NLAS4684
超低阻值
双路SPDT模拟开关
该NLAS4684是制造先进的CMOS模拟开关
亚微米硅栅CMOS技术。该装置是一个双
独立的单刀双掷（ SPDT ）开关为特色
超低R
ON
0.5
W,
为常闭（NC ）开关，
0.8
W
为常开开关（ NO）在2.7 V.
该器件还具有保证歇制作切换之前，
保证了开关从来不缺乏驱动程序。
该NLAS4684可在一个2.0× 1.5毫米凸点芯片阵列。
焊锡凸块的间距为0.5mm ，易于处理。
特点
A1
Microbump10
CASE 489AA
A1
http://onsemi.com
记号
图表
超低R
ON
,
t0.5
W
在2.7 V
阈值调整到功能与1.8 V控制在
V
CC
= 2.73.3 V
单电源供电，从1.8-5.5 V
微小的2× 1.5毫米凸点芯片
低串扰，
t
83分贝在100kHz
全0 -V
CC
信号处理能力
高隔离度， -65分贝100千赫
低待机电流，
t50
nA
低失真，
t0.14%
THD
R
ON
0.15平整度
W
引脚对引脚替代的MAX4684
连续高电流能力
$300
毫安流经各开关
大电流钳位二极管的模拟输入
$300
mA的持续电流能力
无铅包装是可用*
手机
喇叭开关
电源开关
调制解调器
汽车
4684
AYWW
A1
4684
AYWWG
1
1
QFN10
CASE 485C
NLAS
4684
ALYW
1
NLAS
4684
ALYW
G
Micro10
CASE 846B
1
NLAS
4684
ALYW
应用
A
L
Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
功能表
1， 2
0
1
编号为1,2
关闭
ON
NC- 1,2
ON
关闭
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第11页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 11牧师
出版订单号：
NLAS4684/D
NLAS4684
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
anl1
I
ANL -PK 1
I
CLMP
I
CLMP 1
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
, V
NC
或V
COM
)
数字选择输入电压
从COM到NC持续直流电流/ NO
从山顶COM数控电流/ NO ， 10占空比（注1 ）
连续DC电流转换成COM / NO / NC
峰值电流为输入钳位二极管的COM / NC / NO
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5 v
V
IS
v
V
CC
)0.5
*0.5 v
V
I
v)7.0
$300
$500
$300
$500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.定义为10％ ， 90 ％灭占空比。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 3.3 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
参数
民
1.8
GND
GND
*55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
)125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
直流特性 - 数码节
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压，输入选择
（图10 ）
条件
V
CC
$10%
2.0
2.5
3.0
5.0
2.0
2.5
3.0
5.0
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
5.5
0
5.5
*555C
255℃
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
50
t855C
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
200
t1255C
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
200
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压，输入选择
（图10 ）
V
I
IN
I
关闭
I
CC
最大输入漏
目前，选择输入
关机漏电流
最大静态电源
电流（注2 ）
mA
mA
nA
2.设计保证。
http://onsemi.com
3
NLAS4684
DC电气特性 - 模拟部分
保证最高限额
-555C 255℃
符号
R
ON
（ NC ）
参数
数控“ON”时电阻
（注3）
条件
V
IN
v
V
IL
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
I
v
百毫安
V
IN
w
V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
I
v
百毫安
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
V
IS
= 1.3 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 1.5 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 2.8 V;
I
COM
= 100毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 1.0
V
COM
= 4.5 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
1.0 V或4.5 V带
V
NC
漂浮或
V
NC
1.0 V或4.5 V带
V
NO
漂浮的
V
COM
= 1.0 V或4.5 V
V
CC
$10%
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
5.5
1
民
最大
0.6
0.5
0.4
2.0
0.8
0.8
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
1
10
t855C
民
最大
0.7
0.5
0.4
2.0
0.8
0.8
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
10
100
t1255C
民
最大
0.8
0.5
0.5
2.0
1.0
0.9
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
100
nA
单位
W
R
ON
（NO）的
编号为“ON”时电阻
（注3）
W
R
FLAT （ NC ）
NC_On通电阻
平整度（注3,5）
W
R
平（NO）的
NO_On通电阻
平整度（注3,5）
W
DR
ON
导通电阻匹配
通道之间
（注3和4）
W
I
NC （关闭）
I
否（关）
I
COM（上）
NC或NO关
漏电流
（图13） （注3）
COM在
漏电流
（图13） （注3）
5.5
2
2
20
20
200
200
nA
3.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
4.
DR
上=
R
开（ MAX）的
R
开（分钟）
NC1和NC2之间或NO1和NO2之间。
测量在规定的模拟5.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
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4
NLAS4684
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）（典型的特征是在25℃下）
保证最高限额
V
CC
(V)
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
3.0
V
IS
(V)
1.3
1.5
2.8
1.3
1.5
2.8
1.5
2
15
*555C
255℃
民
典型值
最大
60
50
30
50
40
30
t855C
民
最大
70
60
35
55
50
35
t1255C
民
最大
70
60
35
55
50
35
单位
ns
符号
t
ON
参数
开启时间
测试条件
R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
t
关闭
关断时间
R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
ns
t
BBM
最小中断前先
时间（注6 ）
V
IS
= 3.0
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
（图3）
ns
典型@ 25 ，V
CC
= 5.0 V
C
NC
关闭
C
NO
关闭
C
NC
On
C
NO
On
NC关断电容， F = 1兆赫
NO关断电容， F = 1兆赫
NC导通电容， F = 1兆赫
NO导通电容， F = 1兆赫
102
104
322
330
pF
额外的应用特性
（电压参考GND除非另有说明）
符号
BW
参数
最大导通通道-3dB
带宽或最小频率
响应
最大直通损耗
关通道隔离（注7 ）
电荷注入选择输入到
通用I / O （图10和图11 ）
总谐波失真THD +
噪声（图9）
通道到通道的串扰
条件
V
IN
=
0 dBm的
V
IN
V之间居中
CC
和GND
（图6）
V
IN
=
为0 dBm @ 100千赫至50兆赫
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS ;
L
= 5 nF的
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
V
IN =
V
CC到
GND ，R
IS
= 0
W,
C
L
= 1 nF的
Q = C
L
DV
OUT
（图7）
F
IS
= 20赫兹至100千赫兹，R
L
= R
根
= 600
W,
C
L
= 50 pF的
V
IS
=
1 V RMS
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS ，
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
NC
NO
V
CC
V
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
典型
255C
6.5
9.5
0.05
65
15
0.14
83
pC
%
dB
dB
dB
单位
兆赫
V
ONL
V
ISO
Q
THD
VCT
6， -55°C规格由设计保证。
7，关闭通道，隔离= 20log10 （VCOM /新视窗）在（参见图6） 。
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5
NLAS4684
超低阻值
双路SPDT模拟开关
该NLAS4684是制造先进的CMOS模拟开关
亚微米硅栅CMOS技术。该装置是一个双
独立的单刀双掷（ SPDT ）开关为特色
超低R
ON
0.5
W,
为常闭（NC ）开关，
0.8
W
为常开开关（ NO）在2.7 V.
该器件还具有保证歇制作切换之前，
保证了开关从来不缺乏驱动程序。
该NLAS4684可在一个2.0× 1.5毫米凸点芯片阵列。
焊锡凸块的间距为0.5mm ，易于处理。
特点
A1
Microbump10
CASE 489AA
A1
http://onsemi.com
记号
图表
超低R
ON
,
t0.5
W
在2.7 V
阈值调整到功能与1.8 V控制在
V
CC
= 2.73.3 V
单电源供电，从1.8-5.5 V
微小的2× 1.5毫米凸点芯片
低串扰，
t
83分贝在100kHz
全0 -V
CC
信号处理能力
高隔离度， -65分贝100千赫
低待机电流，
t50
nA
低失真，
t0.14%
THD
R
ON
0.15平整度
W
引脚对引脚替代的MAX4684
连续高电流能力
$300
毫安流经各开关
大电流钳位二极管的模拟输入
$300
mA的持续电流能力
无铅包装是可用*
手机
喇叭开关
电源开关
调制解调器
汽车
4684
AYWW
A1
4684
AYWWG
1
1
QFN10
CASE 485C
NLAS
4684
ALYW
1
NLAS
4684
ALYW
G
Micro10
CASE 846B
1
NLAS
4684
ALYW
应用
A
L
Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
功能表
1， 2
0
1
编号为1,2
关闭
ON
NC- 1,2
ON
关闭
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第11页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
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参考手册， SOLDERRM / D 。
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1
2004年8月 - 11牧师
出版订单号：
NLAS4684/D
NLAS4684
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
anl1
I
ANL -PK 1
I
CLMP
I
CLMP 1
正直流电源电压
模拟输入电压（V
NO
, V
NC
或V
COM
)
数字选择输入电压
从COM到NC持续直流电流/ NO
从山顶COM数控电流/ NO ， 10占空比（注1 ）
连续DC电流转换成COM / NO / NC
峰值电流为输入钳位二极管的COM / NC / NO
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5 v
V
IS
v
V
CC
)0.5
*0.5 v
V
I
v)7.0
$300
$500
$300
$500
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.定义为10％ ， 90 ％灭占空比。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
V
IS
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
数字选择输入电压
模拟输入电压（ NC ， NO ， COM ）
工作温度范围
输入信号上升和下降时间，选择
V
CC
= 3.3 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
参数
民
1.8
GND
GND
*55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
)125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
直流特性 - 数码节
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压，输入选择
（图10 ）
条件
V
CC
$10%
2.0
2.5
3.0
5.0
2.0
2.5
3.0
5.0
V
IN
= 5.5 V或GND
V
IN
= 5.5 V或GND
选择和V
IS
= V
CC
或GND
5.5
0
5.5
*555C
255℃
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
50
t855C
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
200
t1255C
1.4
1.4
1.4
2.0
0.5
0.5
0.5
0.8
$
1.0
$10
$
200
单位
V
V
IL
最大低电平输入
电压，输入选择
（图10 ）
V
I
IN
I
关闭
I
CC
最大输入漏
目前，选择输入
关机漏电流
最大静态电源
电流（注2 ）
mA
mA
nA
2.设计保证。
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3
NLAS4684
DC电气特性 - 模拟部分
保证最高限额
-555C 255℃
符号
R
ON
（ NC ）
参数
数控“ON”时电阻
（注3）
条件
V
IN
v
V
IL
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
I
v
百毫安
V
IN
w
V
IH
V
IS
= GND到V
CC
I
IN
I
v
百毫安
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 0至V
CC
V
IS
= 1.3 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 1.5 V;
I
COM
= 100毫安
V
IS
= 2.8 V;
I
COM
= 100毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
或V
NC
= 1.0
V
COM
= 4.5 V
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
NO
1.0 V或4.5 V带
V
NC
漂浮或
V
NC
1.0 V或4.5 V带
V
NO
漂浮的
V
COM
= 1.0 V或4.5 V
V
CC
$10%
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
5.5
1
民
最大
0.6
0.5
0.4
2.0
0.8
0.8
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
1
10
t855C
民
最大
0.7
0.5
0.4
2.0
0.8
0.8
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
10
100
t1255C
民
最大
0.8
0.5
0.5
2.0
1.0
0.9
0.15
0.15
0.15
0.35
0.35
0.35
0.18
0.06
0.06
100
nA
单位
W
R
ON
（NO）的
编号为“ON”时电阻
（注3）
W
R
FLAT （ NC ）
NC_On通电阻
平整度（注3,5）
W
R
平（NO）的
NO_On通电阻
平整度（注3,5）
W
DR
ON
导通电阻匹配
通道之间
（注3和4）
W
I
NC （关闭）
I
否（关）
I
COM（上）
NC或NO关
漏电流
（图13） （注3）
COM在
漏电流
（图13） （注3）
5.5
2
2
20
20
200
200
nA
3.通过设计保证。电阻的测量不包括测试电路或封装电阻。
4.
DR
上=
R
开（ MAX）的
R
开（分钟）
NC1和NC2之间或NO1和NO2之间。
测量在规定的模拟5.平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
信号范围。
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4
NLAS4684
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）（典型的特征是在25℃下）
保证最高限额
V
CC
(V)
2.5
3.0
5.0
2.5
3.0
5.0
3.0
V
IS
(V)
1.3
1.5
2.8
1.3
1.5
2.8
1.5
2
15
*555C
255℃
民
典型值
最大
60
50
30
50
40
30
t855C
民
最大
70
60
35
55
50
35
t1255C
民
最大
70
60
35
55
50
35
单位
ns
符号
t
ON
参数
开启时间
测试条件
R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
t
关闭
关断时间
R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
（图4和5）
ns
t
BBM
最小中断前先
时间（注6 ）
V
IS
= 3.0
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
（图3）
ns
典型@ 25 ，V
CC
= 5.0 V
C
NC
关闭
C
NO
关闭
C
NC
On
C
NO
On
NC关断电容， F = 1兆赫
NO关断电容， F = 1兆赫
NC导通电容， F = 1兆赫
NO导通电容， F = 1兆赫
102
104
322
330
pF
额外的应用特性
（电压参考GND除非另有说明）
符号
BW
参数
最大导通通道-3dB
带宽或最小频率
响应
最大直通损耗
关通道隔离（注7 ）
电荷注入选择输入到
通用I / O （图10和图11 ）
总谐波失真THD +
噪声（图9）
通道到通道的串扰
条件
V
IN
=
0 dBm的
V
IN
V之间居中
CC
和GND
（图6）
V
IN
=
为0 dBm @ 100千赫至50兆赫
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS ;
L
= 5 nF的
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
V
IN =
V
CC到
GND ，R
IS
= 0
W,
C
L
= 1 nF的
Q = C
L
DV
OUT
（图7）
F
IS
= 20赫兹至100千赫兹，R
L
= R
根
= 600
W,
C
L
= 50 pF的
V
IS
=
1 V RMS
F = 100千赫; V
IS
=
1 V RMS ，
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
W
V
IN
V之间居中
CC
和GND （图6）
NC
NO
V
CC
V
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
典型
255C
6.5
9.5
0.05
65
15
0.14
83
pC
%
dB
dB
dB
单位
兆赫
V
ONL
V
ISO
Q
THD
VCT
6， -55°C规格由设计保证。
7，关闭通道，隔离= 20log10 （VCOM /新视窗）在（参见图6） 。
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5
NLAS4051
模拟多路复用器/
多路解复用器
TTL电平兼容，单刀， 8位
加共关闭
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该NLAS4051是MC14051的改进版本，
MC74HC4051制造的亚微米硅栅CMOS
技术较低
DS （ ON）
性和改进的线性度
低电流。该设备可与任意单电源或操作
双电源高达
±3.0
V通过一个6.0 V
PP
无耦合信号
电容器。
当在单电源模式下操作时，它仅需要配合
V
EE
，引脚7接地。对于双电源供电，V
EE
被绑定到一
负电压，不超过最大额定值。
特点
记号
图表
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
NLAS4051G
AWLYWW
1
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
NLAS
4051
ALYWG
G
改进的R
DS （ ON）
特定网络阳离子
引脚对引脚替代的MAX4051和MAX4051A
二分之一的电阻工作在5.0 V
单或双电源供电
单2.5-5.0 V操作，或双
±3.0
V操作
随着V
CC
3.0 3.3 V ，设备可以与1.8 V接口
逻辑，没有翻译所需
Address和禁止逻辑都是过压容限，并五月
驱动的V高达+6.0 V不管
CC
改进的线性度标准HC4051设备
1
16
QSOP16
QS后缀
CASE 492
1
A
WL ，L
Y
WW, W
G或
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
S4051
ALYW
1
热门SOIC和节省空间的TSSOP ， QSOP和16引脚
套餐
无铅包可用*
V
CC
16
NO
2
15
NO
4
14
NO
0
13
NO
6
添加
C
添加
B
添加
A
12
11
10
9
订购信息
设备
NLAS4051DR2
NLAS4051DR2G
NLAS4051DTR2
包
SOIC16
SOIC16
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
TSSOP - 16 2500 /磁带&卷轴
1
NO
1
2
3
4
NO
7
5
NO
5
6
7
8
GND
NO
3
COM
抑制V
EE
NLAS4051DTR2G TSSOP - 16 2500 /磁带&卷轴
（无铅）
NLAS4051QSR
QSOP16
2500 /磁带&卷轴
图1.引脚连接
（ TOP VIEW ）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 第3版
出版订单号：
NLAS4051/D
NLAS4051
真值表
地址
抑制
1
0
0
0
0
0
0
0
0
C
X
不在乎
0
0
0
0
1
1
1
1
B
X
不在乎
0
0
1
1
0
0
1
1
A
X
不在乎
0
1
0
1
0
1
0
1
在交换机上*
NO
2
所有开关打开
COM -NO
0
COM -NO
1
COM -NO
2
COM -NO
3
COM -NO
4
COM -NO
5
COM -NO
6
COM -NO
7
添加
C
添加
B
添加
A
逻辑
COM
NO
3
NO
4
NO
5
NO
6
NO
7
抑制
NO
0
NO
1
* NO和COM引脚是相同的并且可以互换。或者可以考虑
的输入或输出;信号通过同样在任一方向。
图2.逻辑图
最大额定值
参数
符号
V
EE
价值
单位
V
V
V
V
负直流电源电压
（参考GND）
-7.0到
)0.5
-0.5到
)7.0
-0.5到
)7.0
正直流电源电压（注1 ）
模拟输入电压
数字输入电压
（参考GND）
（参考V
EE
)
V
CC
V
IS
V
EE
-0.5到V
CC
)0.5
-0.5 7.0
$50
（参考GND）
V
IN
I
直流电流，流入或流出的任何引脚
存储温度范围
mA
_C
_C
_C
-65
)150
260
T
英镑
T
L
T
J
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
)150
143
164
164
500
450
450
SOIC
TSSOP
QSOP
SOIC
TSSOP
QSOP
q
JA
° C / W
功率消耗在静止空气中，
P
D
mW
湿气敏感度
MSL
F
R
LEVEL 1
可燃性等级
氧指数： 30 ％ - 35 ％
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
u1000
$300
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
V
ESD
V
闭锁性能
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
I
闭锁
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. Ⅴ的绝对值
CC
$|V
EE
|
≤
7.0.
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
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2
NLAS4051
推荐工作条件
参数
符号
V
EE
民
最大
单位
V
V
V
V
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
（参考GND）
5.5
2.5
2.5
GND
5.5
6.6
（参考GND）
（参考V
EE
)
V
CC
V
IS
V
EE
0
V
CC
5.5
（注6）（参照GND ）
V
IN
T
A
工作温度范围，所有封装类型
55
0
0
125
100
20
_C
输入的上升/下降时间
（通道选择或使能输入）
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
t
r
, t
f
NS / V
6.未使用的数字输入可以不悬空。所有的数字输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
直流特性 - 数码节
（电压参考GND）
V
CC
V
2.5
3.0
4.5
5.5
2.5
3.0
4.5
5.5
0 V至6.0 V
6.0
保证限额
55
至25℃
1.75
2.1
3.15
3.85
.45
0.9
1.35
1.65
$0.1
4.0
v85°C
1.75
2.1
3.15
3.85
.45
0.9
1.35
1.65
$1.0
40
v125°C
1.75
2.1
3.15
3.85
.45
0.9
1.35
1.65
$1.0
80
单位
V
参数
最低高电平输入电压，
地址和禁止输入
条件
符号
V
IH
最大低电平输入电压，
地址和禁止输入
V
IL
V
最大输入漏电流，
地址或禁止输入
最大静态电源电流
（每包）
V
IN
= 6.0或GND
地址，抑制和
V
IS
= V
CC
或GND
I
IN
I
CC
mA
mA
DC电气特性 - 模拟部分
符号
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
3.0
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
保证限额
v85_C
108
46
33
20
18
15
4
2
-55 25℃
86
37
26
15
13
10
4
2
v125_C
120
55
37
20
18
15
5
3
单位
W
最大“开”电阻
（注7 ）
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= (V
EE
到V
CC
)
|I
S
| = 10毫安
（图4至9 ）
R
ON
0
0
3.0
0
0
3.0
3.0
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
V
IN
= V
IL
或V
IH ，
V
IS
= 2.0 V
V
IS
=
½
(V
CC
V
EE
), V
IS
= 3.0 V
|I
S
| = 10 mA时， V
IS
= 2.0 V
DR
ON
W
导通电阻平坦度
最大断通道
漏电流
|I
S
| = 10毫安V
COM
= 1, 2, 3.5 V
V
COM
= 2, 0, 2 V
RFLAT （ON）的
I
NC （关闭）
I
否（关）
4.5
3.0
W
关闭
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
（图17）
开关ON
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
（图17）
6.0
3.0
0
3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
最大导通通道
漏电流，
通道 - 通道
I
COM（上）
6.0
3.0
0
3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
7.在电源电压（V
CC
）接近2.5伏的导通电阻的模拟开关变得极为非线性的。因此，对于低电压
操作建议这些设备只被用于控制数字信号。
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3
QQ：2880707522 复制
