NTLGD3502N
功率MOSFET
20 V ， 5.8 A / 4.6双N沟道，
DFN6 3×3毫米封装
特点
暴露漏包
对于优秀的散热优异的耐热性
低门限电平
薄型（ < 1毫米）使得它能够很容易融入极薄
环境
这是一个Pb - Free设备
应用
http://onsemi.com
MOSFET我
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
最大
60毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
5.8 A
DC - DC转换器（降压和升压电路）
电源
硬盘驱动器
MOSFET我最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5.0 s
功耗
（注1 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
t
≤10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±20
4.3
3.0
5.8
1.74
17.2
-55
150
1.6
260
W
A
单位
V
V
A
3
MOSFET II
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
最大
90毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
4.6 A
4
散热器2
1
2
3
1
2
5
2
6
1
2, 5
3
4
6
5
4
散热器1
1
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
°
C
A
°C
6
=门1
排水= 1 / 2源代码
= 2门
=排水2
来源= 1
MOSFET II最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5.0 s
功耗
（注1 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
t
≤10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±12
3.6
2.5
4.6
1.74
13.8
-55
150
1.7
260
W
A
单位
V
V
A
1
3502
A
Y
WW
G
DFN6
CASE 506AG
记号
图表
1
3502
AYWW
G
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
°
C
A
°C
订购信息
设备
NTLGD3502NT1G
NTLGD3502NT2G
包
DFN6
（无铅）
DFN6
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹）
2.表面安装在FR4电路板使用推荐的最小焊盘尺寸
为30毫米
2
， 1盎司铜
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1
2006年12月 - 修订版0
出版订单号：
NTLGD3502N/D
NTLGD3502N
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注1 ）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注2 ）
结 - 环境 - 脉冲（占空比为25％ ）分垫（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
72
40
110
60
单位
° C / W
我MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿
电压
漏极至源极击穿
电压温度系数
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
毫安，
裁判25℃
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
正向跨导
收费，电容&栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
R
G
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V ;我
D
= 4.3 A
（注3）
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 10 V
250
138
52
2.9
1.0
1.1
1.5
W
480
200
90
4.0
nC
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
1.7
4.4
50
5.9
60
2.0
V
毫伏/°C的
mW
S
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
20
10
1.0
10
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性，V
GS
= 4.5 V
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.6 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，D
ISD
/d
t
= 100 A / MS ，
I
S
= 1.0 A
0.78
0.63
16.7
8.2
8.5
7.0
nC
ns
1.2
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V,
I
D
= 4.3 A，R
G
= 10
W
7.0
17.5
8.6
3.3
12
25
15
5.0
ns
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
4.开关的特点是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
QQ：2880707522 复制
