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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第279页 > NJT4030P_07
NJT4030P
首选设备
双极功率晶体管
PNP硅
特点
集热器
：辐射源
维持电压
V
CEO （ SUS ）
= 40 VDC （最小值） @我
C
= 10 MADC
高直流电流增益
= 200 （最小值） @我
C
= 1.0 ADC
h
FE
= 100 （最小值） @我
C
= 3.0 ADC
低集电极
：辐射源
饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 0.200伏（最大） @我
C
= 1.0 ADC
= 0.500伏（最大） @我
C
= 3.0 ADC
SOT- 223表面贴装包装
环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B ; > 8000 V
机器型号，C ; > 400 V
这些无铅器件
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PNP晶体管
3.0安培
40伏， 2.0瓦
C 2,4
B1
E3
概要
记号
图
SOT223
CASE 318E
风格1
1
A
Y
W
4030P
G
AYW
4030PG
=大会地点
YEAR
=工作周
=具体设备守则
= Pb-Free包装
引脚分配
4
C
B
1
C
2
E
3
顶视图引脚
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年1月，
第0版
1
出版订单号：
NJT4030P/D
NJT4030P
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
B
价值
40
40
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
6.0
1.0
3.0
5.0
基极电流
连续
集电极电流
连续
集电极电流
PEAK
I
C
总功耗
总磷
D
@ T
A
= 25_C安装在1 “平方（ 645平方毫米）的FR- 4 BD材料收集垫
总磷
D
@ T
A
= 25 ℃，安装在0.012 “平方（7.6平方毫米）上的FR-4 BD材料收集垫
工作和存储结温范围
P
D
2.0
0.80
T
J
, T
英镑
- 55至+ 150
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
热特性
特征
符号
R
qJA
R
qJA
T
L
最大
64
155
260
单位
热阻，结到外壳
结到环境1 “平方（ 645平方毫米）集电极上的FR- 4 BD材料垫
结到环境的0.012 “平方（ 7.6平方毫米）的FR- 4 BD材料收集垫
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从5秒
° C / W
°C
订购信息
设备
NJT4030PT1G
NJT4030PT3G
包
SOT223
（无铅）
SOT223
（无铅）
航运
1000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
P
D
，功耗（ W）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
2. f
T
= |h
FE
|
f
TEST
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
电流增益
带宽积（注2 ）
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V，F
TEST
= 1.0兆赫）
输入电容
(V
EB
= 5.0伏， F = 1.0兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ， F = 1.0兆赫）
直流电流增益
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
基射极电压ON
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
基射极饱和电压
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.1 ADC）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 0.5 ADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 10 MADC ）
(I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 0.3 ADC）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 6.0伏）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 40 VDC ）
发射极 - 基极电压
(I
E
= 50
MADC ，
I
C
= 0 ADC ）
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0 ADC ）
特征
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
25
50
图1.功率降额
T
C
T
A
T
J
，温度（° C）
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75
NJT4030P
3
100
125
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
V
EBO
I
CBO
I
EBO
C
ob
h
FE
C
ib
f
T
150
民
220
200
100
6.0
40
典型值
160
130
40
0.150
0.200
0.500
最大
400
100
100
1.0
1.0
NADC
NADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
pF
NJT4030P
典型特征
600
500
400
25°C
300
200
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
40°C
150°C
V
CE
= 1 V
h
FE
，直流电流增益
700
600
500
400
300
200
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
40°C
25°C
V
CE
= 4 V
150°C
h
FE
，直流电流增益
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图2.直流电流增益
1
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
I
C
/I
B
= 10
25°C
0.1
150°C
40°C
1
I
C
/I
B
= 50
图3.直流电流增益
150°C
25°C
40°C
0.1
0.01
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图4.集电极 - 发射极饱和电压
1
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
图5.集电极 - 发射极饱和电压
V
BE（上）
极，发射极 - 基极电压（V ）
V
CE
= 2 V
I
C
= 2 A
1A
0.1
0.1 A
0.5 A
40°C
25°C
150°C
0.01
1.0E04 1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
0.001
0.01
0.1
1
10
I
B
，基极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图6.集电极饱和区
图7. V
BE（上）
电压
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4
NJT4030P
典型特征
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1.2
I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
，发射极 - 基
饱和电压（ V）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
C
/I
B
= 50
40°C
V
BE （ SAT ）
，发射极 - 基
饱和电压（ V）
40°C
25°C
150°C
25°C
150°C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图8.基射极饱和电压
350
C
IBO
，输入电容（ pF）的
300
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
100
C
敖包
，输出电容（ pF）的
80
60
40
20
0
图9.基射极饱和电压
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
0
5
10
15
20
25
30
35
V
EB
，发射极基极电压（ V）
V
CB
，集电极基极电压（ V）
图10.输入电容
200
160
140
120
100
80
60
40
20
0
I
C
，集电极电流（ A）
f
头
，当前带宽
产品（兆赫）
180
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
V
CE
= 10 V
10
图11.输出电容
0.5毫秒
1
10毫秒
100毫秒
0.1
1毫秒
0.001
0.01
0.1
1
0.01
1
10
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
100
I
C
，集电极电流（ A）
图12.电流增益带宽积
图13.安全工作区
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NTE229
NTE74181
NCP1588
NJM2391DL1
N3391-44.736
NLAS4053DTR2G
N2B-CSS-TU1-1
NCV8800HDW26R2
NM93C56TN
NRA335K10
NAND08GR3B2C
NX5032GC
NMP163
NAND01GR3A2BZB1F
NTD4909N-35G
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