NLAS5223 ， NLAS5223L
超低0.5
W
双路SPDT模拟开关
该NLAS5223是制造先进的CMOS模拟开关
亚微米硅栅CMOS技术。该装置是一个双
独立的单刀双掷（ SPDT ）开关为特色
超低R
ON
0.5
W,
在V
CC
= 3.0
$
0.3 V.
该器件还具有保证先断后（ BBM ）
开关，确保开关从来不缺乏驱动程序。
特点
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记号
图
WQFN10
CASE 488AQ
1
XX
=具体设备守则
AU = NLAS5223
AV = NLAS5223L
M
=日期代码
G
=无铅器件
（注：微球可在任一位置）
XXMG
G
超低R
ON
,
t0.5
W
在V
CC
= 3.0
$
0.3 V
NLAS5223接口与2.8 V芯片组
NLAS5223L接口与1.8 V芯片组
单电源供电，从1.65-3.6 V
最小的1.4× 1.8× 0.75毫米薄型QFN封装
全0 -V
CC
信号处理能力
高关通道隔离
低待机电流，
t50
nA
低失真
R
ON
0.15平整度
W
连续高电流能力
$300
毫安流经各开关
大电流钳位二极管的模拟输入
$300
mA的持续电流能力
ESD人体模型> 2000 V
这些无铅器件
应用
NC2
7
GND
6
IN2
8
5
NC1
COM2
9
4
IN1
NO2
10
3
COM1
手机音响座
扬声器和耳机开关
铃声芯片/功放开关
调制解调器
1， 2
0
1
1
V
CC
2
NO1
功能表
编号为1,2
关闭
ON
NC- 1,2
ON
关闭
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年9月 - 第4版
出版订单号：
NLAS5223/D
NLAS5223 ， NLAS5223L
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
anl1
I
anlpk1
I
CLMP
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
, V
NC
或V
COM
)
数字选择输入电压
从COM到NC持续直流电流/ NO
从山顶COM数控电流/ NO ， 10占空比（注1 ）
连续DC电流转换成COM / NO / NC相对于V
CC
或GND
参数
价值
-0.5到+4.6
0.5
v
V
IS
v
V
CC
+ 0.5
0.5
v
V
IN
v
+4.6
±300
±500
±100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.定义为10％ ， 90 ％灭占空比。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压（ OVT ）过压容差
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 1.6 V 2.7 V
V
CC
= 3.0 V 3.6 V
参数
民
1.65
GND
GND
40
最大
3.6
3.6
V
CC
+85
20
10
单位
V
V
V
°C
NS / V
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3
NLAS5223 ， NLAS5223L
NLAS5223直流特性 - 数字部分
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
关闭
I
CC
参数
最低高电平输入电压，选择
输入
最大低电平输入电压，选择
输入
最大输入漏电流，选择
输入
关机漏电流
最大静态电源电流
（注2 ）
V
IN
= 3.6 V或GND
V
IN
= 3.6 V或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
条件
V
CC
3.0
3.6
3.0
3.6
3.6
0
1.65 3.6
25°C
1.4
1.7
0.7
0.8
±0.1
±0.5
±1.0
40°C
至+ 85°C
1.4
1.7
0.7
0.8
±1.0
±2.0
±2.0
单位
V
V
mA
mA
mA
2.设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
NLAS5223 DC电气特性 - 模拟部分
保证最高限额
25°C
符号
R
ON
参数
NC / NO导通电阻
（注3）
NC / NO导通电阻平坦度
（注3和4）
导通电阻匹配通道间
（注3和5）
条件
V
IN
= V
IL
或V
IN
= V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
COM
= 100毫安
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
V
IS
= 1.5 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 1.8 V;
I
COM
= 100毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 0.3 V
V
COM
= 3.3 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
0.3 V或3.3 V带
V
NC
漂浮或
V
NC
0.3 V或3.3 V带
V
NO
漂浮的
V
COM
= 0.3 V或3.3 V
V
CC
3.0
3.6
3.0
3.6
3.0
3.6
3.6
10
民
最大
0.3
0.3
0.15
0.15
0.05
0.05
10
100
-40 ° C至
+85°C
民
最大
0.4
0.4
0.15
0.15
0.05
0.05
100
nA
单位
W
R
平
DR
ON
W
W
I
NC （关闭）
I
否（关）
I
COM（上）
常闭或常关，漏电流（注3）
COM在
漏电流
（注3）
3.6
10
10
100
100
nA
3.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
测量在规定的模拟4.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
5.
DR
上=
R
开（ MAX）的
R
开（分钟）
NC1和NC2之间或NO1和NO2之间。
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4
NLAS5223 ， NLAS5223L
NLAS5223L直流特性 - 数字部分
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
关闭
I
CC
参数
最低高电平输入电压，选择
输入
最大低电平输入电压，选择
输入
最大输入漏电流，选择
输入
关机漏电流
最大静态电源电流
（注6 ）
V
IN
= 3.6 V或GND
V
IN
= 3.6 V或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
条件
V
CC
3.0
3.6
3.0
3.6
3.6
0
1.65 3.6
25°C
1.1
1.3
0.5
0.5
±0.1
±0.5
±1.0
40°C
至+ 85°C
1.1
1.3
0.5
0.5
±1.0
±2.0
±2.0
单位
V
V
mA
mA
mA
6.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
NLAS5223L DC电气特性 - 模拟部分
保证最高限额
25°C
符号
R
ON
参数
NC / NO导通电阻
（注7 ）
NC / NO导通电阻平坦度
（注7,8）
导通电阻匹配通道间
（注7,9 ）
条件
V
IN
= V
IL
或V
IN
= V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
COM
= 100毫安
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
V
IS
= 1.5 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 1.8 V;
I
COM
= 100毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 0.3 V
V
COM
= 3.3 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
0.3 V或3.3 V带
V
NC
漂浮或
V
NC
0.3 V或3.3 V带
V
NO
漂浮的
V
COM
= 0.3 V或3.3 V
V
CC
3.0
3.6
3.0
3.6
3.0
3.6
3.6
10
民
最大
0.3
0.3
0.15
0.15
0.05
0.05
10
100
-40 ° C至
+85°C
民
最大
0.4
0.4
0.15
0.15
0.05
0.05
100
nA
单位
W
R
平
DR
ON
W
W
I
NC （关闭）
I
否（关）
I
COM（上）
常闭或常关，漏电流（注7）
COM在
漏电流
（注7 ）
3.6
10
10
100
100
nA
7.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
测量在规定的模拟8.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
9.
DR
上=
R
开（ MAX）的
R
开（分钟）
NC1和NC2之间或NO1和NO2之间。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
