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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第68页 > NLAS4717FCT1
NLAS4717
4.5
W
高带宽，双
SPDT模拟开关
该NLAS4717是制造先进的CMOS模拟开关
亚微米硅栅CMOS技术。该装置是一个双
独立的单刀双掷（ SPDT ）开关具有两个
低R
DS （ ON）
4.5
W
在3.0 V.
该器件还具有保证先开后合制作（ BBM ）
开关，确保开关从来不缺乏驱动程序。
该NLAS4717是两个小尺寸封装可供选择：
Micro10 ：
3.0× 5.0毫米
倒装芯片- 10 ： 2.0× 1.5毫米
特点
http://onsemi.com
记号
图表
低R
DS （ ON）
: 4.5
W
@ 3.0 V
交换机之间的匹配
±0.5
W
低宽电压范围： 1.8 V至5.5 V
高带宽> 40兆赫
1.65 V至5.5 V工作范围
低阈值电压引脚4和8 （ CTRL引脚）
超低电荷注入
≤
6.0 pC的
低待机电流 - 我
CC
= 1.0 NA （最大值） @ T
A
= 25°C
OVT *引脚4和8 （ CTRL逻辑引脚）
无铅包可用
A1
FLIPCHIP10
CASE 489AA
A1
10
4717
AYWW
G
G
Micro10
CASE 846B
A
Y
W, WW
G
4717
AYW
G
G
1
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
典型应用
手机
掌上电脑
MP3s
数码相机
功能表
IN-
0
1
NO_
关闭
ON
NC_
ON
关闭
重要信息
ESD保护：
HBM = 2000 V， MM = 200 V
闭锁最高等级：200 MA（每JEDEC EIA / JESD78 ）
引脚对引脚兼容于MAX4717
* OVT
订购信息
设备
NLAS4717FCT1
包
FlipChip10
航运
3000 /
磁带&卷轴
3000 /
磁带&卷轴
4000 /
磁带&卷轴
4000 /
磁带&卷轴
过压容限（ OVT ）特定引脚工作高于
正常的电源电压，以对设备或信号无损伤
诚信。
NLAS4717FCT1G倒装芯片- 10
（无铅）
NLAS4717MR2
Micro10
NLAS4717MR2G
Micro10
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年4月 - 修订版8
出版订单号：
NLAS4717/D
NLAS4717
GND
VCC
NO1
COM1
IN1
NC1
1
2
3
4
5
Micro10
（ TOP VIEW ）
10
9
8
7
6
NO2
COM2
IN1
IN2
COM1
NC2
NO1
GND
C
4
B
4
VCC
FlipChip10
（ TOP VIEW ）
A
4
NO2
C
3
A
3
COM2
C
2
A
2
IN2
B
1
NC1
C
1
A
1
NC2
图1.设备电路图和引脚配置
最大额定值
符号
V+
V
IS
V
IN
I
IK
I
PK
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
, V
NC
或V
COM
） （注1 ）
数字选择输入电压
直流电流，流入或流出的任何引脚（连续）
峰值电流（ 10 ％占空比）
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5 v
V
IS
v
V
CC
)0.5
*0.5 v
V
I
v)7.0
$100
$200
单位
V
V
V
mA
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
数控1.信号电压，NO和COM超过VCC或GND由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大
电流额定值。
推荐工作条件
符号
V+
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 3.3 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
参数
民
1.8
GND
GND
40
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+85
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
模拟开关的直流特性
-40 ° C至+ 85°C
符号
V
IH
参数
输入逻辑高电压
条件
V
OUT
= 0.1 V
I
OUT
≤
20
mA
V
IL
输入逻辑低电压
V
OUT
= V
CC
0.1 V
I
OUT
≤
20
mA
I
IN
V
CC
I
CC
输入漏电流
电源电压范围
电源电流
V
IN
– V
CC
或GND
所有
V
IN
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
V
IS
模拟信号范围
关键参数
V
CC
(V)
1.65 2.2
2.7 3.6
4.5 5.5
1.65 2.2
2.7 3.6
4.5 5.5
5.0
1.8
3.3
5.0
民
V
CC
x 0.55
V
CC
x 0.5
2.0
100
1.65
0
最大
V
CC
x 0.2
V
CC
x 0.2
0.8
+100
5.5
1.0
1.0
1.0
V
CC
V
nA
V
mA
V
单位
V
http://onsemi.com
2
NLAS4717
模拟开关特性 - 数码节
（电压参考GND）
-40 ° C至+ 85°C
符号
R
ON
参数
抗性
（注2 ）
条件
V
CC
= 3.0 V
I
COM
= 10毫安
V
NO
或V
NC
= V
IH
或V
IL
V
CC
= 5.0 V
I
COM
= 10毫安
V
NO
或V
NC
= V
IH
或V
IL
DR
ON
抗性
通道间匹配
（注2和3）
V
CC
= 3.6 V
I
COM
= 10毫安
V
NO
或V
NC
= V
IH
或V
IL
V
CC
= 5.5 V
I
COM
= 10毫安
V
NO
或V
NC
= V
IH
或V
IL
R
FLAT [开]
抗性
平整度
（注4 ）
I
COM
= 10毫安
V
IS
= 0至V
CC
I
COM
= 10毫安
V
IS
= 0至V
CC
I
NO_ [关闭]
I
NC_ [关闭]
NO_ ， NC_
截止漏电流
（注5 ）
V
CC
= 3.6 V
V
COM
= 0.3 V或3.3 V
V
NO
或V
NC
= 0.3 V或3.3 V
V
CC
= 5.5 V
V
COM
= 0 V或5.0 V
V
NO
或V
NC
= 0 V或5.0 V
I
COM_ [开]
COM_
上的漏电流
（注5 ）
V
CC
= 3.6 V
V
COM
= 0.3 V或3.3 V
V
NO
或V
NC
= 0.3 V或3.3 V
V
CC
= 5.5 V
V
COM
= 0 V或5.0 V
V
NO
或V
NC
= 0 V或5.0 V
5.5
2.0
0.01
+2.0
3.6
2.0
0.01
+2.0
nA
5.5
1.0
0.01
+1.0
3.6
1.0
0.01
+1.0
nA
5.5
1.36
3.0
1.5
W
5.5
3.6
0.1
0.4
W
5.0
3.5
V
CC
(V)
3.0
民
典型值
最大
4.5
单位
W
模拟开关交流特性
-40 ° C至+ 85°C
符号
t
ON
参数
开启时间
条件
V
NC_
, V
NO_
= V
IH
或V
IL
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
V
在[ X]
= V
IH
或V
IL
t
关闭
关断时间
V
NC_
, V
NO_
= V
IH
或V
IL
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
V
在[ X]
= V
IH
或V
IL
t
BBM
突破前先
延时
（注5 ）
SKEW
（注5 ）
V
NC_
, V
NO_
= 1.5 V
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
R
S
= 39
W,
C
L
= 50 pF的
0.15
2.0
nS
8.0
nS
1.85.5
40
nS
V
CC
(V)
1.85.5
民
典型值
最大
30
单位
nS
t
SKEW
2.
3.
4.
5.
R
ON
特点是V
CC
范围（ 1.65 V至5.5 V ） 。
DR
ON
= R
ON
（最大值） R
ON
（最小值） 。
R
FLAT [开]
= R
ON
（最大值） R
ON
（MIN ），测量值在V
CC
范围内。
通过设计保证。
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3
NLAS4717
模拟开关应用特点
-40 ° C至+ 85°C
符号
Q
参数
电荷注入
条件
V
IN
= V
CC
到GND
R
In
= 0
W,
C
L
= 1.0 nF的
Q = C
L
DV
OUT
VISO
关断隔离
F = 10MHz的
V
NO
_, V
NC
_ = 1.0 Vp-p的
R
L
= 50
W,
C
L
= 5.0 pF的
F = 1.0 MHz的
V
NO
_, V
NC
_ = 1.0 Vp-p的
R
L
= 50
W,
C
L
= 5.0 pF的
VCT
相声
F = 10MHz的
V
NO
_, V
NC
_ = 1.0 Vp-p的
R
L
= 50
W,
C
L
= 5.0 pF的
F = 1.0 MHz的
V
NO
_, V
NC
_ = 1.0 Vp-p的
R
L
= 50
W,
C
L
= 5.0 pF的
BW
上通道
-3.0 dB带宽
总谐波失真
NO_ ， NC_
关断电容
NO_ ， NC_
导通电容
信号= 0分贝
R
L
= 50
W,
C
L
= 5.0 pF的
V
COM
= 2.0 Vp-p的，
RL = 600
W,
T
A
= 25°C
F = 10MHz的
F = 10MHz的
0.02
30
110
%
pF
pF
1.8 5.0
40
兆赫
53
1.65 5.5
35
dB
110
1.65 5.5
70
dB
V
CC
(V)
3.0
5.0
民
典型值
6.0
9.0
最大
单位
pC
THD
C
NO_ [关闭]
C
NC_ [关闭]
C
NO_ [开]
C
NC_ [开]
http://onsemi.com
4
NLAS4717
2.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.5
0.0
0.0
0.0
0.0
+85°C
+25°C
40°C
+85°C
1.5
R
DS （ ON）
(W)
R
DS （ ON）
(W)
4.0
5.0
+25°C
1.0
40°C
1.0
2.0
V
COM
(V)
3.0
0.5
1.0
1.5
V
COM
(V)
2.0
2.5
3.0
图2.低R
DS （ ON）
@ V
CC
= 5.0 V
图3.低R
DS （ ON）
@ V
CC
= 3.0 V
1.5
1.4
1.3
R
DS （ ON）
(W)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
40C
5.0 V
R
DS （ ON）
(W)
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
40C
3.0 V
+25C
温度（℃）
+85C
+25C
温度（℃）
+85C
图4. R的增量
DS （ ON）
@ V
CC
= 5.0 V
图5. R的增量
DS （ ON）
@ V
CC
= 3.0 V
8
6
4
2
Q （CP）
0
2
4
6
8
10
0.0
3.0 V
5.0 V
总谐波失真（ ％ ）
1
0.1
3.0 V
0.01
1.0
2.0
V
COM
(V)
3.0
4.0
5.0
10
100
1000
频率（Hz）
10000
100000
图6.电荷注入
图7.总谐波失真
http://onsemi.com
5
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NX8567SA505-CC
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NLX2G00BMX1TCG
NJU7201U27
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NTM-600
NACY101M25V6.3X8TR13F
NR3010T470M
NAND01GR3A2CN6E
NAND01GR4M2BZC5E
NF2EB-4M-6V1
NRC226K25
NQS16A1001BP7
NB4N855SMR4G
NEV3.3M80
NAND128R3A0AV6E
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    NLAS4717FCT1
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