NM93C13 C14 256 1024位串行EEPROM
1994年9月
NM93C13 C14
256 1024位串行EEPROM
概述
该NM93C13 C14是分别256 1024位的
的CMOS电可擦除存储器分为16 64 16
他们利用国家Semicon-捏造位寄存器
导体的浮栅CMOS工艺的高速高
可靠性和低功耗的NM93C13 C14在提供
采用8引脚SO封装，以节省电路板空间
该NM93C13 C14的串行接口是MICROWIRE
TM
对于简单的接口标准兼容的微控制器
和微处理器有7条指令阅读
擦除写使能擦除擦除全部写写所有和
擦除写入禁止
所有的编程周期是完全自定时的simpli-
田间作业的准备忙碌状态可在DO
引脚来指示完成一个编程周期
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
典型工作电流400
mA
典型待机电流
25
mA
可靠的CMOS浮栅技术
4 5V 5 5V工作在所有模式
MICROWIRE兼容的串行I O
自定时编程周期
在编程模式下的设备状态指示
15年数据保留
耐力100000读写周期最小
封装8脚DIP 8引脚SO
框图
TL 11291 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
微丝
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL 11291
RRD - B30M65印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
铅温度（焊接10秒）
ESD额定值
b
65℃，以
a
150 C
a
6 5V至
b
0 3V
a
300 C
工作条件
工作环境温度
NM93C13- NM93C14
电源
0 ℃
a
70 C
4 5V 5 5V
2000V
直流和交流电气特性
V
CC
e
5 0V
g
10％ （除非另有规定） （注2）
符号
I
CC1
I
CC3
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
SKS
t
CS
t
CSS
t
DH
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
WP
参数
工作电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
SK建立时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
D0保持时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟为“ '1''
输出延迟为'' 0 ''
CS为有效状态
政务司司长TRI- STATE DO
写周期时间
CS
e
V
IL
（注3）
（注3）
300
250
50
250
50
70
100
0
20
500
500
500
100
10
I
OL
e
2 1毫安
I
OH
E B
400
mA
I
OL
e
10
mA
I
OH
E B
10
mA
24
02
V
CC
b
0 2
1
条件
CS
e
V
IH
SK
e
1兆赫
CS
e
0V
V
IN
e
0V至V
CC
V
IN
e
0V至V
CC
b
10
b
10
b
0 1
民
最大
4
200
10
10
08
V
CC
a
1
04
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
2
电容
（注4 ）
T
A
e
25 C 2 F
e
1兆赫
符号
C
OUT
C
IN
TEST
输出电容
输入电容
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
AC测试条件
输出负载
1 TTL门和C
L
e
100 pF的
输入脉冲电平
0 4V至2 4V
定时测量参考电平
输入
1V和2V
产量
0 8V和2V
注1
应力超出上述'绝对最大额定值' ，可能会对设备造成永久性损坏，这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上，在规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性
注2
100 ％的功能测试交直流参数测试样品为0 4 ％ AQL
注3
在SK的频率规范指定的1最低SK时钟周期
ms
因此如果在SK时钟周期T
圣公会
a
t
SKL
必须大于或等于
1
ms
例如，如果吨
SKL
e
500 ns的则最低吨
圣公会
e
500纳秒，以满足SK频率规格
注4
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试
3
功能说明
该NM93C13 C14有7说明如下所述
需要注意的是任何指令的MSB为“ '1''和被观看
如在界面序列对于C13和C14的起始位
下一个8比特携带操作码和6位的地址为
注册选择
读（ READ ）
READ指令对输出DO引脚串行数据
经过READ指令接收指令和管理者
裙被解码后从SE-数据传输
lected存储器寄存器向一个16位串行输出的移位寄存器
虚拟位（逻辑0 ）之前的16位数据输出
字符串输出数据的变化是由低到高启动
SK时钟过渡
擦写使能（ EWEN ）
当V
CC
施加到部件其上电时，在擦除
写禁止（ EWDS ）状态，因此，所有的编程
模式必须先进行擦除写使能
（ EWEN ）指令一旦擦除写使能指令
化，执行程序仍处于启用状态，直到
擦除写禁止（ EWDS ）指令被执行或V
CC
从该部分除去
擦除（ ERASE ）
ERASE指令将程序中指定的所有位
注册为逻辑“1”状态， CS为低电平以下
的最后一个地址的装入位的该下降沿
CS引脚启动自定时编程周期
在DO引脚指示芯片如果就绪BUSY状态
CS是一个最低的500纳秒（T之后变为高电平
CS
)
DO
e
逻辑'0'表示编程仍在prog-
RESS DO
e
逻辑'1'指示在寄存器
在指令中指定的地址已被删除，
部分准备执行下一条指令
写（ WRITE）
WRITE指令之后的数据是16位的
写入到指定的地址后数据的最后一位是
穿上了数据的引脚（DI） CS之前必须拉低
SK时钟CS的这一下降沿的下一个上升沿
启动自定时编程周期DO引脚indi-
盖茨芯片的BUSY就绪状态，如果CS被
最低500纳秒（T后高
CS
）做
e
逻辑0 indi-
盖茨认为编程仍在进行中DO
e
逻辑1
表明在地址寄存器中指定的
指令已被写入所指定的数据模式
在指令和部分准备好另一个指令
化
清除所有（ ERAL ）
ERAL指令将同时编程所有寄存器
在存储器阵列中存器和设置每个位的逻辑“1”
国家擦除所有的周期是相同的擦除周期
除了不同的操作码作为在擦除模式
在DO引脚指示芯片如果就绪BUSY状态
CS是一个最低的500纳秒（T之后变为高电平
CS
）的
删除所有指令，不需要见下文记
写入所有（ WRAL ）
WRAL指令将同时编程所有寄存器
TER值与在指令中指定的数据模式，当在
在写入模式下， DO引脚指示READY忙
该芯片如果CS的地位最低的后拉高
500纳秒（T
CS
)
擦除写禁止（ EWDS ）
为了防止意外的数据扰乱擦除写
禁用（ EWDS ）指令禁止所有的编程模式
和应遵循的所有编程操作执行
一个READ指令是独立于EWEN和
EWDS指令
记
该NM93C13 C14设备不需要“擦除”或“全部清除”前的“写”和“写全”指令“ ERASE ”和“删除所有”
说明被包括以保持与所述NMOS NMC9346兼容性
指令集的NM93C13和NM93C14
指令
读
EWEN
抹去
写
ERAL
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
01
00
00
00
地址
A5–A0
11XXXX
A5–A0
A5–A0
10XXXX
01XXXX
00XXXX
D15– D0
D15– D0
数据
评论
读在指定的地址存储在内存中的数据
写使能必须在前面所有的编程模式
删除已选择寄存器
写入所选寄存器
删除所有的寄存器
将所有的寄存器
禁用所有的程序指令
4
时序图
同步数据时序
TL 11291 - 4
读
地址位A5和A4成为''不在乎'的NM93C13
TL 11291 - 5
EWEN
该NM93C13和NM93C14需要至少9个时钟周期
TL 11291 - 6
5
NM93C13 C14 256 1024位串行EEPROM
1994年9月
NM93C13 C14
256 1024位串行EEPROM
概述
该NM93C13 C14是分别256 1024位的
的CMOS电可擦除存储器分为16 64 16
他们利用国家Semicon-捏造位寄存器
导体的浮栅CMOS工艺的高速高
可靠性和低功耗的NM93C13 C14在提供
采用8引脚SO封装，以节省电路板空间
该NM93C13 C14的串行接口是MICROWIRE
TM
对于简单的接口标准兼容的微控制器
和微处理器有7条指令阅读
擦除写使能擦除擦除全部写写所有和
擦除写入禁止
所有的编程周期是完全自定时的simpli-
田间作业的准备忙碌状态可在DO
引脚来指示完成一个编程周期
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
典型工作电流400
mA
典型待机电流
25
mA
可靠的CMOS浮栅技术
4 5V 5 5V工作在所有模式
MICROWIRE兼容的串行I O
自定时编程周期
在编程模式下的设备状态指示
15年数据保留
耐力100000读写周期最小
封装8脚DIP 8引脚SO
框图
TL 11291 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
微丝
TM
是美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL 11291
RRD - B30M65印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
保存环境温度
所有的输入或输出电压
相对于地面
铅温度（焊接10秒）
ESD额定值
b
65℃，以
a
150 C
a
6 5V至
b
0 3V
a
300 C
工作条件
工作环境温度
NM93C13- NM93C14
电源
0 ℃
a
70 C
4 5V 5 5V
2000V
直流和交流电气特性
V
CC
e
5 0V
g
10％ （除非另有规定） （注2）
符号
I
CC1
I
CC3
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
SKS
t
CS
t
CSS
t
DH
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
WP
参数
工作电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
SK建立时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
D0保持时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟为“ '1''
输出延迟为'' 0 ''
CS为有效状态
政务司司长TRI- STATE DO
写周期时间
CS
e
V
IL
（注3）
（注3）
300
250
50
250
50
70
100
0
20
500
500
500
100
10
I
OL
e
2 1毫安
I
OH
E B
400
mA
I
OL
e
10
mA
I
OH
E B
10
mA
24
02
V
CC
b
0 2
1
条件
CS
e
V
IH
SK
e
1兆赫
CS
e
0V
V
IN
e
0V至V
CC
V
IN
e
0V至V
CC
b
10
b
10
b
0 1
民
最大
4
200
10
10
08
V
CC
a
1
04
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
2
电容
（注4 ）
T
A
e
25 C 2 F
e
1兆赫
符号
C
OUT
C
IN
TEST
输出电容
输入电容
典型值
最大
5
5
单位
pF
pF
AC测试条件
输出负载
1 TTL门和C
L
e
100 pF的
输入脉冲电平
0 4V至2 4V
定时测量参考电平
输入
1V和2V
产量
0 8V和2V
注1
应力超出上述'绝对最大额定值' ，可能会对设备造成永久性损坏，这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上，在规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性
注2
100 ％的功能测试交直流参数测试样品为0 4 ％ AQL
注3
在SK的频率规范指定的1最低SK时钟周期
ms
因此如果在SK时钟周期T
圣公会
a
t
SKL
必须大于或等于
1
ms
例如，如果吨
SKL
e
500 ns的则最低吨
圣公会
e
500纳秒，以满足SK频率规格
注4
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试
3
功能说明
该NM93C13 C14有7说明如下所述
需要注意的是任何指令的MSB为“ '1''和被观看
如在界面序列对于C13和C14的起始位
下一个8比特携带操作码和6位的地址为
注册选择
读（ READ ）
READ指令对输出DO引脚串行数据
经过READ指令接收指令和管理者
裙被解码后从SE-数据传输
lected存储器寄存器向一个16位串行输出的移位寄存器
虚拟位（逻辑0 ）之前的16位数据输出
字符串输出数据的变化是由低到高启动
SK时钟过渡
擦写使能（ EWEN ）
当V
CC
施加到部件其上电时，在擦除
写禁止（ EWDS ）状态，因此，所有的编程
模式必须先进行擦除写使能
（ EWEN ）指令一旦擦除写使能指令
化，执行程序仍处于启用状态，直到
擦除写禁止（ EWDS ）指令被执行或V
CC
从该部分除去
擦除（ ERASE ）
ERASE指令将程序中指定的所有位
注册为逻辑“1”状态， CS为低电平以下
的最后一个地址的装入位的该下降沿
CS引脚启动自定时编程周期
在DO引脚指示芯片如果就绪BUSY状态
CS是一个最低的500纳秒（T之后变为高电平
CS
)
DO
e
逻辑'0'表示编程仍在prog-
RESS DO
e
逻辑'1'指示在寄存器
在指令中指定的地址已被删除，
部分准备执行下一条指令
写（ WRITE）
WRITE指令之后的数据是16位的
写入到指定的地址后数据的最后一位是
穿上了数据的引脚（DI） CS之前必须拉低
SK时钟CS的这一下降沿的下一个上升沿
启动自定时编程周期DO引脚indi-
盖茨芯片的BUSY就绪状态，如果CS被
最低500纳秒（T后高
CS
）做
e
逻辑0 indi-
盖茨认为编程仍在进行中DO
e
逻辑1
表明在地址寄存器中指定的
指令已被写入所指定的数据模式
在指令和部分准备好另一个指令
化
清除所有（ ERAL ）
ERAL指令将同时编程所有寄存器
在存储器阵列中存器和设置每个位的逻辑“1”
国家擦除所有的周期是相同的擦除周期
除了不同的操作码作为在擦除模式
在DO引脚指示芯片如果就绪BUSY状态
CS是一个最低的500纳秒（T之后变为高电平
CS
）的
删除所有指令，不需要见下文记
写入所有（ WRAL ）
WRAL指令将同时编程所有寄存器
TER值与在指令中指定的数据模式，当在
在写入模式下， DO引脚指示READY忙
该芯片如果CS的地位最低的后拉高
500纳秒（T
CS
)
擦除写禁止（ EWDS ）
为了防止意外的数据扰乱擦除写
禁用（ EWDS ）指令禁止所有的编程模式
和应遵循的所有编程操作执行
一个READ指令是独立于EWEN和
EWDS指令
记
该NM93C13 C14设备不需要“擦除”或“全部清除”前的“写”和“写全”指令“ ERASE ”和“删除所有”
说明被包括以保持与所述NMOS NMC9346兼容性
指令集的NM93C13和NM93C14
指令
读
EWEN
抹去
写
ERAL
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
01
00
00
00
地址
A5–A0
11XXXX
A5–A0
A5–A0
10XXXX
01XXXX
00XXXX
D15– D0
D15– D0
数据
评论
读在指定的地址存储在内存中的数据
写使能必须在前面所有的编程模式
删除已选择寄存器
写入所选寄存器
删除所有的寄存器
将所有的寄存器
禁用所有的程序指令
4
时序图
同步数据时序
TL 11291 - 4
读
地址位A5和A4成为''不在乎'的NM93C13
TL 11291 - 5
EWEN
该NM93C13和NM93C14需要至少9个时钟周期
TL 11291 - 6
5
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