数据表
NPN硅锗RF晶体管
NESG210833
NPN硅锗RF晶体管
UHF- BAND ，低噪声，低失真功放
3 -PIN MINIMOLD （ 33 PKG ）
特点
设备是低噪声，低失真放大的理想选择。
NF = 0.7 dB典型值。 @ V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安， F = 1 GHz的
NF = 0.9 dB典型值。 @ V
CE
= 5 V，I
C
= 30 mA时， F = 1 GHz的
P
O（1 dB为单位）
= 18.5 dBm的典型。 @ V
CE
= 5 V，I
C（套）
= 30 mA时， F = 1 GHz的
- OIP
3
= 31 dBm的典型。 @ V
CE
= 5 V，I
C（套）
= 30 mA时， F = 1 GHz的
最大稳定功率增益：味精= 16.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 5 V，I
C
= 30 mA时， F = 1 GHz的
的SiGe HBT技术（ UHS2 ） ：F
T
= 15.5 GHz的
3针minimold （ 33 PKG ）
订购信息
产品型号
NESG210833
订单号
NESG210833-A
包
3引脚Minimold
（ 33 PKG ） （无铅）
NESG210833-T1B
NESG210833-T1B-A
QUANTITY
50个
（无卷）
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚3 （珍藏）面对侧穿孔
带的
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
基极电流
注1
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
I
B
I
C
P
合计
注2
评级
5.5
13
5.5
36
100
480
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
集电极电流
<R>
总功耗
结温
储存温度
T
j
T
英镑
注意事项1 。
依赖于ESD保护器件。
2.
安装在3.8厘米
×
9.0厘米
×0.8
毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
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销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PU10765EJ02V0DS （第2版）
发布日期2009 NS月
日本印刷
标记<R>表示主要修改点。
2009
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
QQ：2881677436 复制
