
NMC系列X7R
1210
1812
2225
3.2±0.2
4.5±0.3
5.7±0.4
2.5±0.2
3.2±0.25
6.35±0.25
1.80
1.8
1.80
0.25~0.75
0.25 ~ 0.75
0.25 ~ 1.02
工作电压(VDC )
16 25 35 50 100 10 16 25 50 100 25 50 100
*
*
请参阅NMC高CV系列以上0.82μF值
H
P
W
P
L
100 %的锡比镍屏障
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特定网络阳离子如有变动
3
多层陶瓷芯片电容器
REEL
B
大坪特定网络阳离子
B
13 ± 0.5
C
50分钟。
100 ± 1.0
100 ± 1.0
D
21 ± 1.0
T最大。
8.4 +1.0/-0
( 1812外壳尺寸
12.4 +2.0/-0)
卷筒外形尺寸(mm )
卷筒直径( A)
7” (178 ± 2.0)
10” (250 ± 2.0)
13” (330 ± 2.0)
D
7寸卷数量*
C
SIZE
磁带尺寸
分钟。数量
每卷
马克斯。数量
每卷
01005
8mm
20,000
20,000
0201
8mm
20,000
20,000
0402
8mm
10,000
10,000
0603
8mm
4,000
4,000
0805
8mm
4,000
5,000
1206
8mm
4,000
5,000
1210
8mm
2,000
5,000
1812
12mm
1,000
2,000
*数量取决于切屑厚度。联系NIC的卷轴
数量上的较大直径的卷轴。
T
A
载带材料
零件厚度>1毫米将在浮雕录音
塑料载体。部件的厚度为小于1毫米
在纸质载体将被录音
滚花塑料带尺寸(毫米)
磁带尺寸
8mm
12mm
W
8.0 ± 0.2
12 ± 0.2
F
3.5 ± 0.05
5.5 ± 0.05
E
1.75 ± 0.10
P
0
4.0 ± 0.1
P
2
2.0 ± 0.5
D
1.5
+0.1-0.0
最大。
3.0
T最大。
2.0
4.5
P
4.0 ± 0.1
8.0 ± 0.1
注意事项:
1.特定网络连接的阳离子均符合EIA RS481-1 -A
“自动放置大坪的表面贴装元件”
2.尺寸敖(最大)等于组件的宽度尺寸加上0.5毫米
3.尺寸博(最大)等于部分长度尺寸加上0.5毫米
压纹塑料载带
D
T
P
o
E
P
2
F
B
o
W
A
o
K
P
见注释2 &关于3维
敖博和
冲孔带尺寸(毫米)
TYPE
A
o
B
o
W
F
E
P1
2.0 ± 0.05
8.0 ± 0.3
3.5 ± 0.05
1.75 ± 0.1
4.0 ± 0.10
01005 0.25 ± 0.04 0.45 ± 0.04
0201 0.37 ± 0.03 0.67 ± 0.05
0402 0.65 ± 0.05 1.15 ± 0.05
0603
1.1 ± 0.2
1.9 ± 0.2
0805 1.65 ± 0.2
2.4 ± 0.2
1206
2.0 ± 0.2
3.6 ± 0.2
P0
D0
T1
马克斯。
0.27
0.45
1.1
T2
马克斯。
0.36
0.80
1.4
MOUNTING
PUNCH
4.0 ± 0.1
1.5
+0.1/-0.0
穿孔载体TAPE
D
t
1
P
o
E
B
o
F
W
t
2
A
o
部件
沥青
P1
4
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    联系人:连
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
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联系人:陈先生
地址:深圳市福田区中航路都会大厦B座23X
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NICCOMPONENTS
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联系人:钟
地址:广东省深圳市福田区华强北路广博现代之窗A座13楼13H房
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24+
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电话:13683302275
联系人:王先生
地址:北京市房山区水墨林溪三区11号楼
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