NID9N05CL
功率MOSFET
9.0 A， 52 V， N沟道逻辑电平，
钳位MOSFET W / ESD保护
在DPAK封装
http://onsemi.com
好处
高能能力为感性负载
低开关噪声产生
特点
V
DSS
（夹紧）
52 V
R
DS （ ON）
典型值
90毫瓦
I
D
最大
（有限公司）
9.0 A
漏
（引脚2,4）
之间的栅极和源极钳位二极管
ESD保护 - HBM 5000 V
活跃的过电压门漏极钳位
可扩展到较低或较高的R
DS （ ON）
内部串联栅极电阻
无铅包可用
门
（引脚1）
R
G
过压
保护
M
PWR
应用
ESD保护
汽车和工业市场：
螺线管驱动器，灯驱动器，小型电机驱动器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压内部钳位
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 单脉冲（T
p
= 10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 125°C
(V
DD
= 50 V，I
D（ PK ）
= 1.5 A，V
GS
= 10 V,
R
G
= 25
W)
热阻，结到外壳
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
5259
±15
9.0
35
28.8
-55至175
160
单位
V
V
A
W
°C
mJ
DPAK
CASE 369C
方式2
Y
WW
D9N05CL
G
1
2
3
YWW
D9N
05CLG
来源
（引脚3 ）
记号
图
4
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
5.2
72
100
260
° C / W
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
1
2
3
4
- 门
=漏
=源
=漏
订购信息
°C
设备
NID9N05CLT4
NID9N05CLT4G
NID9N05CL
NID9N05CLG
包
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.当表面安装用1“的焊盘尺寸， （铜面积1.127的FR4板
2
).
2.表面安装在FR4板采用最小建议垫
大小（铜面积在0.412
2
).
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年4月 - 启示录7
出版订单号：
NID9N05CL/D
NID9N05CL
功率MOSFET
9.0 A， 52 V， N沟道逻辑电平，
钳位MOSFET W / ESD保护
在DPAK封装
http://onsemi.com
好处
高能能力为感性负载
低开关噪声产生
特点
V
DSS
（夹紧）
52 V
R
DS （ ON）
典型值
90 m
I
D
最大
（有限公司）
9.0 A
漏
（引脚2,4）
之间的栅极和源极钳位二极管
ESD保护 - HBM 5000 V
活跃的过电压门漏极钳位
可扩展到较低或较高的R
DS （ ON）
内部串联栅极电阻
应用
门
（引脚1）
R
G
过压
保护
M
PWR
汽车和工业市场：
螺线管驱动器，灯驱动器，小型电机驱动器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压内部钳位
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 单脉冲（T
p
= 10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 125°C
(V
DD
= 50 V，I
D（ PK ）
= 1.5 A，V
GS
= 10 V,
R
G
= 25
W)
热电阻 - 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
5259
±15
9.0
35
28.8
-55
175
160
单位
V
V
A
W
°C
mJ
ESD保护
来源
（引脚3 ）
记号
图
1
DPAK
CASE 369C
方式2
D9N05CL
A
Y
WW
2
3
1
2
3
4
- 门
=漏
=源
=漏
AYWW
D9N05CL
4
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
5.2
72
100
260
° C / W
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
订购信息
°C
设备
NID9N05CLT4
NID9N05CL
包
DPAK
DPAK
航运
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装用1“的焊盘尺寸， （铜面积1.127在FR4板
2
)
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
大小（铜面积在0.412
2
)
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年7月 - 修订版5
出版订单号：
NID9N05CL/D
NID9N05CL
功率MOSFET
9.0 A， 52 V， N沟道逻辑电平，
钳位MOSFET W / ESD保护
在DPAK封装
http://onsemi.com
好处
高能能力为感性负载
低开关噪声产生
特点
V
DSS
（夹紧）
52 V
R
DS （ ON）
典型值
90 m
I
D
最大
（有限公司）
9.0 A
漏
（引脚2,4）
之间的栅极和源极钳位二极管
ESD保护 - HBM 5000 V
活跃的过电压门漏极钳位
可扩展到较低或较高的R
DS （ ON）
内部串联栅极电阻
应用
门
（引脚1）
R
G
过压
保护
M
PWR
汽车和工业市场：
螺线管驱动器，灯驱动器，小型电机驱动器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压内部钳位
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
漏电流
- 单脉冲（T
p
= 10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 125°C
(V
DD
= 50 V，I
D（ PK ）
= 1.5 A，V
GS
= 10 V,
R
G
= 25
W)
热电阻 - 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
5259
±15
9.0
35
28.8
-55
175
160
单位
V
V
A
W
°C
mJ
ESD保护
来源
（引脚3 ）
记号
图
1
DPAK
CASE 369C
方式2
D9N05CL
A
Y
WW
2
3
1
2
3
4
- 门
=漏
=源
=漏
AYWW
D9N05CL
4
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
5.2
72
100
260
° C / W
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
订购信息
°C
设备
NID9N05CLT4
NID9N05CL
包
DPAK
DPAK
航运
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装用1“的焊盘尺寸， （铜面积1.127在FR4板
2
)
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
大小（铜面积在0.412
2
)
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年7月 - 修订版5
出版订单号：
NID9N05CL/D
QQ：2881677436 复制
