NDF05N50Z ， NDP05N50Z ，
NDD05N50Z
N沟道功率MOSFET
500 V, 1.25
W
特点
低导通电阻
低栅电荷
100％的雪崩测试
这些器件是无铅和符合RoHS标准
http://onsemi.com
V
DSS
500 V
R
DS （ ON）
（ TYP ） @ 2.2
1.25
W
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
连续漏电流
QJC
连续漏电流
R
QJC
, T
A
= 100°C
漏电流脉冲，V
GS
@
10 V
功耗
QJC
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量，
I
D
= 5.0 A
ESD （ HBM ） （ JESD22 - A114 ）
RMS的隔离电压（ T =
0.3秒， R.H。
≤
30%, T
A
=
25℃） （图15）
峰值二极管恢复
连续源电流
（体二极管）
最高温度
焊接引线， 0.063 “
（ 1.6毫米） ，从案例10秒
包主体10秒
工作结
存储温度范围
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
V
ESD
V
ISO
4500
5
（注1 ）
3.2
（注1 ）
20
（注1 ）
28
NDF
NDP
500
5
3.2
20
96
±30
130
3000
4.7
3
19
83
NDD
单位
V
A
A
G (1)
A
W
V
mJ
V
V
4
4
1
1
1
1 2
N沟道
D (2)
S (3)
dv / dt的
I
S
T
L
T
PKG
4.5 （注2）
5
300
260
V / ns的
A
°C
2
2
3
2
3
3
3
DPAK
TO- 220FP TO- 220AB
IPAK
CASE 221D CASE 221A CASE 369D CASE 369AA
方式2
风格1
风格5
方式2
T
J
, T
英镑
55
150
°C
标记和订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.通过限制最高结温
2. I
S
= 4.4 A， di / dt的
≤
100 A / MS ，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
= +150°C
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年12月，
第0版
1
出版订单号：
NDF05N50Z/D
NDF05N50Z ， NDP05N50Z ， NDD05N50Z
热阻
参数
结至外壳（漏）
NDP05N50Z
NDF05N50Z
NDD05N50Z
（注3 ） NDP05N50Z
（注3 ） NDF05N50Z
（注4 ） NDD05N50Z
（注3） NDD05N50Z -1-
符号
R
QJC
价值
1.3
4.4
1.5
50
50
38
80
单位
° C / W
结至环境稳态
R
qJA
3.插入安装
4.表面安装在FR4板采用1 “平方焊盘尺寸， （铜面积= 1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极至源极漏电流
BV
DSS
的dBV
DSS
/
DT
J
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
GP
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 250 V，I
D
= 5 A,
V
GS
= 10 V ，R
G
= 5
W
V
DD
= 250 V，I
D
= 5 A,
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
参考25℃ ，
I
D
= 1毫安
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50
mA
V
DS
= 15 V，I
D
= 2.5 A
3.0
3.5
530
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
68
15
18.5
4
10
6.5
4.5
11
15
24
14
V
W
ns
nC
1.25
25°C
150°C
500
0.6
1
50
±10
1.5
4.5
mA
W
V
S
pF
V
V /°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅 - 源正向漏
基本特征
（注5 ）
静态漏 - 源
导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ “米勒” ）费
高原电压
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
电阻开关特性
源极 - 漏极二极管的特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
5.脉冲宽度
≤
380
女士，
占空比
≤
2%.
V
SD
t
rr
Q
rr
I
S
= 5 A，V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V, V
DD
= 30 V
I
S
= 5 A， di / dt的= 100 A / MS
255
1.25
1.6
V
ns
mC
http://onsemi.com
2
NDF05N50Z ， NDP05N50Z ， NDD05N50Z
典型特征
10.0
9.0
I
D
，漏电流（ A）
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
5.5 V
5.0 V
5
10
15
20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
25
6.0 V
V
GS
= 8 V至10 V
7.0 V
6.5 V
10.0
9.0
I
D
，漏电流（ A）
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
10
T
J
= 150°C
T
J
=
55°C
T
J
= 25°C
V
DS
= 25 V
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
5.0
I
D
= 2.2 A
T
J
= 25°C
2.500
2.250
2.000
1.750
1.500
1.250
1.000
0.0
V
GS
= 10 V
T
J
= 25°C
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5 10
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
图3.对指定地区与栅极 - 源极
电压
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图4.导通电阻与漏
电流和栅极电压
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2.75
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
50
25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
I
D
= 2.2 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（毫安）
10.0
T
J
= 150°C
1.0
0.1
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NDF05N50Z ， NDP05N50Z ， NDD05N50Z
典型特征
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
1100
1000
C，电容（pF ）
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
C
RSS
5
C
国际空间站
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
Q
T
V
DS
V
GS
Q
GS
Q
GD
250
200
150
100
V
DS
= 250 V
I
D
= 5 A
T
J
= 25°C
0
2
4
6
8
10 12 14 16
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
18
50
0
20
C
OSS
10 15 20 25 30 35 40 45
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
50
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极电压和
漏极至源极电压与总充电
100
I
S
，源电流（ A）
1000
V
DD
= 250 V
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
t
D（关闭）
t
r
t
f
t
D（上）
T， TIME （ NS ）
100
10
T
J
= 150°C
1.0
125°C
25°C
55°C
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
1.2
10
1.0
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.1
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
100
V
GS
v
30 V
单脉冲
T
C
= 25°C
100
ms
1毫秒
10毫秒
dc
图10.二极管的正向电压与
当前
10
ms
I
D
，漏电流（ A）
10
1
0.1
0.01
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
100
1000
图11.最大额定正向偏置
安全工作区NDD05N50Z
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
http://onsemi.com
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
1200
15.0
14.0
13.0
12.0
11.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
300
NDF05N50Z ， NDP05N50Z ， NDD05N50Z
典型特征
10
50 ％ （占空比）
R（ T） （ C / W ）
1
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
单脉冲
0.1
R
QJC
= 4.4 ° C / W
稳定状态
1E04
1E03
1E02
1E01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
0.01
1E06
1E05
脉冲时间（ S）
图12.热阻抗（结到外壳）的NDF05N50Z
10
1
50 ％ （占空比）
R（ T） （ C / W ）
20%
10%
0.1
5.0%
2.0%
1.0%
0.01
1E06
单脉冲
1E05
1E04
1E03
1E02
1E01
1E+00
1E+01
R
QJC
= 1.5 ° C / W
稳定状态
1E+02
1E+03
脉冲时间（ S）
图13.热阻抗（结到外壳）的NDD05N50Z
100
R（ T） （ C / W ）
10
50 ％ （占空比）
20%
10%
1
5.0%
2.0%
1.0%
0.1
R
qJA
= 38 ° C / W
稳定状态
1E04
1E03
1E02
1E01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
0.01
1E06
单脉冲
1E05
脉冲时间（ S）
图14.热阻抗（结到环境）的NDD05N50Z
http://onsemi.com
5
NDF05N50Z ， NDD05N50Z
N沟道功率MOSFET
500 V, 1.5
W
特点
低导通电阻
低栅电荷
ESD二极管保护门
100％的雪崩测试
100 ％通过Rg测试
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
V
DSS
500 V
R
DS （ ON）
（最大） 2.2
1.5
W
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
连续漏电流
QJC
连续漏电流
R
QJC
, T
A
= 100°C
漏电流脉冲，V
GS
@ 10 V
功耗
QJC
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量，我
D
=
5.0 A
ESD （ HBM ） （ JESD22 - A114 ）
RMS的隔离电压（ T = 0.3秒，
相对湿度
≤
30%, T
A
= 25℃） （图17）
峰值二极管恢复（注2 ）
连续源电流
（体二极管）
最高温度焊接
LEADS
工作结
存储温度范围
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
V
ESD
V
ISO
dv / dt的
I
S
T
L
T
J
, T
英镑
NDF
500
5.5
（注1 ）
3.5
（注1 ）
20
30
±30
130
3000
4500
4.5
5
260
55
150
4.7
3
19
83
NDD
单位
V
A
A
A
W
V
mJ
V
V
V / ns的
A
°C
°C
1
2
G (1)
N沟道
D (2)
S (3)
1
3
NDF05N50ZG
TO220FP
CASE 221D
4
3
NDF05N50ZH
TO220FP
CASE 221AH
2
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.通过限制最高结温
2. I
S
= 4.4 A， di / dt的
≤
100 A / MS ，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
= +150°C
4
1
1 2
3
NDD05N50Z1G
IPAK
CASE 369D
2
3
NDD05N50ZT4G
DPAK
CASE 369AA
订购和标识信息
查看详细的订购，标记和航运信息
包装尺寸本数据手册第7页部分。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
二月， 2013
启示录6
1
出版订单号：
NDF05N50Z/D
NDF05N50Z ， NDD05N50Z
热阻
参数
结至外壳（漏）
结至环境稳态
NDF05N50Z
NDD05N50Z
（注3 ） NDF05N50Z
（注4 ） NDD05N50Z
（注3） NDD05N50Z -1-
符号
R
QJC
R
qJA
价值
4.2
1.5
50
38
80
单位
° C / W
3.插入安装
4.表面安装在FR4板采用1 “平方焊盘尺寸， （铜面积= 1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极至源极漏电流
BV
DSS
的dBV
DSS
/
DT
J
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
GP
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 250 V，I
D
= 5 A,
V
GS
= 10 V ，R
G
= 5
W
1.5
V
DD
= 250 V，I
D
= 5 A,
V
GS
= 10 V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
参考25℃ ，
I
D
= 1毫安
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50
mA
V
DS
= 15 V，I
D
= 2.5 A
421
50
8
9
2
5
3.0
1.25
3.9
3.5
530
68
15
18.5
4
10
6.5
4.5
11
15
24
14
8
632
80
25
28
6
15
V
W
ns
nC
25°C
150°C
500
0.6
1
50
±10
1.5
4.5
mA
W
V
S
pF
V
V /°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅 - 源正向漏
基本特征
（注5 ）
静态漏 - 源
导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
动态特性
输入电容（注6 ）
输出电容（注6 ）
反向传输电容
（注6 ）
总栅极电荷（注6 ）
栅 - 源电荷（注6 ）
栅极 - 漏极（ “米勒” ）费
（注6 ）
高原电压
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
电阻开关特性
源极 - 漏极二极管的特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
5.脉冲宽度
≤
380
女士，
占空比
≤
2%.
6.通过设计保证。
V
SD
t
rr
Q
rr
I
S
= 5 A，V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V, V
DD
= 30 V
I
S
= 5 A， di / dt的= 100 A / MS
255
1.25
1.6
V
ns
mC
http://onsemi.com
2
NDF05N50Z ， NDD05N50Z
典型特征
10.0
T
J
= 150°C
1200
1100
1000
C，电容（pF ）
I
DSS
，漏电（毫安）
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0.1
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0
0
C
RSS
5
C
国际空间站
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
1.0
C
OSS
10 15 20 25 30 35 40 45
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
50
图7.漏 - 源极漏电流
与电压
15.0
14.0
13.0
12.0
11.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图8.电容变化
Q
T
V
DS
V
GS
Q
GS
Q
GD
250
200
150
100
V
DS
= 250 V
I
D
= 5 A
T
J
= 25°C
0
2
4
6
8
10 12 14 16
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
18
50
0
20
图9.栅极 - 源极电压和
漏极至源极电压与总充电
1000
100
I
S
，源电流（ A）
V
DD
= 250 V
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
t
D（关闭）
t
r
t
f
t
D（上）
T， TIME （ NS ）
100
10
T
J
= 150°C
1.0
125°C
25°C
55°C
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
1.2
10
1.0
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.1
图10.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图11.二极管的正向电压与
当前
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4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
300
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