NLAS4053
模拟多路复用器/
多路解复用器
三重2 ： 1模拟开关，多路复用器
改进方法，亚微米芯片
栅CMOS
该NLAS4053是MC14053的改进版本，
MC74HC4053制造的亚微米硅栅CMOS
技术较低
DS （ ON）
性和改进的线性度
低电流。该设备可与任意单电源或操作
双电源高达
±3.0
V通过一个6 V
PP
无耦合信号
电容器。
当在单电源模式下操作时，它仅需要配合
V
EE
，引脚7接地。对于双电源供电，V
EE
被绑定到一
负电压，不超过最大额定值。引脚对引脚
与“ 4053. ”的所有行业标准的版本兼容
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
NLAS4053G
AWLYWW
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
A
=大会地点
L， WL
=晶圆地段
Y
=年
W， WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
NLAS
4053
ALYWG
G
改进的R
DS （ ON）
特定网络阳离子
引脚对引脚替代的MAX4053和MAX4053A
- 一半的电阻工作在5.0伏
单或双电源供电
- 单3-5伏操作，或双
±3.0
伏操作
- 用v
CC
3.0 3.3 V ，设备可以与1.8 V逻辑接口，
没有翻译所需
- 地址和禁止引脚的过压容限，可以是
驱动的V高达+6.0 V不管
CC
- 大大提高噪声容限在MAX4053和MAX4053A
改进的线性度标准HC4053设备
热门SOIC和节省空间的TSSOP封装
无铅包可用*
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年11月 - 第2版
出版订单号：
NLAS4053/D
NLAS4053
NO
B
V
CC
16
COM
B
COM
C
15
14
NO
C
13
NC
C
12
添加
C
添加
B
11
10
添加
A
9
NC
B
NO
A
COM
A
NC
A
COM
B
COM
C
NO
C
NC
C
1
NO
B
2
NC
B
3
NO
A
4
5
6
7
V
EE
8
GND
启用
C
B
A
COM
A
NC
A
抑制
图1.引脚连接
（ TOP VIEW ）
图2.逻辑图
真值表
地址
抑制
1
0
C
X
不在乎
0
B
X
不在乎
0
A
X
不在乎
0
在交换机上*
所有开关打开
COM
A
nC
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
-NO
C
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
1
1
* NO ，NC和COM引脚是相同的并且可以互换。要么可能是
认为是一种输入或输出;信号通过同样在任一方向。
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2
NLAS4053
最大额定值
符号
V
EE
参数
价值
单位
V
V
V
V
负直流电源电压
（参考GND）
-7.0到
)0.5
-0.5到
)7.0
-0.5到
)7.0
V
CC
V
IS
正直流电源电压（注1 ）
模拟输入电压
数字输入电压
（参考GND）
（参考V
EE
)
V
EE
-0.5到V
CC
)0.5
-0.5 7.0
$50
V
IN
I
（参考GND）
直流电流，流入或流出的任何引脚
存储温度范围
mA
_C
_C
_C
T
英镑
T
L
T
J
-65
)150
260
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
)150
143
164
500
450
q
JA
P
D
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
° C / W
mW
功率消耗在静止空气中，
湿气敏感度
MSL
F
R
LEVEL 1
可燃性等级
氧指数： 30 ％ - 35 ％
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
u1000
$300
V
ESD
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
V
I
闭锁
闭锁性能
上述V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. Ⅴ的绝对值
CC
$
|V
EE
|
≤
7.0.
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
（参考GND）
（参考GND）
（参考V
EE
)
5.5
2.5
2.5
GND
5.5
6.6
V
V
V
V
V
CC
V
IS
V
EE
0
V
CC
5.5
V
IN
T
A
（注6）（参照GND ）
工作温度范围，所有封装类型
55
0
0
125
100
20
_C
t
r
, t
f
输入的上升/下降时间
（通道选择或使能输入）
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
NS / V
6.未使用的数字输入可以不悬空。所有的数字输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
符号
参数
民
最大
单位
http://onsemi.com
3
NLAS4053
订购信息
设备
NLAS4053D
NLAS4053DG
NLAS4053DR2
NLAS4053DR2G
NLAS4053DT
NLAS4053DTG
NLAS4053DTR2
NLAS4053DTR2G
包
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
TSSOP16*
TSSOP16*
TSSOP16*
航运
48单位/铁
48单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
96单位/铁
96单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
直流特性 - 数码节
（电压参考GND）
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
V
IN
= 6.0或GND
通道选择，并启用
V
IS
= V
CC
或GND
0 V至6.0 V
6.0
保证限额
55
至25℃
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$0.1
4.0
v85°C
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$1.0
40
v125°C
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$1.0
80
单位
V
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压，地址和禁止输入
条件
V
IL
最大低电平输入
电压，地址和禁止输入
V
I
IN
I
CC
最大输入漏电流，
地址或禁止输入
最大静态电源
电流（每包）
mA
mA
DC电气特性 - 模拟部分
符号
R
ON
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
3.0
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
保证限额
v85_C
108
46
33
20
18
15
4
2
-55 25℃
86
37
26
15
13
10
4
2
v125_C
120
55
37
20
18
15
5
3
单位
W
最大“开”电阻
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= V
EE
到V
CC
|I
S
| = 10毫安
（图4至9 ）
V
IN
= V
IL
或V
IH ，
|I
S
| = 10 mA时，
0
0
3.0
0
0
3.0
DR
ON
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
V
IS
= 2.0 V
V
IS
= 3.5 V
V
IS
= 2.0 V
W
R
平（ON）的
COM -NO
导通电阻平坦度
V
COM
1, 2, 3.5 V
V
COM
2, 0, 2 V
|I
S
| = 10毫安
4.5
3.0
0
3.0
0
3.0
W
I
NC （关闭）
I
否（关）
最大断道泄漏
当前
关闭
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
（图17）
开关ON
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
（图17）
6.0
3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
I
COM（上）
在最大信道泄漏
目前，通道 - 通道
6.0
3.0
0
3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
