NM25C040 4K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
1999年3月
NM25C040
4K位串行CMOS EEPROM
（串行外围接口（SPI），同步总线）
概述
该NM25C040是4096位CMOS EEPROM具有SPI
兼容的串行接口。该NM25C040被设计为数据
存储在既需要非易失性存储器和IN-应用
系统的数据更新。该EEPROM是非常适合于应用
使用68HC11系列微控制器支持SPI
接口与外围设备的高速通信
通过串行总线来减少引脚数。该NM25C040是imple-
mented在仙童半导体公司的浮栅CMOS工艺
可提供优异的耐久性和数据保存。
该装置的串行数据传输需要四个信号
线来控制该设备的操作：片选（CS ） ，时钟
（ SCK ） ，数据输入（ SI ）和串行数据输出（ SO ） 。所有的编程
周期是完全自定时的，并且不需要擦除
之前写。
块写保护是通过编程STA-提供
TUS寄存器的四个层次写保护之一。
此外，独立的写使能和写禁止指令
提供数据保护系统蒸发散。
硬件数据保护由WP引脚来提供保护
防止意外编程。 HOLD引脚允许串行
通讯而无需复位串行中断
序列。
特点
s
2.1 MHz的时钟速率@ 2.7V至5.5V
s
组织成512 ×8位4096
s
与单独的芯片相同的3线总线上的多个芯片
选择线
s
自定时编程周期
s
14个字节在一个时间同时编程
s
状态寄存器编程时可以轮询监控
就绪/忙
s
写保护（ WP ）引脚和写禁止指令为
硬件和软件写保护
s
块写保护功能，防止意外
写到
s
续航能力：100万数据的变化
s
数据保存40年以上
s
封装： 8引脚DIP ， 8引脚SO或8引脚TSSOP
框图
CS
HOLD
SCK
SI
指令
注册
指令
解码器
控制逻辑
和时钟
发电机
V
CC
V
SS
WP
地址
计数器/
注册
节目
启用
V
PP
EEPROM阵列
4096位
(512 x 8)
高压
发电机
和
节目
定时器
解码器
1 512
读/写安培
数据输入/输出寄存器
8位
数据输出
卜FF器
SO
非挥发
状态寄存器
DS012401-1
1999仙童半导体公司
NM25C040牧师D.1
1
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NM25C040 4K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
接线图
双列直插式封装（ N） ， SO封装（ M8 ）
和TSSOP封装（ MT8 ）
CS
SO
WP
V
SS
1
2
NM25C040
3
4
6
5
SCK
SI
DS012401-2
8
7
V
CC
HOLD
顶视图
见包装数N08E （N ） ， M08A （ M8 ） ，和MTC08 （ MT8 ）
引脚名称
CS
SO
WP
V
SS
SI
SCK
HOLD
V
CC
片选输入
串行数据输出
写保护
地
串行数据输入
串行时钟输入
暂停串行数据
电源
订购信息
NM
25
C
XX
LZ ê
XX
包
信
N
M8
MT8
无
V
E
空白
L
LZ
040
C
W
接口
25
NM
描述
8引脚DIP
8引脚SO
8引脚TSSOP
0至70℃
-40至+ 125°C
-40至+ 85°C
4.5V至5.5V
2.7V至4.5V
2.7V至4.5V ，并
<1μA待机电流
4K ，模式0
CMOS技术
整个阵列写保护
SPI
飞兆半导体非易失
记忆前缀
TEMP 。 RANGE
工作电压范围
密度/模式
2
NM25C040牧师D.1
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NM25C040 4K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
标准电压4.5
≤
V
CC
≤
5.5V规格
工作条件
绝对最大额定值
（注1 ）
保存环境温度
所有输入或输出电压与
对于地面
铅温度。 （焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
+300°C
2000V
工作环境温度
NM25C040
NM25C040E
NM25C040V
电源（V
CC
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
4.5V至5.5V
直流和交流电气特性
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V（除非另有规定）
符号
I
CC
I
CCSB
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
f
OP
t
RI
t
FI
t
CLH
t
CLL
t
CSH
t
CSS
t
DIS
t
HDS
t
CSN
t
DIN
t
HDN
t
PD
t
DH
t
LZ
t
DF
t
HZ
t
WP
参数
工作电流
待机电流
输入漏
输出漏
CMOS输入低电压
CMOS输入高电压
输出低电压
输出高电压
SCK频率
输入上升时间
输入下降时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
闵CS高电平时间
CS建立时间
数据建立时间
HOLD建立时间
CS保持时间
数据保持时间
HOLD保持时间
输出延迟
输出保持时间
持有至输出低Z
输出禁止时间
持有至输出高阻
写周期时间
条件
CS = V
IL
CS = V
CC
V
IN
= 0至V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
民
最大
3
50
单位
mA
A
A
A
V
V
V
V
兆赫
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-1
-1
-0.3
0.7 * V
CC
+1
+1
V
CC
* 0.3
V
CC
+ 0.3
0.4
I
OL
= 1.6毫安
I
OH
= -0.8毫安
V
CC
- 0.8
2.1
2.0
2.0
（注2 ）
（注2 ）
（注3）
190
190
240
240
100
90
240
100
90
C
L
= 200 pF的
0
100
C
L
= 200 pF的
1-4字节
240
100
10
240
ns
ns
ns
ns
ns
ms
电容
T
A
= 25 ° C，F = 2.1 / 1兆赫（注4 ）
符号
C
OUT
C
IN
AC测试条件
输出负载
输入脉冲电平
定时测量参考电平
C
L
= 200 pF的
0.1 * V
CC
– 0.9 * V
CC
0.3 * V
CC
- .07 * V
CC
TEST
输出电容
输入电容
典型值最大值单位
3
2
8
6
pF
pF
注1 ：
强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有评级，以及功能操作
器件在这些或以上，在规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
注2 ：
这架F
OP
频率规格指定的1 / f的最小时钟周期
OP
。因此，对于每一个F
OP
时钟周期，叔
CLH
+ t
CLL
必须等于或大于1 /女
OP
。为
例如，如果2.1MHz的周期= 476ns和叔
CLH
= 190ns ，T
CLL
必须是286ns 。
注3 ：
CS必须被拉高最少的t
CSH
之间连续的指令周期。
注4 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
3
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NM25C040 4K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
低电压2.7V
≤
V
CC
≤
4.5V规格
工作条件
绝对最大额定值
（注5 ）
保存环境温度
所有输入或输出电压与
对于地面
铅温度。 （焊接， 10秒）
ESD额定值
-65 ° C至+ 150°C
+ 6.5V至-0.3V
+300°C
2000V
工作环境温度
NM25C040L/LZ
NM25C040LE/LZE
NM25C040LV
电源（V
CC
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
2.7V–4.5V
直流和交流电气特性
2.7V
≤
V
CC
≤
4.5V （除非另有规定）
25C040L/LE
25C040LZ/ZE
符号
I
CC
I
CCSB
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
f
OP
t
RI
t
FI
t
CLH
t
CLL
t
CSH
t
CSS
t
DIS
t
HDS
t
CSN
t
DIN
t
HDN
t
PD
t
DH
t
LZ
t
DF
t
HZ
t
WP
25C040LV
民
最大
3
10
不适用
-1
-1
-0.3
V
CC
* 0.7
V
CC
- 0.8
1
1
V
CC
* 0.3
V
CC
+ 0.3
0.4
1.0
2.0
2.0
410
410
500
500
100
240
500
100
240
参数
工作电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
SCK频率
输入上升时间
输入下降时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
分钟。 CS高电平时间
CS建立时间
数据建立时间
HOLD建立时间
CS保持时间
数据保持时间
HOLD保持时间
输出延迟
输出保持时间
保持输出低Z
输出禁止时间
持有至输出喜
写周期时间
部分
L
LZ
条件
CS = V
IL
CS = V
CC
V
IN
= 0至V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
分钟。
马克斯。
3
10
1
单位
mA
A
A
A
A
V
V
V
V
兆赫
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-1
-1
-0.3
V
CC
* 0.7
1
1
V
CC
* 0.3
V
CC
+ 0.3
0.4
I
OL
- 0.8毫安
I
OH
= -0.8毫安
V
CC
- 0.8
1.0
2.0
2.0
（注6 ）
（注6 ）
（注7 ）
410
410
500
500
100
240
500
100
240
C
L
= 200 pF的
0
240
C
L
= 200 pF的
1-4字节
500
240
15
500
0
500
240
500
240
15
ns
ns
ns
ns
ns
ms
电容
T
A
= 25 ° C，F = 2.1 / 1兆赫（注8 ）
符号
C
OUT
C
IN
AC测试条件
输出负载
输入脉冲电平
定时测量参考电平
C
L
= 200pF的
0.1 * V
CC
- 0.9 * V
CC
0.3 * V
CC
- 0.7 * V
CC
TEST
输出电容
输入电容
典型值最大值单位
3
2
8
6
pF
pF
注5 ：
强调上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力装置的唯一的评级，并且功能操作
在这些或以上那些在规范的业务部门所标明的其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
注6 ：
这架F
OP
频率规格指定的1 / f的最小时钟周期
OP
。因此，对于每一个F
OP
时钟周期，叔
CLH
+ t
CLL
必须等于或大于1 /女
OP
。例如，
如果2.1MHz的周期= 476ns和T
CLH
= 190ns ，T
CLL
必须是286ns 。
注7 ：
CS必须被拉高最少的t
CSH
之间连续的指令周期。
注8 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
4
NM25C040牧师D.1
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NM25C040 4K位串行CMOS EEPROM
（串行Periphrial接口（SPI ）同步总线）
AC测试条件
（续）
VIH
CS
VIL
VIH
SCK
VIL
VIH
SI
VIL
VOH
SO
VOL
图1.同步数据时序图
图2.保持时间
,,
,
TCSS
tclh
TCLL
TDI发动机
tPD的
SCK
TCSH
tCSN
TDIN
TDH
TDF
DS012401-3
THDS
HOLD
tHDN
THDS
tHDN
太赫兹
SO
TLZ
DS012401-6
图3： SPI串行接口
主控MCU
数据输出（ MOSI ）
数据输入（ MISO ）
串行时钟（CLK ）
NM25C040
SPI
芯片
选择
SS0
SS1
SS2
SS3
SI
SO
SCK
CS
SI
SO
SCK
CS
SI
SO
SCK
CS
SI
SO
SCK
CS
DS012401-4
5
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