纳安解决方案公司
670北麦卡锡大道。套件220 ，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035
电话： 408-935-7777 ，传真： 408-935-7770
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N16L163WC2C
超前信息
16Mb的超低功耗异步SRAM CMOS
1024K × 16位
概观
该N16L163WC2C是一个集成的内存
含有8Mbit的静态随机存取装置
内存16位组织为1,048,576字。
该设备设计和制造使用
纳安先进的CMOS技术
同时提供的高速性能和超低
力。该器件采用双芯片使能
（ CE1和CE2 ）控制和输出使能（ OE ）来
使其易于扩展内存。控制字节
（ UB和LB ）允许上部和下部字节是
独立地访问，并也可用于
取消选择该设备。该N16L163WC2C是最佳
用于各种应用，其中的低功耗是关键
如备用电池和手持设备。
该设备可以在非常宽的操作
温度范围-40
o
C至+ 85
o
C和是
在兼容JEDEC标准封装
与其他标准1024KB ×16的SRAM
特点
单宽电源电压范围
2.2至3.6伏特
- 极低的待机电流
2.5μA在3.0V （典型值）
极低的工作电流
在3.0V和1μs的2.0毫安（典型值）
简单的存储控制
双芯片使（ CE1和CE2 ）
字节控制独立字节操作
输出使能（ OE ）的内存扩展
- 低电压数据保留
VCC = 1.5V
非常快的输出使能存取时间
25ns的OE访问时间
自动关机进入待机模式
TTL兼容的三态输出驱动器
超低功耗排序可用
产品系列
产品型号
套餐类型
操作
温度
动力
速度
电源（VCC ）
待机
目前的工作电流
(I
SB
),
（ ICC） ，典型
典型
2.5
A
2毫安@ 1MHz的
N16L163WC2CT1
N16L163WC2CZ1
48 TSOP I无铅
VFBGA无铅
-40
o
C至+ 85
o
C
2.2V - 3.6V
55ns
库存号23383 -C
此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
1
N16L163WC2C
纳安解决方案公司
引脚配置
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
超前信息
2
OE
UB
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
DNU
I / O
12
DNU
A
14
A
12
A
9
I / O
14
I / O
13
I / O
15
A18
A
19
A
8
48引脚VFBGA （上）
8 ×10mm的
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE
CE2
DNU
UB
LB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48-Pin
TSOP -I
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
VCC *
VSS
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
VSS
CE1
A0
注：在TSOP -I封装引脚＃ 47必须连接到VCC。
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
19
WE
CE1 ， CE2
OE
LB
UB
I / O
0
-I / O
15
V
CC
V
SS
NC
DNU
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
动力
地
没有连接
不要使用
库存号23383 -C
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2
N16L163WC2C
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功能框图
地址
输入
A0 - A3
字
地址
解码
逻辑
超前信息
地址
输入
A4 - A19
页面
地址
解码
逻辑
1024K
x 16位
RAM阵列
输入/
产量
MUX
和
缓冲器
复字
I / O0 - I / O7
I / O8 - I / O15
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
控制
逻辑
功能说明
CE1
H
X
X
L
L
L
CE2
X
L
X
H
H
H
WE
X
X
X
L
H
H
OE
X
X
X
X
3
L
H
UB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
LB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
I / O
0
- I / O
151
高Z
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
2
待机
2
待机
2
写
3
读
活跃
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1.当UB和LB在选择模式（低） ， I / O
0
- I / O
15
受到影响，如图所示。当LB不仅是在选择模式下的I / O
0
- I / O
7
受到影响，如图所示。当UB是在选择模式下的I / O
8
- I / O
15
受到影响，如图所示。
2.当设备处于待机模式时，控制输入（WE ，OE ， UB和LB） ，地址输入端和数据输入/输出的内部
隔离任何外部影响，从外部施加任何影响禁用。
3.当我们被调用时， OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
电容
1
项
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C
民
最大
8
10
单位
pF
pF
1，这些参数在设备特性验证，并非100％测试
库存号23383 -C
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3
N16L163WC2C
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绝对最大额定值
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.5
500
-65到150
-40至+85
260
o
C， 10秒
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
超前信息
应力大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值仅为运行
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件的值，我们不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
工作特性（在规定温度范围）
项
电源电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写操作电源电流
租@ 1
s
周期
2
读/写操作电源
目前@ FMAX
最大待机电流
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
芯片已禁用
VCC = 2.2V至2.7V
VCC = 2.7V至3.6V
VCC = 2.2V至2.7V
VCC = 2.7V至3.6V
I
OH
= -0.1mA ， VCC = 2.2V
I
OH
= -1.0mA ， VCC = 2.7V
I
OL
= 0.1毫安， VCC = 2.2V
I
OL
= 0.1毫安， VCC = 2.7V
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
CC
=3.6 V, V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用，我
OUT
= 0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 85
o
C，V
CC
= 3.6 V
VCC = 1.5V ，V
IN
= V
CC
或0
芯片禁用，T
A
= 85
o
C
-L
-L
-L
-1
-1
2
2
15
15
2.5
-L
2.5
测试条件
分钟。
2.2
1.5
1.8
2.2
-0.3
-0.3
2.0
2.4
0.4
0.4
1
1
4.0
4.0
30
30
30
22
15
10
A
A
V
CC
+0.3
V
CC
+0.3
0.6
0.8
典型值
1
3.0
最大
3.6
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
最大数据保持电流
I
DR
1.典型值是在Vcc = Vcc的典型值，T测量。
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.此参数指定禁用，以避免外部负载效应的输出。用户必须添加的电流来驱动所需
输出电容预期在实际的系统中。
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4
N16L163WC2C
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时序测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
工作温度
0.1V
CC
0.9 V
CC
1V/ns
0.5 V
CC
CL = 50pF的
-40至+85
o
C
超前信息
定时
项
读周期时间
地址访问时间（随机存取）
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
字节选择有效输出
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
字节选择低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
字节选择Disable输出高阻态
从地址变更输出保持
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
字节选择要写入的结束
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
注意：
1.全AC设备的操作需要线性的Vcc斜坡从0到Vcc （分钟）
≥
500us.
2.全面的设备操作要求，从V的Vcc线性斜坡
DR
到Vcc （分钟）
≥
100我们还是稳定在Vcc （分钟）
≥
100us.
3.地址之前或重合的有效使用CE1 ， LB ， UB过渡LOW和CE2过渡HIGH 。
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LB
, t
UB
t
LZ
t
OLZ
t
LBZ
, t
UBZ
t
HZ
t
OHZ
t
LBHZ
, t
UBHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AW
t
LBW
, t
UBW
t
WP
t
AS
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
民
55
55
55
25
55
10
5
10
20
20
20
10
55
40
40
40
40
0
0
20
25
0
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
库存号23383 -C
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