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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第103页 > NLAS4053DR2
NLAS4053
模拟多路复用器/
多路解复用器
三重2 : 1模拟开关,多路复用器
改进方法,亚微米芯片
栅CMOS
该NLAS4053是MC14053的改进版本,
MC74HC4053制造的亚微米硅栅CMOS
技术较低
DS ( ON)
性和改进的线性度
低电流。该设备可与任意单电源或操作
双电源高达
±3
V通过一个6 V
PP
无耦合信号
电容器。
当在单电源模式下操作时,它仅需要配合
V
EE
,引脚7接地。对于双电源供电,V
EE
被绑定到一
负电压,不超过最大额定值。引脚对引脚
与“ 4053. ”的所有行业标准的版本兼容
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
9
SO–16
后缀
CASE 751B
NLAS4053
AWLYWW
1
8
16
9
改进的R
DS ( ON)
特定网络阳离子
引脚对引脚替代的MAX4053和MAX4053A
- 一半的电阻工作在5.0伏
单或双电源供电
- 单3-5伏操作,或双
±3
伏操作
- 用v
CC
3.0 3.3 V ,设备可以与1.8 V逻辑接口,
没有翻译所需
- 地址和禁止引脚的过压容限,可以是
驱动的V高达+6 V不管
CC
地址和控制引脚是标准的TTL兼容
- 大大提高噪声容限在MAX4053和MAX4053A
改进的线性度标准HC4053设备
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
NLAS
4053
ALYW
1
8
16
9
QSOP–16
QS后缀
CASE 492
A
L, WL
Y, YY
W, WW
NLAS
4053
ALYW
1
8
热门SOIC和节省空间的TSSOP , QSOP和16引脚
套餐
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
NLAS4053D
NLAS4053DR2
NLAS4053DT
NLAS4053DTR2
NLAS4053QS
NLAS4053QSR
SO–16
SO–16
TSSOP–16
TSSOP–16
QSOP–16
QSOP–16
航运
48单位/铁
2500个/卷
96单位/铁
2500个/卷
48单位/铁
2000个/卷
半导体元件工业有限责任公司, 2002年
1
2002年6月 - 修订版0
出版订单号:
NLAS4053/D
NLAS4053
NO
B
V
CC
16
COM
B
COM
C
15
14
NO
C
13
NC
C
12
添加
C
添加
B
11
10
添加
A
9
NC
B
NO
A
COM
A
NC
A
COM
B
COM
C
NO
C
NC
C
1
NO
B
2
NC
B
3
NO
A
4
5
6
7
V
EE
8
GND
启用
C
B
A
COM
A
NC
A
抑制
图1.引脚连接
( TOP VIEW )
图2.逻辑图
真值表
地址
抑制
1
0
C
X
不在乎
0
B
X
不在乎
0
A
X
不在乎
0
在交换机上*
所有开关打开
COM
A
nC
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
-NO
C
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
1
1
* NO ,NC和COM引脚是相同的并且可以互换。要么可能是
认为是一种输入或输出;信号通过同样在任一方向。
http://onsemi.com
2
NLAS4053
最大额定值
(注1 )
符号
参数
价值
单位
V
V
V
V
V
EE
负直流电源电压
(参考GND)
-7.0到
)0.5
-0.5到
)7.0
-0.5到
)7.0
V
CC
V
IS
正直流电源电压(注2 )
模拟输入电压
数字输入电压
(参考GND)
(参考V
EE
)
V
EE
-0.5到V
CC
)0.5
-0.5 7.0
$50
V
IN
I
(参考GND)
直流电流,流入或流出的任何引脚
存储温度范围
mA
_C
_C
_C
T
英镑
T
L
T
J
-65
)150
260
)150
143
164
164
500
450
450
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
在偏置结温
热阻
q
JA
SOIC
TSSOP
QSOP
SOIC
TSSOP
QSOP
° C / W
P
D
功率消耗在静止空气中,
mW
MSL
F
R
湿气敏感度
LEVEL 1
可燃性等级
氧指数: 30 % - 35 %
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
u1000
$300
V
ESD
ESD耐压
人体模型(注3 )
机器模型(注4 )
带电器件模型(注5 )
V
I
LATCH -UP
闭锁性能
上述V
CC
及以下GND在125 ° C(注6 )
mA
1.绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。长期暴露在这些
条件或条件以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对功能操作最大额定
条件是不是暗示。
2. Ⅴ的绝对值
CC
$
|V
EE
|
7.0.
3.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
4.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
5.经测试JESD22 - C101 -A 。
6.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
(参考GND)
–5.5
2.5
2.5
GND
5.5
6.6
V
V
V
V
V
CC
V
IS
T
A
(参考GND)
(参考V
EE
)
V
EE
0
–55
0
0
V
CC
5.5
125
100
20
V
IN
(注7 ) (参照GND )
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
工作温度范围,所有封装类型
_C
t
r
, t
f
输入的上升/下降时间
(通道选择或使能输入)
NS / V
7.未使用的数字输入可以不悬空。所有的数字输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
符号
参数
最大
单位
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3
NLAS4053
直流特性 - 数码节
(电压参考GND)
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
V
IN
= 6.0或GND
通道选择,并启用
V
IS
= V
CC
或GND
0 V至6.0 V
6.0
保证限额
–55
至25℃
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$0.1
4.0
v85°C
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$1.0
40
v125°C
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$1.0
80
单位
V
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压,
地址和禁止输入
条件
V
IL
最大低电平输入电压,
地址和禁止输入
V
I
IN
I
CC
最大输入漏电流,
地址或禁止输入
最大静态电源
电流(每包)
mA
mA
符号
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
3.0
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
保证限额
v85_C
108
46
33
20
18
15
4
2
-55 25℃
86
37
26
15
13
10
4
2
v125_C
120
55
37
20
18
15
5
3
单位
W
R
ON
最大“开”电阻
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= V
EE
到V
CC
|I
S
| = 10毫安
(图4至9 )
V
IN
= V
IL
或V
IH ,
|I
S
| = 10 mA时,
0
0
–3.0
0
0
–3.0
R
ON
在“ON”的最大区别
任何之间的电阻
两个通道在同一
V
IS
= 2.0 V
V
IS
= 3.5 V
V
IS
= 2.0 V
W
R
平(ON)的
COM -NO
导通电阻平坦度
最大断通道
漏电流
V
COM
1, 2, 3.5 V
V
COM
–2, 0, 2 V
|I
S
| = 10毫安
4.5
3.0
0
–3.0
0
–3.0
W
I
NC (关闭)
I
否(关)
关闭
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
(图17)
6.0
3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
I
COM(上)
最大导通通道
漏电流,
通道 - 通道
开关ON
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
(图17)
6.0
3.0
0
–3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
DC电气特性 - 模拟部分
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4
NLAS4053
AC特性
(输入吨
r
= t
f
3 = NS)
保证限额
符号
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
-55 25℃
1.0
1.0
1.0
典型*
6.5
5.0
3.5
v85_C
v125_C
单位
ns
t
BBM
最小中断前先
时间
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= V
CC
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
(图19)
0.0
0.0
–3.0
*典型特征是在25_C 。
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
3 = NS)
保证限额
V
CC
V
2.5
3.0
4.5
3.0
2.5
3.0
4.5
3.0
2.5
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
0
0
0
–3.0
0
0
0
–3.0
0
0
0
–3.0
-55 25℃
典型值
最大
40
28
23
23
40
28
23
23
40
28
23
23
v85°C
最大
45
30
25
25
45
30
25
25
45
30
25
25
v125°C
最大
50
35
30
28
50
35
30
28
50
35
30
28
单位
ns
符号
t
TRANS
参数
转换时间
(地址选择时间)
(图18)
开启时间
(图14 ,15,20 ,和21)的
能为N
O
或N
C
关断时间
(图14 ,15,20 ,和21)的
能为N
O
或N
C
t
ON
ns
t
关闭
ns
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
C
IN
C
NO
或C
NC
C
COM
C
(上)
最大输入电容,输入选择
模拟量I / O
通用I / O
穿心
8
10
10
1.0
pF
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5
NLAS4053
模拟多路复用器/
多路解复用器
三重2 : 1模拟开关,多路复用器
改进方法,亚微米芯片
栅CMOS
该NLAS4053是MC14053的改进版本,
MC74HC4053制造的亚微米硅栅CMOS
技术较低
DS ( ON)
性和改进的线性度
低电流。该设备可与任意单电源或操作
双电源高达
±3
V通过一个6 V
PP
无耦合信号
电容器。
当在单电源模式下操作时,它仅需要配合
V
EE
,引脚7接地。对于双电源供电,V
EE
被绑定到一
负电压,不超过最大额定值。引脚对引脚
与“ 4053. ”的所有行业标准的版本兼容
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
9
SO–16
后缀
CASE 751B
NLAS4053
AWLYWW
1
8
16
9
改进的R
DS ( ON)
特定网络阳离子
引脚对引脚替代的MAX4053和MAX4053A
- 一半的电阻工作在5.0伏
单或双电源供电
- 单3-5伏操作,或双
±3
伏操作
- 用v
CC
3.0 3.3 V ,设备可以与1.8 V逻辑接口,
没有翻译所需
- 地址和禁止引脚的过压容限,可以是
驱动的V高达+6 V不管
CC
地址和控制引脚是标准的TTL兼容
- 大大提高噪声容限在MAX4053和MAX4053A
改进的线性度标准HC4053设备
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
NLAS
4053
ALYW
1
8
16
9
QSOP–16
QS后缀
CASE 492
A
L, WL
Y, YY
W, WW
NLAS
4053
ALYW
1
8
热门SOIC和节省空间的TSSOP , QSOP和16引脚
套餐
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
NLAS4053D
NLAS4053DR2
NLAS4053DT
NLAS4053DTR2
NLAS4053QS
NLAS4053QSR
SO–16
SO–16
TSSOP–16
TSSOP–16
QSOP–16
QSOP–16
航运
48单位/铁
2500个/卷
96单位/铁
2500个/卷
48单位/铁
2000个/卷
半导体元件工业有限责任公司, 2002年
1
2002年6月 - 修订版0
出版订单号:
NLAS4053/D
NLAS4053
NO
B
V
CC
16
COM
B
COM
C
15
14
NO
C
13
NC
C
12
添加
C
添加
B
11
10
添加
A
9
NC
B
NO
A
COM
A
NC
A
COM
B
COM
C
NO
C
NC
C
1
NO
B
2
NC
B
3
NO
A
4
5
6
7
V
EE
8
GND
启用
C
B
A
COM
A
NC
A
抑制
图1.引脚连接
( TOP VIEW )
图2.逻辑图
真值表
地址
抑制
1
0
C
X
不在乎
0
B
X
不在乎
0
A
X
不在乎
0
在交换机上*
所有开关打开
COM
A
nC
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
-NO
C
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
1
1
* NO ,NC和COM引脚是相同的并且可以互换。要么可能是
认为是一种输入或输出;信号通过同样在任一方向。
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2
NLAS4053
最大额定值
(注1 )
符号
参数
价值
单位
V
V
V
V
V
EE
负直流电源电压
(参考GND)
-7.0到
)0.5
-0.5到
)7.0
-0.5到
)7.0
V
CC
V
IS
正直流电源电压(注2 )
模拟输入电压
数字输入电压
(参考GND)
(参考V
EE
)
V
EE
-0.5到V
CC
)0.5
-0.5 7.0
$50
V
IN
I
(参考GND)
直流电流,流入或流出的任何引脚
存储温度范围
mA
_C
_C
_C
T
英镑
T
L
T
J
-65
)150
260
)150
143
164
164
500
450
450
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
在偏置结温
热阻
q
JA
SOIC
TSSOP
QSOP
SOIC
TSSOP
QSOP
° C / W
P
D
功率消耗在静止空气中,
mW
MSL
F
R
湿气敏感度
LEVEL 1
可燃性等级
氧指数: 30 % - 35 %
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
u1000
$300
V
ESD
ESD耐压
人体模型(注3 )
机器模型(注4 )
带电器件模型(注5 )
V
I
LATCH -UP
闭锁性能
上述V
CC
及以下GND在125 ° C(注6 )
mA
1.绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。长期暴露在这些
条件或条件以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对功能操作最大额定
条件是不是暗示。
2. Ⅴ的绝对值
CC
$
|V
EE
|
7.0.
3.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
4.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
5.经测试JESD22 - C101 -A 。
6.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
(参考GND)
–5.5
2.5
2.5
GND
5.5
6.6
V
V
V
V
V
CC
V
IS
T
A
(参考GND)
(参考V
EE
)
V
EE
0
–55
0
0
V
CC
5.5
125
100
20
V
IN
(注7 ) (参照GND )
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
工作温度范围,所有封装类型
_C
t
r
, t
f
输入的上升/下降时间
(通道选择或使能输入)
NS / V
7.未使用的数字输入可以不悬空。所有的数字输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
符号
参数
最大
单位
http://onsemi.com
3
NLAS4053
直流特性 - 数码节
(电压参考GND)
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
V
IN
= 6.0或GND
通道选择,并启用
V
IS
= V
CC
或GND
0 V至6.0 V
6.0
保证限额
–55
至25℃
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$0.1
4.0
v85°C
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$1.0
40
v125°C
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$1.0
80
单位
V
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压,
地址和禁止输入
条件
V
IL
最大低电平输入电压,
地址和禁止输入
V
I
IN
I
CC
最大输入漏电流,
地址或禁止输入
最大静态电源
电流(每包)
mA
mA
符号
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
3.0
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
保证限额
v85_C
108
46
33
20
18
15
4
2
-55 25℃
86
37
26
15
13
10
4
2
v125_C
120
55
37
20
18
15
5
3
单位
W
R
ON
最大“开”电阻
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= V
EE
到V
CC
|I
S
| = 10毫安
(图4至9 )
V
IN
= V
IL
或V
IH ,
|I
S
| = 10 mA时,
0
0
–3.0
0
0
–3.0
R
ON
在“ON”的最大区别
任何之间的电阻
两个通道在同一
V
IS
= 2.0 V
V
IS
= 3.5 V
V
IS
= 2.0 V
W
R
平(ON)的
COM -NO
导通电阻平坦度
最大断通道
漏电流
V
COM
1, 2, 3.5 V
V
COM
–2, 0, 2 V
|I
S
| = 10毫安
4.5
3.0
0
–3.0
0
–3.0
W
I
NC (关闭)
I
否(关)
关闭
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
(图17)
6.0
3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
I
COM(上)
最大导通通道
漏电流,
通道 - 通道
开关ON
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
(图17)
6.0
3.0
0
–3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
DC电气特性 - 模拟部分
http://onsemi.com
4
NLAS4053
AC特性
(输入吨
r
= t
f
3 = NS)
保证限额
符号
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
-55 25℃
1.0
1.0
1.0
典型*
6.5
5.0
3.5
v85_C
v125_C
单位
ns
t
BBM
最小中断前先
时间
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= V
CC
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
(图19)
0.0
0.0
–3.0
*典型特征是在25_C 。
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
3 = NS)
保证限额
V
CC
V
2.5
3.0
4.5
3.0
2.5
3.0
4.5
3.0
2.5
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
0
0
0
–3.0
0
0
0
–3.0
0
0
0
–3.0
-55 25℃
典型值
最大
40
28
23
23
40
28
23
23
40
28
23
23
v85°C
最大
45
30
25
25
45
30
25
25
45
30
25
25
v125°C
最大
50
35
30
28
50
35
30
28
50
35
30
28
单位
ns
符号
t
TRANS
参数
转换时间
(地址选择时间)
(图18)
开启时间
(图14 ,15,20 ,和21)的
能为N
O
或N
C
关断时间
(图14 ,15,20 ,和21)的
能为N
O
或N
C
t
ON
ns
t
关闭
ns
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
C
IN
C
NO
或C
NC
C
COM
C
(上)
最大输入电容,输入选择
模拟量I / O
通用I / O
穿心
8
10
10
1.0
pF
http://onsemi.com
5
NLAS4053
模拟多路复用器/
多路解复用器
三重2 : 1模拟开关,多路复用器
改进方法,亚微米芯片
栅CMOS
该NLAS4053是MC14053的改进版本,
MC74HC4053制造的亚微米硅栅CMOS
技术较低
DS ( ON)
性和改进的线性度
低电流。该设备可与任意单电源或操作
双电源高达
±3
V通过一个6 V
PP
无耦合信号
电容器。
当在单电源模式下操作时,它仅需要配合
V
EE
,引脚7接地。对于双电源供电,V
EE
被绑定到一
负电压,不超过最大额定值。引脚对引脚
与“ 4053. ”的所有行业标准的版本兼容
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
9
SO–16
后缀
CASE 751B
NLAS4053
AWLYWW
1
8
16
9
改进的R
DS ( ON)
特定网络阳离子
引脚对引脚替代的MAX4053和MAX4053A
- 一半的电阻工作在5.0伏
单或双电源供电
- 单3-5伏操作,或双
±3
伏操作
- 用v
CC
3.0 3.3 V ,设备可以与1.8 V逻辑接口,
没有翻译所需
- 地址和禁止引脚的过压容限,可以是
驱动的V高达+6 V不管
CC
地址和控制引脚是标准的TTL兼容
- 大大提高噪声容限在MAX4053和MAX4053A
改进的线性度标准HC4053设备
TSSOP–16
DT后缀
CASE 948F
NLAS
4053
ALYW
1
8
16
9
QSOP–16
QS后缀
CASE 492
A
L, WL
Y, YY
W, WW
NLAS
4053
ALYW
1
8
热门SOIC和节省空间的TSSOP , QSOP和16引脚
套餐
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
NLAS4053D
NLAS4053DR2
NLAS4053DT
NLAS4053DTR2
NLAS4053QS
NLAS4053QSR
SO–16
SO–16
TSSOP–16
TSSOP–16
QSOP–16
QSOP–16
航运
48单位/铁
2500个/卷
96单位/铁
2500个/卷
48单位/铁
2000个/卷
半导体元件工业有限责任公司, 2002年
1
2002年6月 - 修订版0
出版订单号:
NLAS4053/D
NLAS4053
NO
B
V
CC
16
COM
B
COM
C
15
14
NO
C
13
NC
C
12
添加
C
添加
B
11
10
添加
A
9
NC
B
NO
A
COM
A
NC
A
COM
B
COM
C
NO
C
NC
C
1
NO
B
2
NC
B
3
NO
A
4
5
6
7
V
EE
8
GND
启用
C
B
A
COM
A
NC
A
抑制
图1.引脚连接
( TOP VIEW )
图2.逻辑图
真值表
地址
抑制
1
0
C
X
不在乎
0
B
X
不在乎
0
A
X
不在乎
0
在交换机上*
所有开关打开
COM
A
nC
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
-NO
C
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
1
1
* NO ,NC和COM引脚是相同的并且可以互换。要么可能是
认为是一种输入或输出;信号通过同样在任一方向。
http://onsemi.com
2
NLAS4053
最大额定值
(注1 )
符号
参数
价值
单位
V
V
V
V
V
EE
负直流电源电压
(参考GND)
-7.0到
)0.5
-0.5到
)7.0
-0.5到
)7.0
V
CC
V
IS
正直流电源电压(注2 )
模拟输入电压
数字输入电压
(参考GND)
(参考V
EE
)
V
EE
-0.5到V
CC
)0.5
-0.5 7.0
$50
V
IN
I
(参考GND)
直流电流,流入或流出的任何引脚
存储温度范围
mA
_C
_C
_C
T
英镑
T
L
T
J
-65
)150
260
)150
143
164
164
500
450
450
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
在偏置结温
热阻
q
JA
SOIC
TSSOP
QSOP
SOIC
TSSOP
QSOP
° C / W
P
D
功率消耗在静止空气中,
mW
MSL
F
R
湿气敏感度
LEVEL 1
可燃性等级
氧指数: 30 % - 35 %
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
u1000
$300
V
ESD
ESD耐压
人体模型(注3 )
机器模型(注4 )
带电器件模型(注5 )
V
I
LATCH -UP
闭锁性能
上述V
CC
及以下GND在125 ° C(注6 )
mA
1.绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。长期暴露在这些
条件或条件以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对功能操作最大额定
条件是不是暗示。
2. Ⅴ的绝对值
CC
$
|V
EE
|
7.0.
3.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
4.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
5.经测试JESD22 - C101 -A 。
6.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
(参考GND)
–5.5
2.5
2.5
GND
5.5
6.6
V
V
V
V
V
CC
V
IS
T
A
(参考GND)
(参考V
EE
)
V
EE
0
–55
0
0
V
CC
5.5
125
100
20
V
IN
(注7 ) (参照GND )
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
工作温度范围,所有封装类型
_C
t
r
, t
f
输入的上升/下降时间
(通道选择或使能输入)
NS / V
7.未使用的数字输入可以不悬空。所有的数字输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
符号
参数
最大
单位
http://onsemi.com
3
NLAS4053
直流特性 - 数码节
(电压参考GND)
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
V
IN
= 6.0或GND
通道选择,并启用
V
IS
= V
CC
或GND
0 V至6.0 V
6.0
保证限额
–55
至25℃
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$0.1
4.0
v85°C
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$1.0
40
v125°C
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$1.0
80
单位
V
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压,
地址和禁止输入
条件
V
IL
最大低电平输入电压,
地址和禁止输入
V
I
IN
I
CC
最大输入漏电流,
地址或禁止输入
最大静态电源
电流(每包)
mA
mA
符号
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
3.0
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
保证限额
v85_C
108
46
33
20
18
15
4
2
-55 25℃
86
37
26
15
13
10
4
2
v125_C
120
55
37
20
18
15
5
3
单位
W
R
ON
最大“开”电阻
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= V
EE
到V
CC
|I
S
| = 10毫安
(图4至9 )
V
IN
= V
IL
或V
IH ,
|I
S
| = 10 mA时,
0
0
–3.0
0
0
–3.0
R
ON
在“ON”的最大区别
任何之间的电阻
两个通道在同一
V
IS
= 2.0 V
V
IS
= 3.5 V
V
IS
= 2.0 V
W
R
平(ON)的
COM -NO
导通电阻平坦度
最大断通道
漏电流
V
COM
1, 2, 3.5 V
V
COM
–2, 0, 2 V
|I
S
| = 10毫安
4.5
3.0
0
–3.0
0
–3.0
W
I
NC (关闭)
I
否(关)
关闭
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
(图17)
6.0
3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
I
COM(上)
最大导通通道
漏电流,
通道 - 通道
开关ON
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
(图17)
6.0
3.0
0
–3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
DC电气特性 - 模拟部分
http://onsemi.com
4
NLAS4053
AC特性
(输入吨
r
= t
f
3 = NS)
保证限额
符号
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
-55 25℃
1.0
1.0
1.0
典型*
6.5
5.0
3.5
v85_C
v125_C
单位
ns
t
BBM
最小中断前先
时间
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= V
CC
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
(图19)
0.0
0.0
–3.0
*典型特征是在25_C 。
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
3 = NS)
保证限额
V
CC
V
2.5
3.0
4.5
3.0
2.5
3.0
4.5
3.0
2.5
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
0
0
0
–3.0
0
0
0
–3.0
0
0
0
–3.0
-55 25℃
典型值
最大
40
28
23
23
40
28
23
23
40
28
23
23
v85°C
最大
45
30
25
25
45
30
25
25
45
30
25
25
v125°C
最大
50
35
30
28
50
35
30
28
50
35
30
28
单位
ns
符号
t
TRANS
参数
转换时间
(地址选择时间)
(图18)
开启时间
(图14 ,15,20 ,和21)的
能为N
O
或N
C
关断时间
(图14 ,15,20 ,和21)的
能为N
O
或N
C
t
ON
ns
t
关闭
ns
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
C
IN
C
NO
或C
NC
C
COM
C
(上)
最大输入电容,输入选择
模拟量I / O
通用I / O
穿心
8
10
10
1.0
pF
http://onsemi.com
5
NLAS4053
模拟多路复用器/
多路解复用器
三重2 : 1模拟开关,多路复用器
改进方法,亚微米芯片
栅CMOS
该NLAS4053是MC14053的改进版本,
MC74HC4053制造的亚微米硅栅CMOS
技术较低
DS ( ON)
性和改进的线性度
低电流。该设备可与任意单电源或操作
双电源高达
±3.0
V通过一个6 V
PP
无耦合信号
电容器。
当在单电源模式下操作时,它仅需要配合
V
EE
,引脚7接地。对于双电源供电,V
EE
被绑定到一
负电压,不超过最大额定值。引脚对引脚
与“ 4053. ”的所有行业标准的版本兼容
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
NLAS4053G
AWLYWW
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
A
=大会地点
L, WL
=晶圆地段
Y
=年
W, WW =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
NLAS
4053
ALYWG
G
改进的R
DS ( ON)
特定网络阳离子
引脚对引脚替代的MAX4053和MAX4053A
- 一半的电阻工作在5.0伏
单或双电源供电
- 单3-5伏操作,或双
±3.0
伏操作
- 用v
CC
3.0 3.3 V ,设备可以与1.8 V逻辑接口,
没有翻译所需
- 地址和禁止引脚的过压容限,可以是
驱动的V高达+6.0 V不管
CC
- 大大提高噪声容限在MAX4053和MAX4053A
改进的线性度标准HC4053设备
热门SOIC和节省空间的TSSOP封装
无铅包可用*
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年11月 - 第2版
出版订单号:
NLAS4053/D
NLAS4053
NO
B
V
CC
16
COM
B
COM
C
15
14
NO
C
13
NC
C
12
添加
C
添加
B
11
10
添加
A
9
NC
B
NO
A
COM
A
NC
A
COM
B
COM
C
NO
C
NC
C
1
NO
B
2
NC
B
3
NO
A
4
5
6
7
V
EE
8
GND
启用
C
B
A
COM
A
NC
A
抑制
图1.引脚连接
( TOP VIEW )
图2.逻辑图
真值表
地址
抑制
1
0
C
X
不在乎
0
B
X
不在乎
0
A
X
不在乎
0
在交换机上*
所有开关打开
COM
A
nC
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
nC
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
nC
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
nC
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
-NO
C
COM
A
-NO
A
,
COM
B
-NO
B
,
COM
C
-NO
C
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
1
1
* NO ,NC和COM引脚是相同的并且可以互换。要么可能是
认为是一种输入或输出;信号通过同样在任一方向。
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2
NLAS4053
最大额定值
符号
V
EE
参数
价值
单位
V
V
V
V
负直流电源电压
(参考GND)
-7.0到
)0.5
-0.5到
)7.0
-0.5到
)7.0
V
CC
V
IS
正直流电源电压(注1 )
模拟输入电压
数字输入电压
(参考GND)
(参考V
EE
)
V
EE
-0.5到V
CC
)0.5
-0.5 7.0
$50
V
IN
I
(参考GND)
直流电流,流入或流出的任何引脚
存储温度范围
mA
_C
_C
_C
T
英镑
T
L
T
J
-65
)150
260
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
在偏置结温
热阻
)150
143
164
500
450
q
JA
P
D
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
° C / W
mW
功率消耗在静止空气中,
湿气敏感度
MSL
F
R
LEVEL 1
可燃性等级
氧指数: 30 % - 35 %
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
u1000
$300
V
ESD
ESD耐压
人体模型(注2 )
机器模型(注3 )
带电器件模型(注4 )
V
I
闭锁
闭锁性能
上述V
CC
及以下GND在125 ° C(注5 )
mA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. Ⅴ的绝对值
CC
$
|V
EE
|
7.0.
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
4.经测试JESD22 - C101 -A 。
5.经测试EIA / JESD78 。
推荐工作条件
V
EE
负直流电源电压
正直流电源电压
模拟输入电压
数字输入电压
(参考GND)
(参考GND)
(参考V
EE
)
5.5
2.5
2.5
GND
5.5
6.6
V
V
V
V
V
CC
V
IS
V
EE
0
V
CC
5.5
V
IN
T
A
(注6)(参照GND )
工作温度范围,所有封装类型
55
0
0
125
100
20
_C
t
r
, t
f
输入的上升/下降时间
(通道选择或使能输入)
V
CC
= 3.0 V
$
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
$
0.5 V
NS / V
6.未使用的数字输入可以不悬空。所有的数字输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
符号
参数
最大
单位
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NLAS4053
订购信息
设备
NLAS4053D
NLAS4053DG
NLAS4053DR2
NLAS4053DR2G
NLAS4053DT
NLAS4053DTG
NLAS4053DTR2
NLAS4053DTR2G
SOIC16
SOIC16
(无铅)
SOIC16
SOIC16
(无铅)
TSSOP16*
TSSOP16*
TSSOP16*
TSSOP16*
航运
48单位/铁
48单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
96单位/铁
96单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
直流特性 - 数码节
(电压参考GND)
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
5.5
2.0
3.0
4.5
5.5
V
IN
= 6.0或GND
通道选择,并启用
V
IS
= V
CC
或GND
0 V至6.0 V
6.0
保证限额
55
至25℃
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$0.1
4.0
v85°C
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$1.0
40
v125°C
1.5
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
$1.0
80
单位
V
符号
V
IH
参数
最低高电平输入
电压,地址和禁止输入
条件
V
IL
最大低电平输入
电压,地址和禁止输入
V
I
IN
I
CC
最大输入漏电流,
地址或禁止输入
最大静态电源
电流(每包)
mA
mA
DC电气特性 - 模拟部分
符号
R
ON
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
3.0
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
保证限额
v85_C
108
46
33
20
18
15
4
2
-55 25℃
86
37
26
15
13
10
4
2
v125_C
120
55
37
20
18
15
5
3
单位
W
最大“开”电阻
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= V
EE
到V
CC
|I
S
| = 10毫安
(图4至9 )
V
IN
= V
IL
或V
IH ,
|I
S
| = 10 mA时,
0
0
3.0
0
0
3.0
DR
ON
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
V
IS
= 2.0 V
V
IS
= 3.5 V
V
IS
= 2.0 V
W
R
平(ON)的
COM -NO
导通电阻平坦度
V
COM
1, 2, 3.5 V
V
COM
2, 0, 2 V
|I
S
| = 10毫安
4.5
3.0
0
3.0
0
3.0
W
I
NC (关闭)
I
否(关)
最大断道泄漏
当前
关闭
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
(图17)
开关ON
V
IO
= V
CC
-1.0 V或V
EE
+1.0 V
(图17)
6.0
3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
I
COM(上)
在最大信道泄漏
目前,通道 - 通道
6.0
3.0
0
3.0
0.1
0.1
5.0
5.0
100
100
nA
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4
NLAS4053
AC特性
(输入吨
r
= t
f
3 = NS)
保证限额
符号
t
BBM
参数
测试条件
V
CC
V
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
-55 25℃
1.0
1.0
1.0
典型*
6.5
5.0
3.5
v85_C
v125_C
单位
ns
最小中断前先
时间
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IS
= V
CC
R
L
= 300
W,
C
L
= 35 pF的
(图19)
0.0
0.0
3.0
*典型特征是在25_C 。
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
3 = NS)
保证限额
V
CC
V
2.5
3.0
4.5
3.0
2.5
3.0
4.5
3.0
2.5
3.0
4.5
3.0
V
EE
V
0
0
0
3.0
0
0
0
3.0
0
0
0
3.0
-55 25℃
典型值
最大
40
28
23
23
40
28
23
23
40
28
23
23
v85°C
最大
45
30
25
25
45
30
25
25
45
30
25
25
v125°C
最大
50
35
30
28
50
35
30
28
50
35
30
28
单位
ns
符号
t
TRANS
参数
转换时间
(地址选择时间)
(图18)
开启时间
(图14 ,15,20 ,和21)的
能为N
O
或N
C
关断时间
(图14 ,15,20 ,和21)的
能为N
O
或N
C
t
ON
ns
t
关闭
ns
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
C
IN
C
NO
or
C
NC
C
COM
C
(上)
最大输入电容,输入选择
模拟量I / O
通用I / O
穿心
8
10
10
1.0
pF
额外的应用特性
( GND = 0V)
V
CC
V
3.0
4.5
6.0
3.0
3.0
4.5
6.0
3.0
3.0
4.5
6.0
3.0
5.0
3.0
V
EE
V
0.0
0.0
0.0
3.0
0.0
0.0
0.0
3.0
0.0
0.0
0.0
3.0
0.0
3.0
典型值
25°C
145
165
180
180
93
93
93
93
2
2
2
2
9.0
12
单位
兆赫
符号
BW
参数
最大导通通道
带宽或最小
频率响应
关通道穿心
隔离
条件
V
IS
=
½
(V
CC
V
EE
)
来源振幅= 0 dBm的
(图10和22)的
F = 100千赫; V
IS
=
½
(V
CC
V
EE
)
来源= 0 dBm的
(图12和22)的
V
IS
=
½
(V
CC
V
EE
)
来源= 0 dBm的
(图10和22)的
V
IN
= V
CC
到V
EE,
f
IS
= 1千赫,T
r
= t
f
= 3纳秒
R
IS
= 0
W,
C
L
= 1000pF的,Q = C
L
*
DV
OUT
(图16和23)的
f
IS
= 1 MHz时,R
L
= 10 KW ,C
L
= 50 pF的,
V
IS
= 5.0 V
PP
正弦波
V
IS
= 6.0 V
PP
正弦波
(图13)
V
ISO
dB
V
ONL
最大穿心
损耗
dB
Q
电荷注入
pC
THD
总谐波失真
总谐波失真+噪声
%
6.0
3.0
0.0
3.0
0.10
0.05
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联系人:李
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电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
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