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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第97页 > NGTB40N60IHLWG
NGTB40N60IHLWG
IGBT
这种绝缘栅双极晶体管（ IGBT）具有强大的和
成本效益的场截止（ FS ）成槽施工，并提供
卓越的性能要求苛刻的开关应用，提供
无论在低电压的状态和最小的开关损耗。 IGBT的是
非常适用于半桥谐振的应用程序。纳入
设备是具有低柔软和快速共同封装的回流二极管
正向电压。
低饱和电压使用海沟与场终止技术
低开关损耗降低了系统功耗
低栅电荷
柔软，快速续流二极管
这些无铅器件
http://onsemi.com
特点
40 A， 600 V
V
CESAT
= 2.0 V
E
关闭
= 0.4兆焦耳
C
典型应用
感应加热
软开关
G
E
符号
V
CES
I
C
价值
600
80
40
200
单位
V
A
G
TO247
CASE 340L
方式4
绝对最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极电流
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，T
脉冲
限制T
JMAX
二极管的正向电流
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
二极管脉冲电流，T
脉冲
有限
经t
JMAX
极 - 发射极电压
功耗
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
工作结温
范围
存储温度范围
无铅焊接温度的， 1/8“
案件从5秒
I
CM
I
F
A
A
C
E
80
40
200
$20
250
50
55
+150
55
+150
260
I
FM
V
GE
P
D
A
V
W
标记图
T
J
T
英镑
T
SLD
°C
°C
°C
A
Y
WW
G
40N60IHL
AYWWG
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NGTB40N60IHLWG
包
航运
TO- 247 30单位/铁
（无铅）
半导体元件工业有限责任公司， 2012
， 2012年11月
第0版
1
出版订单号：
NGTB40N60IHLW/D
NGTB40N60IHLWG
热特性
等级
热阻结到外壳，用于IGBT
热阻结到外壳，用于二极管
热阻结到环境
符号
R
QJC
R
QJC
R
qJA
价值
0.87
1.46
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压，
栅极 - 发射极短路
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极截止电流，栅极
发射极短路
栅极漏电流，集电极 - 发射极
短路
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷总量
门极 - 发射极充
门到集充电
开关特性，感性负载
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关断开关损耗
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关断开关损耗
二极管特性
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
V
GE
= 0 V，I
F
= 40 A
V
GE
= 0 V，I
F
= 40 A，T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
I
F
= 40 A，V
R
= 200 V
di
F
/ DT = 200 A / MS
V
F
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.3
1.35
400
5500
25
1.5
V
ns
nc
A
T
J
= 150°C
V
CC
= 400 V，I
C
= 40 A
R
g
= 10
W
V
GE
= 0 V/ 15V
T
J
= 25°C
V
CC
= 400 V，I
C
= 40 A
R
g
= 10
W
V
GE
= 0 V/ 15V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
70
40
140
70
0.4
70
40
140
90
0.8
mJ
mJ
ns
ns
V
CE
= 480 V，I
C
= 40 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 20 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
3100
120
80
130
29
67
nC
pF
V
GE
=
0 V，I
C
= 500
mA
V
GE
= 15 V，I
C
= 40 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 40 A，T
J
= 150°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 150
mA
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V ，T
J =
150°C
V
GE
= 20 V , V
CE
= 0 V
V
（ BR ） CES
V
CESAT
V
GE （日）
I
CES
I
GES
600
4.5
2.0
2.6
5.5
2.4
6.5
0.2
2
100
V
V
V
mA
nA
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NGTB40N60IHLWG
典型特征
140
I
C
，集电极电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
0
11 V
10 V
9V
7 V至8 V
1
2
3
4
5
6
7
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
8
140
I
C
，集电极电流（ A）
V
GE
= 17 V至15 V
13 V
120
100
80
60
40
20
0
0
11 V
10 V
9V
8V
7V
1
2
3
4
5
6
7
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
8
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
GE
= 17 V
至13 V
图1.输出特性
图2.输出特性
160
I
C
，集电极电流（ A）
140
120
100
80
60
40
20
0
0
I
C
，集电极电流（ A）
T
J
=
55°C
140
V
GE
= 17 V
至13 V
120
100
80
60
40
20
0
8
0
4
8
12
V
GE
，门极 - 发射极电压（ V）
16
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
11 V
10 V
7 V至8 V
1
2
3
4
5
6
7
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
9V
图3.输出特性
4.50
V
CE
，集电极 - 发射极
电压（V）的
4.00
电容（pF）
3.50
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0
75
25
25
75
125
175
10
0
I
C
= 40 A
I
C
= 20 A
I
C
= 5 A
I
C
= 80 A
1000
10000
图4.典型的传输特性
C
IES
100
C
OES
C
水库
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
T
J
，结温（ ° C）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图5. V
CE （ SAT ）
与T
J
图6.典型电容
http://onsemi.com
3
NGTB40N60IHLWG
典型特征
120
I
F
，正向电流（ A）
100
80
60
40
20
0
T
J
= 150°C
V
GE
，门极 - 发射极电压（ V）
20
T
J
= 25°C
15
V
CE
= 480 V
10
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0
20
V
F
，正向电压（ V）
40
60
80
100
Q
G
，栅极电荷（ NC）
120
140
图7.二极管的正向特性
图8.典型栅极电荷
E
关闭
，关断开关损耗（兆焦耳）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
切换时间（纳秒）
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 40 A
R
g
= 10
W
1000
t
D（关闭）
100
t
f
t
D（上）
t
r
10
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 40 A
R
g
= 10
W
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
J
，结温（ ° C）
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1
T
J
，结温（ ° C）
图9.开关损耗与温度的关系
图10.开关时间与温度的关系
E
关闭
，关断开关损耗（兆焦耳）
2.5
2
1.5
1
0.5
0
切换时间（纳秒）
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
R
g
= 10
W
1000
t
f
100
t
D（上）
t
r
10
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
R
g
= 10
W
4
20
t
D（关闭）
4
16
28
40
52
64
76
88
1
32
44
56
68
80
I
C
，集电极电流（ A）
图11.开关损耗与我
C
I
C
，集电极电流（ A）
图12.开关时间与温度的关系
http://onsemi.com
4
NGTB40N60IHLWG
典型特征
E
关闭
，关断开关损耗（兆焦耳）
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
5
切换时间（纳秒）
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 40 A
T
J
= 150°C
1000
t
D（关闭）
100
t
f
t
D（上）
t
r
10
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 40 A
T
J
= 150°C
5
15
25
35
45
55
65
75
85
R
G
，栅极电阻（ W）
15
25
35
45
55
65
75
85
1
R
G
，栅极电阻（ W）
图13.开关损耗与
G
图14.开关时间与
G
1.4
E
关闭
，关断开关损耗
（兆焦耳）
1.2
1000
切换时间（纳秒）
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
175
225
275
325
375
425
V
GE
= 15 V
I
C
= 40 A
R
G
= 10
W
T
J
= 150°C
475
525 575
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
100
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
10
1
175
V
GE
= 15 V
I
C
= 40 A
R
G
= 10
W
T
J
= 150°C
225
275 325
375
425 475
525 575
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图15.开关损耗与V
CE
1000
I
C
，集电极电流（ A）
100
10
1
0.1
0.01
50
ms
1000
I
C
，集电极电流（ A）
图16.开关时间与V
CE
100
ms
100
直流操作
1毫秒
单非重复性
脉冲吨
C
= 25°C
曲线必须降低
线性增长
温度
1
10
100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
10
1000
1
V
GE
= 15 V ，T
C
= 125°C
1
10
100
1000
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图17.安全工作区
图18.反向偏置安全工作区
http://onsemi.com
5
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NTE9803
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N04Q1618C2BB2-70C
NM1624J255
N74F1763A-T
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