NB4N855S
3.3 V ， 1.5 Gb / s的双
AnyLevel 到LVDS
接收器/驱动器/缓冲器/
翻译者
描述
http://onsemi.com
记号
图*
10
1
10微
M后缀
CASE 846B
A
Y
W
855S
AYW
1
=大会地点
=年
=工作周
NB4N855S是一个时钟或数据接收器/驱动器/缓冲器/翻译
能够翻译AnyLevel的
TM
输入信号（ LVPECL ， CML ，
HSTL ， LVDS ， LVTTL或/ LVCMOS ），以LVDS 。根据不同的
距离，在系统设计的噪声抑制，以及传输线
媒体，该设备将接收驱动器或转换数据或时钟信号
高达1.5 Gb / s或1.0 GHz的分别。该器件引脚对引脚
插上兼容的SY55855V在3.3 V的应用程序。
该NB4N855S具有宽输入共模范围
GND + 50 mV至V
CC
- 50毫伏。该功能非常适合翻译
差分或单端数据或时钟信号，以350 mV的典型
LVDS的输出电平。
该器件采用小型10引脚MSOP封装。 NB4N855S
是针对数据，无线和电信应用以及高
高速逻辑接口，其中抖动和包的大小是主要的
要求。
应用笔记，模型和支持文档可
在www.onsemi.com 。
特点
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
D0
D0
Q0
Q0
保证输入时钟频率高达1.0 GHz的
保证输入数据速率高达1.5 Gb / s的
490 PS的最大传播延迟
1.0 ps的最大RMS抖动
180 PS的最大上升/下降时间
单电源; V
CC
= 3.3 V
±10%
温度补偿TIA / EIA- 644 LVDS标准输出
GND + 50 mV至V
CC
- 50 mV的V
CMR
范围
D1
D1
Q1
Q1
功能框图
订购信息
电压（ 50 mV /格）
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
设备DDJ = 7 PS
TIME （ 133 PS / DIV ）
图1.典型的输出波形为1.5 GB / s的K28.5
(V
INPP
= 100 mV时，输入信号DDJ = 24 PS）
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 修订版0
出版订单号：
NB4N855S/D
NB4N855S
D0
D0
D1
D1
GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
V
CC
Q0
Q0
Q1
Q1
图2.引脚配置和框图
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
D0
D0
D1
D1
GND
Q1
Q1
Q0
Q0
V
CC
I / O
LVPECL ， CML ， LVCMOS ，
LVTTL ， LVDS
LVPECL ， CML ， LVCMOS ，
LVTTL ， LVDS
LVPEL ， CML ， LVDS LVCMOS ，
LVTTL
LVPECL ， CML ， LVDS
LVCMOS LVTTL
LVDS输出
LVDS输出
LVDS输出
LVDS输出
描述
反的差分时钟/数据D0输入。
倒差分时钟/数据D0输入。
反的差分时钟/数据D1输入。
倒差分时钟/数据D1输入。
地面上。 0 V.
倒Q1输出。通常装有100
W
接收端接
跨差分对电阻器。
同相Q1输出。通常装有100
W
接收端接
跨差分对电阻器。
倒Q0输出。通常装有100
W
接收端接
跨差分对电阻器。
反的Q0输出。通常装有100
W
接收端接
跨差分对电阻器。
正电源电压。
http://onsemi.com
2
NB4N855S
表2. ATTRIBUTES
特征
湿度敏感度（注1 ）
可燃性等级
ESD保护
氧指数：28 34
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 1千伏
281
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
I
I
IN
I
OSC
参数
正电源。
积极投入
输入电流过R
T
(50
W
电阻器）
输出短路电流
线对线（Q来Q）
行至端（Q或Q到GND）
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境） （注2 ）
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
1S2P （注4 ）
<3秒@ 248℃
<3秒@ 260℃
10微
10微
10微
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
STATIC
浪涌
Q或Q到GND
Q来Q
10微
连续
连续
V
I
= V
CC
条件2
等级
3.8
3.8
35
70
12
24
-40至+85
-65到+150
177
132
40
265
265
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
V
V
mA
mA
mA
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
T
SOL
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
2. JEDEC标准多层电路板 - 1S2P （ 1信号， 2个电源） 。
http://onsemi.com
3
NB4N855S
表4.直流特性，时钟输入， LVDS输出
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ， GND = 0 V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C
符号
I
CC
电源电流（注3 ）
特征
民
典型值
40
最大
53
单位
mA
单端驱动差分输入
（图10和12）的
V
th
V
IH
V
IL
输入阈值的基准电压范围（注4 ）
单端输入高电压
单端输入低电压
GND +100
V
th
+ 100
GND
V
CC
100
V
CC
V
th
100
mV
mV
mV
差分输入差分驱动
（图11和13）的
V
IHD
V
ILD
V
CMR
V
ID
差分输入高电压
差分输入低电压
输入共模范围（差分配置）
差分输入电压（V
IHD
V
ILD
)
100
GND
GND + 50
100
V
CC
V
CC
100
V
CC
50
V
CC
mV
mV
mV
mV
LVDS输出
（注5 ）
V
OD
DV
OD
V
OS
DV
OS
V
OH
V
OL
差分输出电压
变化的V震级
OD
免费为输出状态（注6 ）
失调电压（图9 ）
变化的V震级
OS
免费为输出状态（注6 ）
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注8）
900
250
0
1125
0
1.0
1425
1075
1.0
450
25
1375
25
1600
mV
mV
mV
mV
mV
mV
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
3.霉素/霉素在内V中的DC电平
CMR
并装载有R输出引脚
L
= 100
W
跨越差异。
4. V
th
在单端模式下操作时被施加到所述互补输入。
5. LVDS输出需要100
W
差分对之间的接收器端接电阻。参见图8 。
6.参数通过设计验证保证在生产中测试。
7. V
OH
最大值= V
OS
MAX +
½
V
OD
马克斯。
8. V
OL
最大值= V
OS
敏=
½
V
OD
马克斯。
http://onsemi.com
4
NB4N855S
表5. AC特性
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ， GND = 0 V ; （注9 ）
40°C
符号
V
OUTpp
f
数据
t
PLH
,
t
PHL
t
SKEW
特征
输出电压幅值（ @ V
INPPMIN
)f
in
≤
1.0 GHz的
（图3）
f
in
= 1.5 GHz的
最大工作数据速率
差分输入至差分输出
传播延迟
占空比歪斜（注10 ）
在-Device歪斜（注11 ）
设备到设备倾斜（注12 ）
f
in
= 1.0 GHz的
f
in
= 1.5 GHz的
确定性抖动（注14 ）
f
数据
= 622 Mb / s的
f
数据
= 1.5 Gb / s的
f
数据
= 2.488 Gb / s的
串扰引起的抖动（注15 ）
输入电压摆幅/灵敏度
（差分配置） （注16 ）
输出上升/下降时间@ 250 MHz的
(20% 80%)
Q, Q
100
50
110
RMS的随机时钟抖动（注13 ）
民
230
200
1.5
330
典型值
350
300
2.5
410
8
10
20
0.5
0.5
6
7
10
20
490
45
35
100
1
1
15
20
25
40
V
CC
GND
180
100
50
110
最大
民
230
200
1.5
330
25°C
典型值
350
300
2.5
410
8
10
20
0.5
0.5
6
7
10
20
490
45
35
100
1
1
15
20
25
40
V
CC
GND
180
100
50
110
最大
民
230
200
1.5
330
85°C
典型值
350
300
2.5
410
8
10
20
0.5
0.5
6
7
10
20
490
45
35
100
1
1
15
20
25
40
V
CC
GND
180
最大
单位
mV
Gb / s的
ps
ps
t
抖动
ps
V
INPP
t
r
t
f
mV
ps
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
9.测量迫使V
INPPMIN
用50％占空比的时钟源和V
CC
- 1400 mV偏移量。所有的加载与外部R
L
= 100
W
横过
“D”和“D”的接收器。输入边沿速率150 PS（ 20 ％ -80 ％） 。
10.参见图7差分吨的测量
SKEW
= |t
PLH
t
PHL
|为标称50 ％的差分时钟输入波形@ 250兆赫。
11. Q0 / Q0和Q1 / Q1无论从D0 / D0或D1 / D1 ，当两个输出具有相同的过渡之间的最坏的情况。
12.歪斜在相同的过渡@ 250 MHz的输出之间进行测量。
13. RMS抖动为50％占空比的时钟信号。
14.确定性抖动与在PRBS 2输入NRZ数据
23
-1和K28.5 。
15.串扰引起的抖动是添加剂确定性抖动通道1和通道2活跃无论是在622 Gb / s的PRBS 2运行
23
为-1
异步信号。
16.输入电压摆幅是单端测量中的差分模式下操作。
400
输出电压振幅（毫伏）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
输入时钟频率（千兆赫）
85°C
25°C
40°C
图3.输出电压幅值（V
OUTpp
）与
输入时钟频率（f
in
）和温度（ @ V
CC
= 3.3 V)
http://onsemi.com
5
NB4N855S
3.3 V ， 1.5 Gb / s的双
AnyLevel 到LVDS
接收器/驱动器/缓冲器/
翻译者
描述
NB4N855S是一个时钟或数据接收器/驱动器/缓冲器/翻译
能够翻译AnyLevel输入信号（ LVPECL ， CML ， HSTL的，
LVDS ， LVTTL或/ LVCMOS ），以LVDS 。根据距离，
的系统设计的噪声抑制，以及传输线的介质，这
设备将接收驱动器或转换数据或时钟信号最多
1.5 Gb / s或1.0 GHz的分别。该器件引脚对引脚插头
兼容于3.3 V应用的SY55855V 。
该NB4N855S具有宽输入共模范围
GND + 50 mV至V
CC
50毫伏。该功能非常适合翻译
差分或单端数据或时钟信号，以350 mV的典型
LVDS的输出电平。
该器件采用小型10引脚MSOP封装。 NB4N855S
是针对数据，无线和电信应用以及高
高速逻辑接口，其中抖动和包的大小是主要的
要求。
应用笔记，模型和支持文档可
在www.onsemi.com 。
特点
http://onsemi.com
记号
图*
10
1
Micro10
M后缀
CASE 846B
A
Y
W
G
855S
AYWG
G
1
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
保证输入时钟频率高达1.0 GHz的
保证输入数据速率高达1.5 Gb / s的
490 PS的最大传播延迟
1.0 ps的最大RMS抖动
180 PS的最大上升/下降时间
单电源; V
CC
= 3.3 V
±10%
温度补偿TIA / EIA- 644 LVDS标准输出
GND + 50 mV至V
CC
50毫伏V
CMR
范围
无铅包装是否可用
D0
D0
Q0
Q0
D1
D1
Q1
Q1
功能框图
电压（ 50 mV /格）
订购信息
设备DDJ = 7 PS
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
TIME （ 133 PS / DIV ）
图1.典型的输出波形为1.5 GB / s的K28.5
(V
INPP
= 100 mV时，输入信号DDJ = 24 PS）
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年4月，
第2版
1
出版订单号：
NB4N855S/D
NB4N855S
D0
D0
D1
D1
GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
V
CC
Q0
Q0
Q1
Q1
图2.引脚配置和框图
（ TOP VIEW ）
表1.引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
D0
D0
D1
D1
GND
Q1
Q1
Q0
Q0
V
CC
I / O
LVPECL ， CML ， LVCMOS ，
LVTTL ， LVDS
LVPECL ， CML ， LVCMOS ，
LVTTL ， LVDS
LVPEL ， CML ， LVDS LVCMOS ，
LVTTL
LVPECL ， CML ， LVDS
LVCMOS LVTTL
LVDS输出
LVDS输出
LVDS输出
LVDS输出
描述
反的差分时钟/数据D0输入。
倒差分时钟/数据D0输入。
反的差分时钟/数据D1输入。
倒差分时钟/数据D1输入。
地面上。 0 V.
倒Q1输出。通常装有100
W
接收端接
跨差分对电阻器。
同相Q1输出。通常装有100
W
接收端接
跨差分对电阻器。
倒Q0输出。通常装有100
W
接收端接
跨差分对电阻器。
反的Q0输出。通常装有100
W
接收端接
跨差分对电阻器。
正电源电压。
http://onsemi.com
2
NB4N855S
表2. ATTRIBUTES
特征
湿度敏感度（注1 ）
Micro10
可燃性等级
ESD保护
氧指数：28 34
人体模型
机器型号
带电器件模型
铅PKG
LEVEL 1
价值
无铅PKG
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 200 V
＆ GT ; 1千伏
281
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
I
I
IN
I
OSC
参数
正电源。
积极投入
输入电流过R
T
(50
W
电阻器）
输出短路电流
线对线（Q来Q）
行至端（Q或Q到GND）
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境） （注2 ）
热阻（结到外壳）
波峰焊
Pb
无铅
0 LFPM
500 LFPM
1S2P （注4 ）
<3秒@ 248℃
<3秒@ 260℃
Micro10
Micro10
Micro10
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
STATIC
浪涌
Q或Q到GND
Q来Q
Micro10
连续
连续
V
I
= V
CC
条件2
等级
3.8
3.8
35
70
12
24
40
+85
65
+150
177
132
40
265
265
单位
V
V
mA
mA
mA
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
T
SOL
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
2. JEDEC标准多层电路板
1S2P （ 1信号， 2个电源） 。
http://onsemi.com
3
NB4N855S
表4.直流特性，时钟输入， LVDS输出
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ， GND = 0 V ，T
A
=
40°C
至+ 85°C
符号
I
CC
V
th
V
IH
V
IL
V
IHD
V
ILD
V
CMR
V
ID
V
OD
DV
OD
V
OS
DV
OS
V
OH
V
OL
电源电流（注3 ）
特征
民
典型值
40
最大
53
单位
mA
单端驱动差分输入
（图10和12）的
输入阈值的基准电压范围（注4 ）
单端输入高电压
单端输入低电压
GND +100
V
th
+ 100
GND
V
CC
100
V
CC
V
th
100
V
CC
V
CC
100
V
CC
50
V
CC
450
1.0
25
1375
1.0
1425
900
1075
25
1600
mV
mV
mV
差分输入差分驱动
（图11和13）的
差分输入高电压
差分输入低电压
输入共模范围（差分配置）
差分输入电压（V
IHD
V
ILD
)
差分输出电压
变化的V震级
OD
对于互补输出国家（注6 ）
失调电压（图9 ）
变化的V震级
OS
对于互补输出国家（注6 ）
输出高电压（注7 ）
输出低电压（注8）
100
GND
GND + 50
100
mV
mV
mV
mV
LVDS输出
（注5 ）
250
0
1125
0
mV
mV
mV
mV
mV
mV
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
3.霉素/霉素在内V中的DC电平
CMR
并装载有R输出引脚
L
= 100
W
跨越差异。
4. V
th
在单端模式下操作时被施加到所述互补输入。
5. LVDS输出需要100
W
差分对之间的接收器端接电阻。参见图8 。
6.参数通过设计验证保证在生产中测试。
7. V
OH
最大值= V
OS
MAX +
½
V
OD
马克斯。
8. V
OL
最大值= V
OS
民
½
V
OD
马克斯。
http://onsemi.com
4
NB4N855S
表5. AC特性
V
CC
= 3.0 V至3.6 V ， GND = 0 V ; （注9 ）
40°C
符号
V
OUTpp
f
数据
t
PLH
,
t
PHL
t
SKEW
特征
输出电压幅值（ @ V
INPPMIN
) f
in
≤
1.0 GHz的
（图3）
f
in
= 1.5 GHz的
最大工作数据速率
差分输入至差分输出
传播延迟
占空比歪斜（注10 ）
内
设备
歪斜（注11 ）
设备到设备倾斜（注12 ）
RMS的随机时钟抖动（注13 ）
确定性抖动（注14 ）
串扰引起的抖动（注15 ）
V
INPP
t
r
t
f
f
in
= 1.0 GHz的
f
in
= 1.5 GHz的
f
数据
= 622 Mb / s的
f
数据
= 1.5 Gb / s的
f
数据
= 2.488 Gb / s的
100
Q, Q
50
110
民
230
200
1.5
330
典型值
350
300
2.5
410
8
10
20
0.5
0.5
6
7
10
20
490
45
35
100
1
1
15
20
25
40
V
CC
GND
180
100
50
110
最大
民
230
200
1.5
330
25°C
典型值
350
300
2.5
410
8
10
20
0.5
0.5
6
7
10
20
490
45
35
100
1
1
15
20
25
40
V
CC
GND
180
100
50
110
最大
民
230
200
1.5
330
85°C
典型值
350
300
2.5
410
8
10
20
0.5
0.5
6
7
10
20
490
45
35
100
1
1
15
20
25
40
V
CC
GND
180
最大
单位
mV
Gb / s的
ps
ps
t
抖动
ps
输入电压摆幅/灵敏度
（差分配置） （注16 ）
输出上升/下降时间@ 250 MHz的
(20%
80%)
mV
ps
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
9.测量迫使V
INPPMIN
用50％占空比的时钟源和V
CC
1400 mV偏移量。所有的加载与外部R
L
= 100
W
横过
“D”和“D”的接收器。输入边沿速率150 PS（ 20 ％ -80 ％） 。
10.参见图7差分吨的测量
SKEW
= |t
PLH
t
PHL
|为标称50 ％的差分时钟输入波形@ 250兆赫。
11. Q0 / Q0和Q1 / Q1无论从D0 / D0或D1 / D1 ，当两个输出具有相同的过渡之间的最坏的情况。
12.歪斜在相同的过渡@ 250 MHz的输出之间进行测量。
13. RMS抖动为50％占空比的时钟信号。
14.确定性抖动与在PRBS 2输入NRZ数据
23
1
和K28.5 。
15.串扰引起的抖动是添加剂确定性抖动通道1和通道2活跃无论是在622 Gb / s的PRBS 2运行
23
1
as
异步信号。
16.输入电压摆幅是单端测量中的差分模式下操作。
400
输出电压振幅（毫伏）
350
300
250
200
150
100
50
0
85°C
25°C
40°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
输入时钟频率（千兆赫）
图3.输出电压幅值（V
OUTpp
）与
输入时钟频率（f
in
）和温度（ @ V
CC
= 3.3 V)
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
