【NPN硅锗高频三极管NESG2030M04特点SiGe技术：fT= 60 GHz的过程低噪声系数：N】,IC型号NESG2030M04-T2,NESG2030M04-T2 PDF资料,NESG2030M04-T2经销商,ic,电子元器件-51电子网

NPN硅锗高频三极管NESG2030M04

特点

SiGe技术：

f

T

= 60 GHz的过程

低噪声系数：

NF = 0.9 dBm的在2 GHz

最大稳定增益：

味精= 20分贝2 GHz的

新LOW PROFILE M04包装：

SOT- 343的足迹，用的0.59毫米的高度

为更好的RF性能扁平引线型

M04

描述

该NESG2030M04采用NEC的先进设备，最先进的制造

SiGe半导体，晶圆制程。用的典型转变的频率

60GHz的NESG2030M04是从100个应用程序可用

兆赫到10千兆赫。 35毫安的最大直流电流输入

提供了一种设备250的可使用的电流范围

A

25

毫安。该NESG2030M04提供了出色的低电压/低

目前的业绩。

NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M04"封装非常适合

今天的便携式无线应用。该NESG2030M04是

在所有LNA和振荡器要求的理想选择

移动通信系统。

订购信息

产品型号

NESG2030M04

NESG2030M04-T2

QUANTITY

50个（非卷轴）

3千件/卷

电气特性

(T

A

= 25°C)

产品型号

EIAJ

1

注册号码

包装外形

符号

I

CBO

参数和条件

集电极截止电流在V

CB

= 5V ，我

E

= 0

发射极截止电流在V

EB

= 0.5 V，I

C

= 0

直流电流增益

2

在V

CE

= 2 V，I

C

= 5毫安

反向传输电容

3

在V

CB

= 2 V，I

E

= 0 mA时， F = 1 GHz的

噪声系数在V

CE

= 2 V，I

C

= 5毫安， F = 2千兆赫，Z

IN

= Z

选择

在V相关的增益

CE

= 2 V，I

C

= 5毫安， F = 2千兆赫，Z

S

= Z

选择

最大稳定增益

4

在V

CE

= 2 V，I

C

= 20 mA时， F = 2 GHz的

插入功率增益在V

CE

= 2 V，I

C

= 20 mA时， F = 2 GHz的

在1 dB压缩点的输出功率

V

CE

= 2 V，I

C

= 20 mA时， F = 2 GHz的

三阶截点，V

CE

= 2 V，I

C

= 20 mA时， F = 2 GHz的

pF

dB

GHz的

dB

DBM

18

16

单位

nA

200

0.17

0.9

16

20

18

12

22

民

NESG2030M04

2SC5761

M04

典型值

最大

200

400

0.22

1.1

DC

I

EBO

h

FE

C

re

NF

G

a

味精

RF

|S

21E

|

2

P

1dB

OIP

3

注意事项：

1.日本电子工业协会。

2.脉冲测量，脉冲宽度

≤

350

s,

占空比

≤

2 %.

3.集电极基极电容用电容表（自动平衡电桥法）时，发射器引脚连接到测量

后卫脚。

4.味精= S

21

S

12

美国加州东部实验室

NESG2030M04

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T2

T

J

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

单位

V

mA

mW

°C

评级

8.0

2.3

1.2

35

80

150

-65到+150

热阻

符号

R

第j个-C

参数

结到外壳热阻

单位

° C / W

评级

150

注意：

1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致

在永久性损坏。

2.安装在1.08厘米

2

1.0毫米（t）的玻璃环氧基板

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

40

35

190

a

160

a

130

a

100

a

70

a

40

a

I

B

= 10

a

10

0.1

1

10

100

1000

V

CE

= 2 V

直流电流增益主场迎战

集电极电流

集电极电流IC （MA ）

30

25

20

15

10

5

0

1

2

直流电流增益， hFE参数

3

100

集电极到发射极电压，V

CE

(V)

集电极电流，L

C

（MA ）

增益带宽与

集电极电流

40

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

插入功率增益

与频率的关系

30

V

CE

= 2 V

I

C

= 20毫安

25

30

25

20

15

10

5

0

10

100

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

35

增益Bandwdth ，女

T

（千兆赫）

20

15

10

5

0

0.1

1

10

集电极电流，I

C

（MA ）

频率f （ GHz）的

NESG2030M04

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

最大稳定增益，

插入功率增益

与集电极电流

30

V

CE

= 2 V

F = 1 GHz的

25

味精

|S

21e

|

2

最大稳定增益，

插入功率增益

与集电极电流

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

25

味精

20

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益， IS

21e

I

2

20

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益， IS

21e

I

2

15

|S

21e

|

2

10

5

0

1

10

100

0

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

最大可用增益，

插入功率增益

与集电极电流

30

25

输出功率，集电极

电流随输入功率

V

CE

= 2 V ， F = GHz的

I

cq

= 5 MA（ RF OFF）

80

70

60

P

OUT

50

40

30

20

I

C

-10

10

0

-15

-10

-5

0

5

插入功率增益， IS

21e

I

2

最大可用增益， MAG （分贝）

V

CE

= 2 V

F = 5 GHz的

20

输出功率P

OUT

（ dBm的）

15

10

5

0

-5

20

15

MAG

10

|S

21e

|

2

5

0

1

10

100

-15

-20

集电极电流，I

C

（MA ）

输入功率， P

in

(V)

三阶互调失真， IM3 （ DBC）

三阶互调

失真

与输出功率

70

60

V

CE

= 2 V

I

cq

= 5毫安

F = 2 GHz的

偏移= 1兆赫

5

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

25

V

CE

= 2 V

F = 1.5 GHz的

G

a

20

50

40

30

噪声系数NF （ dB）的

4

3

15

2

10

20

10

1

NF

5

0

-5

0

5

10

15

20

0

1

10

0

100

输出功率（每个音调），磷

OUT

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

相关的增益，G

A

（ dB）的

集电极电流，I

C

（MA ）

25

NESG2030M04

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

5

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

25

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

5

V

CE

= 2 V

F = 2.5 GHz的

25

相关的增益，G

A

（ dB）的

20

G

a

G

a

3

15

3

15

2

10

2

10

1

NF

5

1

NF

5

0

1

10

0

100

0

1

10

0

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，L

C

（MA ）

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

5

V

CE

= 2 V

F = 3 GHz的

25

5

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

25

V

CE

= 2 V

F = 4 GHz的

相关的增益，G

A

（ dB）的

20

3

G

a

15

3

G

a

15

2

10

2

10

1

NF

5

1

NF

5

0

1

10

0

100

0

1

10

0

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，L

C

（MA ）

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

5

V

CE

= 2 V

F = 5 GHz的

20

25

3

G

a

2

15

10

1

NF

5

0

1

10

0

100

集电极电流，I

C

（MA ）

相关的增益，G

A

（ dB）的

4

噪声系数NF （ dB）的

相关的增益，G

A

（ dB）的

4

20

噪声系数NF （ dB）的

相关的增益，G

A

（ dB）的

4

20

噪声系数NF （ dB）的

NESG2030M04

典型的噪声参数

(T

A

= 25°C)

频率。

（千兆赫）

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.7

1.9

2.0

2.2

2.4

2.5

2.7

3.0

3.5

4.0

4.5

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.7

1.9

2.0

2.2

2.4

2.5

2.7

3.0

3.5

4.0

4.5

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.7

1.9

NF

民

（ dB）的

0.77

0.78

0.79

0.80

0.81

0.82

0.84

0.85

0.87

0.89

0.91

0.93

0.98

1.06

1.15

1.26

0.95

0.96

0.97

0.98

0.99

1.00

1.01

1.03

1.06

1.12

1.19

1.27

1.26

1.25

1.26

G

A

（ dB）的

22.62

21.79

21.03

20.33

19.69

19.10

18.56

18.05

17.13

16.31

15.94

15.26

14.64

14.36

13.83

13.12

12.12

11.31

10.63

24.28

23.43

22.65

21.93

21.27

20.65

20.08

19.54

18.56

17.70

17.30

16.56

15.89

15.58

15.00

14.23

13.13

12.23

11.48

25.33

24.45

23.65

22.91

22.23

21.60

21.01

20.46

19.46

18.57

Γ

选择

MAG

0.440

0.433

0.426

0.418

0.410

0.402

0.394

0.386

0.372

0.359

0.354

0.345

0.340

0.338

0.342

0.354

0.325

0.264

0.261

0.257

0.253

0.249

0.244

0.239

0.234

0.226

0.219

0.216

0.213

0.214

0.219

0.229

0.249

0.258

0.243

0.082

0.081

0.079

0.076

0.074

0.071

0.068

0.065

0.061

0.062

昂

22.0

25.3

28.6

32.0

35.5

39.0

42.6

46.3

54.0

62.1

66.3

74.9

83.6

87.9

96.4

108.6

126.4

141.4

155.7

18.6

21.8

25.1

28.5

32.0

35.6

39.3

43.2

51.5

60.4

65.0

74.6

84.2

88.9

98.1

108.6

110.7

142.4

156.3

14.2

17.4

20.9

24.9

29.4

34.5

40.4

47.1

63.0

81.1

Rn/50

0.21

0.20

0.19

0.18

0.17

0.16

0.15

0.14

0.13

0.12

0.11

0.09

0.08

0.18

0.17

0.16

0.15

0.14

0.13

0.12

0.11

0.10

0.17

0.16

0.15

引脚连接

1.发射器

2.收集

3.辐射源

4.基地

0.59–0.05

0.11 +0.1

-0.05

1

+0.1

0.30-0.05

（ LEADS 1，3， 4）

2.0 –0.1

1.25

0.65

0.60

+0.1

0.40-0.06

2

1.25–0.1

3

2.05–0.1

典型的噪声参数

（续“ ）

频率。

（千兆赫）

2.0

2.2

2.4

2.5

2.7

3.0

3.5

4.0

4.5

NF

民

（ dB）的

1.26

1.27

1.28

1.30

1.32

1.36

1.42

1.48

G

A

（ dB）的

18.16

17.40

16.71

16.39

15.79

14.97

13.81

12.84

12.02

Γ

选择

MAG

0.064

0.072

0.083

0.090

0.105

0.128

0.159

0.175

0.169

昂

90.1

106.5

119.5

124.8

133.5

143.2

154.7

164.5

176.7

Rn/50

0.15

0.14

0.13

0.12

V

CE

= 2 V，I

C

= 5毫安

V

CE

= 2 V，I

C

= 20毫安

外形尺寸

（以毫米单位）

包装外形M04

扁平引脚4引脚超薄型超级MINIMOLD

V

CE

= 2 V，I

C

= 10毫安

T16

4

0.65

1.30

0.65

V

CE

= 2 V，I

C

= 20毫安

NPN硅锗RF晶体管

NESG2030M04

NPN硅锗高频三极管

特点

SiGe技术：

f

T

= 60 GHz的过程

低噪声系数：

NF = 0.9 dBm的在2 GHz

最大稳定增益：

味精= 20分贝2 GHz的

新LOW PROFILE M04包装：

SOT- 343的足迹，用的0.59毫米的高度

为更好的RF性能扁平引线型

M04

描述

NEC的NESG2030M04采用国家最先进的NEC的硅锗晶片工艺制造。用的典型转变的频率

60GHz的NESG2030M04是在应用程序从100MHz到超过10千兆赫可用。的35毫安提供最大直流电流输入

用250的可使用的电流范围内的设备

μA

到25毫安。该NESG2030M04提供了出色的低电压/低电流性能。

NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M04"封装非常适合当今的便携式无线应用。该NESG2030M04是一种理想的

选择在所有的移动通信系统中低噪声放大器和振荡器的需求。

电气特性

(T

A

= 25°C)

产品型号

EIAJ

1

注册号码

包装外形

符号

I

CBO

参数和条件

集电极截止电流在V

CB

= 5V ，我

E

= 0

发射极截止电流在V

EB

= 0.5 V，I

C

= 0

直流电流增益

2

在V

CE

= 2 V，I

C

= 5毫安

反向传输电容

3

在V

CB

= 2 V，I

E

= 0 mA时， F = 1 GHz的

噪声系数在V

CE

= 2 V，I

C

= 5毫安， F = 2千兆赫，Z

IN

= Z

选择

在V相关的增益

CE

= 2 V，I

C

= 5毫安， F = 2千兆赫，Z

S

= Z

选择

最大稳定增益

4

在V

CE

= 2 V，I

C

= 20 mA时， F = 2 GHz的

插入功率增益在V

CE

= 2 V，I

C

= 20 mA时， F = 2 GHz的

在1 dB压缩点的输出功率

V

CE

= 2 V，I

C

= 20 mA时， F = 2 GHz的

三阶截点，V

CE

= 2 V，I

C

= 20 mA时， F = 2 GHz的

pF

dB

GHz的

dB

DBM

18

16

单位

nA

200

0.17

0.9

16

20

18

12

22

民

NESG2030M04

2SC5761

M04

典型值

最大

200

400

0.22

1.1

DC

I

EBO

h

FE

C

re

NF

G

a

味精

RF

|S

21E

|

2

P

1dB

OIP

3

注意事项：

1.日本电子工业协会。

2.脉冲测量，脉冲宽度

≤

350

μs,

占空比

≤

2 %.

3.集电极基极电容用电容表（自动平衡电桥法）时，发射器引脚连接到测量

后卫脚。

4.味精= S

21

S

12

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认

这是最新版本。

发表日期： 2005年6月22日

NESG2030M04

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T2

T

J

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

单位

V

mA

mW

°C

评级

8.0

2.3

1.2

35

80

150

-65到+150

热阻

符号

R

第j个-C

参数

结到外壳热阻

单位

° C / W

评级

150

订购信息

（焊锡含铅）

产品型号

NESG2030M04

NESG2030M04-T2

QUANTITY

50个（非卷轴）

3千件/卷

注意：

1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致

在永久性损坏。

2.安装在1.08厘米

2

1.0毫米（t）的玻璃环氧基板

订购信息（无铅）

产品型号

NESG2030M04-A

NESG2030M04-T2-A

QUANTITY

50个（非卷轴）

3千件/卷

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

直流电流增益主场迎战

集电极电流

1000

V

CE

= 2 V

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

40

35

190

μa

160

μa

130

μa

100

μa

70

μa

40

μa

I

B

= 10

μa

10

0.1

集电极电流IC （MA ）

30

25

20

15

10

5

0

1

2

直流电流增益， hFE参数

100

3

1

10

100

集电极到发射极电压，V

CE

(V)

集电极电流，L

C

（MA ）

增益带宽与

集电极电流

40

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

插入功率增益

与频率的关系

30

V

CE

= 2 V

I

C

= 20毫安

25

30

25

20

15

10

5

0

10

100

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

35

增益Bandwdth ，女

T

（千兆赫）

20

15

10

5

0

0.1

1

10

集电极电流，I

C

（MA ）

频率f （ GHz）的

NESG2030M04

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

最大稳定增益，

插入功率增益

与集电极电流

30

V

CE

= 2 V

F = 1 GHz的

25

味精

|S

21e

|

2

最大稳定增益，

插入功率增益

与集电极电流

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

25

味精

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益， IS

21e

I

2

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益， IS

21e

I

2

20

15

|S

21e

|

2

10

5

0

1

10

100

0

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

最大可用增益，

插入功率增益

与集电极电流

30

25

输出功率，集电极

电流随输入功率

V

CE

= 2 V ， F = GHz的

I

cq

= 5 MA（ RF OFF）

80

70

60

P

OUT

50

40

30

20

I

C

-10

10

0

-15

-10

-5

0

5

插入功率增益， IS

21e

I

2

最大可用增益， MAG （分贝）

V

CE

= 2 V

F = 5 GHz的

20

输出功率P

OUT

（ dBm的）

15

10

5

0

-5

20

15

MAG

10

|S

21e

|

2

5

0

1

10

100

-15

-20

集电极电流，I

C

（MA ）

三阶互调

失真

与输出功率

70

60

V

CE

= 2 V

I

cq

= 5毫安

F = 2 GHz的

偏移= 1兆赫

5

V

CE

= 2 V

F = 1.5 GHz的

输入功率， P

in

(V)

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

25

G

a

20

三阶互调失真， IM3 （ DBC）

50

40

30

噪声系数NF （ dB）的

4

3

15

2

10

20

10

1

NF

5

0

-5

0

5

10

15

20

0

1

10

0

100

输出功率（每个音调），磷

OUT

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

相关的增益，G

A

（ dB）的

集电极电流，I

C

（MA ）

25

NESG2030M04

典型性能曲线

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

5

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

25

(T

A

= 25°C)

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

5

V

CE

= 2 V

F = 2.5 GHz的

25

相关的增益，G

A

（ dB）的

G

a

G

a

3

15

3

15

2

10

2

10

1

NF

5

1

NF

5

0

1

10

0

100

0

1

10

0

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，L

C

（MA ）

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

5

V

CE

= 2 V

F = 3 GHz的

20

25

5

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

25

V

CE

= 2 V

F = 4 GHz的

相关的增益，G

A

（ dB）的

3

G

a

15

3

G

a

15

2

10

2

10

1

NF

5

1

NF

5

0

1

10

0

100

0

1

10

0

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，L

C

（MA ）

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

5

V

CE

= 2 V

F = 5 GHz的

25

3

G

a

2

15

10

1

NF

5

0

1

10

0

100

集电极电流，I

C

（MA ）

相关的增益，G

A

（ dB）的

4

20

噪声系数NF （ dB）的

相关的增益，G

A

（ dB）的

4

20

噪声系数NF （ dB）的

相关的增益，G

A

（ dB）的

4

20

4

20

噪声系数NF （ dB）的

NESG2030M04

典型的噪声参数

(T

A

= 25°C)

频率。

（千兆赫）

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.7

1.9

2.0

2.2

2.4

2.5

2.7

3.0

3.5

4.0

4.5

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.7

1.9

2.0

2.2

2.4

2.5

2.7

3.0

3.5

4.0

4.5

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.7

1.9

NF

民

（ dB）的

0.77

0.78

0.79

0.80

0.81

0.82

0.84

0.85

0.87

0.89

0.91

0.93

0.98

1.06

1.15

1.26

0.95

0.96

0.97

0.98

0.99

1.00

1.01

1.03

1.06

1.12

1.19

1.27

1.26

1.25

1.26

G

A

（ dB）的

22.62

21.79

21.03

20.33

19.69

19.10

18.56

18.05

17.13

16.31

15.94

15.26

14.64

14.36

13.83

13.12

12.12

11.31

10.63

24.28

23.43

22.65

21.93

21.27

20.65

20.08

19.54

18.56

17.70

17.30

16.56

15.89

15.58

15.00

14.23

13.13

12.23

11.48

25.33

24.45

23.65

22.91

22.23

21.60

21.01

20.46

19.46

18.57

Γ

选择

MAG

0.440

0.433

0.426

0.418

0.410

0.402

0.394

0.386

0.372

0.359

0.354

0.345

0.340

0.338

0.342

0.354

0.325

0.264

0.261

0.257

0.253

0.249

0.244

0.239

0.234

0.226

0.219

0.216

0.213

0.214

0.219

0.229

0.249

0.258

0.243

0.082

0.081

0.079

0.076

0.074

0.071

0.068

0.065

0.061

0.062

昂

22.0

25.3

28.6

32.0

35.5

39.0

42.6

46.3

54.0

62.1

66.3

74.9

83.6

87.9

96.4

108.6

126.4

141.4

155.7

18.6

21.8

25.1

28.5

32.0

35.6

39.3

43.2

51.5

60.4

65.0

74.6

84.2

88.9

98.1

108.6

110.7

142.4

156.3

14.2

17.4

20.9

24.9

29.4

34.5

40.4

47.1

63.0

81.1

Rn/50

0.21

0.20

0.19

0.18

0.17

0.16

0.15

0.14

0.13

0.12

0.11

0.09

0.08

0.18

0.17

0.16

0.15

0.14

0.13

0.12

0.11

0.10

0.17

0.16

0.15

引脚连接

1.发射器

2.收集

3.辐射源

4.基地

0.59–0.05

0.11 +0.1

-0.05

1

+0.1

0.30-0.05

（ LEADS 1，3， 4）

2.0 –0.1

1.25

0.65

0.60

+0.1

0.40-0.06

2

1.25–0.1

3

2.05–0.1

典型的噪声参数

（续“ ）

频率。

（千兆赫）

2.0

2.2

2.4

2.5

2.7

3.0

3.5

4.0

4.5

NF

民

（ dB）的

1.26

1.27

1.28

1.30

1.32

1.36

1.42

1.48

G

A

（ dB）的

18.16

17.40

16.71

16.39

15.79

14.97

13.81

12.84

12.02

Γ

选择

MAG

0.064

0.072

0.083

0.090

0.105

0.128

0.159

0.175

0.169

昂

90.1

106.5

119.5

124.8

133.5

143.2

154.7

164.5

176.7

Rn/50

0.15

0.14

0.13

0.12

V

CE

= 2 V，I

C

= 5毫安

V

CE

= 2 V，I

C

= 20毫安

外形尺寸

（以毫米单位）

包装外形M04

扁平引脚4引脚超薄型超级MINIMOLD

V

CE

= 2 V，I

C

= 10毫安

T16

4

0.65

1.30

0.65

V

CE

= 2 V，I

C

= 20毫安

NPN硅锗高频三极管NESG2030M04

特点

SiGe技术：

f

T

= 60 GHz的过程

低噪声系数：

NF = 0.9 dBm的在2 GHz

最大稳定增益：

味精= 20分贝2 GHz的

新LOW PROFILE M04包装：

SOT- 343的足迹，用的0.59毫米的高度

为更好的RF性能扁平引线型

M04

描述

该NESG2030M04采用NEC的先进设备，最先进的制造

SiGe半导体，晶圆制程。用的典型转变的频率

60GHz的NESG2030M04是从100个应用程序可用

兆赫到10千兆赫。 35毫安的最大直流电流输入

提供了一种设备250的可使用的电流范围

A

25

毫安。该NESG2030M04提供了出色的低电压/低

目前的业绩。

NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M04"封装非常适合

今天的便携式无线应用。该NESG2030M04是

在所有LNA和振荡器要求的理想选择

移动通信系统。

订购信息

产品型号

NESG2030M04

NESG2030M04-T2

QUANTITY

50个（非卷轴）

3千件/卷

电气特性

(T

A

= 25°C)

产品型号

EIAJ

1

注册号码

包装外形

符号

I

CBO

参数和条件

集电极截止电流在V

CB

= 5V ，我

E

= 0

发射极截止电流在V

EB

= 0.5 V，I

C

= 0

直流电流增益

2

在V

CE

= 2 V，I

C

= 5毫安

反向传输电容

3

在V

CB

= 2 V，I

E

= 0 mA时， F = 1 GHz的

噪声系数在V

CE

= 2 V，I

C

= 5毫安， F = 2千兆赫，Z

IN

= Z

选择

在V相关的增益

CE

= 2 V，I

C

= 5毫安， F = 2千兆赫，Z

S

= Z

选择

最大稳定增益

4

在V

CE

= 2 V，I

C

= 20 mA时， F = 2 GHz的

插入功率增益在V

CE

= 2 V，I

C

= 20 mA时， F = 2 GHz的

在1 dB压缩点的输出功率

V

CE

= 2 V，I

C

= 20 mA时， F = 2 GHz的

三阶截点，V

CE

= 2 V，I

C

= 20 mA时， F = 2 GHz的

pF

dB

GHz的

dB

DBM

18

16

单位

nA

200

0.17

0.9

16

20

18

12

22

民

NESG2030M04

2SC5761

M04

典型值

最大

200

400

0.22

1.1

DC

I

EBO

h

FE

C

re

NF

G

a

味精

RF

|S

21E

|

2

P

1dB

OIP

3

注意事项：

1.日本电子工业协会。

2.脉冲测量，脉冲宽度

≤

350

s,

占空比

≤

2 %.

3.集电极基极电容用电容表（自动平衡电桥法）时，发射器引脚连接到测量

后卫脚。

4.味精= S

21

S

12

美国加州东部实验室

NESG2030M04

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T2

T

J

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

单位

V

mA

mW

°C

评级

8.0

2.3

1.2

35

80

150

-65到+150

热阻

符号

R

第j个-C

参数

结到外壳热阻

单位

° C / W

评级

150

注意：

1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致

在永久性损坏。

2.安装在1.08厘米

2

1.0毫米（t）的玻璃环氧基板

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

40

35

190

a

160

a

130

a

100

a

70

a

40

a

I

B

= 10

a

10

0.1

1

10

100

1000

V

CE

= 2 V

直流电流增益主场迎战

集电极电流

集电极电流IC （MA ）

30

25

20

15

10

5

0

1

2

直流电流增益， hFE参数

3

100

集电极到发射极电压，V

CE

(V)

集电极电流，L

C

（MA ）

增益带宽与

集电极电流

40

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

插入功率增益

与频率的关系

30

V

CE

= 2 V

I

C

= 20毫安

25

30

25

20

15

10

5

0

10

100

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

35

增益Bandwdth ，女

T

（千兆赫）

20

15

10

5

0

0.1

1

10

集电极电流，I

C

（MA ）

频率f （ GHz）的

NESG2030M04

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

最大稳定增益，

插入功率增益

与集电极电流

30

V

CE

= 2 V

F = 1 GHz的

25

味精

|S

21e

|

2

最大稳定增益，

插入功率增益

与集电极电流

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

25

味精

20

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益， IS

21e

I

2

20

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益， IS

21e

I

2

15

|S

21e

|

2

10

5

0

1

10

100

0

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

最大可用增益，

插入功率增益

与集电极电流

30

25

输出功率，集电极

电流随输入功率

V

CE

= 2 V ， F = GHz的

I

cq

= 5 MA（ RF OFF）

80

70

60

P

OUT

50

40

30

20

I

C

-10

10

0

-15

-10

-5

0

5

插入功率增益， IS

21e

I

2

最大可用增益， MAG （分贝）

V

CE

= 2 V

F = 5 GHz的

20

输出功率P

OUT

（ dBm的）

15

10

5

0

-5

20

15

MAG

10

|S

21e

|

2

5

0

1

10

100

-15

-20

集电极电流，I

C

（MA ）

输入功率， P

in

(V)

三阶互调失真， IM3 （ DBC）

三阶互调

失真

与输出功率

70

60

V

CE

= 2 V

I

cq

= 5毫安

F = 2 GHz的

偏移= 1兆赫

5

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

25

V

CE

= 2 V

F = 1.5 GHz的

G

a

20

50

40

30

噪声系数NF （ dB）的

4

3

15

2

10

20

10

1

NF

5

0

-5

0

5

10

15

20

0

1

10

0

100

输出功率（每个音调），磷

OUT

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

相关的增益，G

A

（ dB）的

集电极电流，I

C

（MA ）

25

NESG2030M04

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

5

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

25

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

5

V

CE

= 2 V

F = 2.5 GHz的

25

相关的增益，G

A

（ dB）的

20

G

a

G

a

3

15

3

15

2

10

2

10

1

NF

5

1

NF

5

0

1

10

0

100

0

1

10

0

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，L

C

（MA ）

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

5

V

CE

= 2 V

F = 3 GHz的

25

5

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

25

V

CE

= 2 V

F = 4 GHz的

相关的增益，G

A

（ dB）的

20

3

G

a

15

3

G

a

15

2

10

2

10

1

NF

5

1

NF

5

0

1

10

0

100

0

1

10

0

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，L

C

（MA ）

噪声系数和相关的

增益与集电极电流

5

V

CE

= 2 V

F = 5 GHz的

20

25

3

G

a

2

15

10

1

NF

5

0

1

10

0

100

集电极电流，I

C

（MA ）

相关的增益，G

A

（ dB）的

4

噪声系数NF （ dB）的

相关的增益，G

A

（ dB）的

4

20

噪声系数NF （ dB）的

相关的增益，G

A

（ dB）的

4

20

噪声系数NF （ dB）的

NESG2030M04

典型的噪声参数

(T

A

= 25°C)

频率。

（千兆赫）

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.7

1.9

2.0

2.2

2.4

2.5

2.7

3.0

3.5

4.0

4.5

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.7

1.9

2.0

2.2

2.4

2.5

2.7

3.0

3.5

4.0

4.5

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.7

1.9

NF

民

（ dB）的

0.77

0.78

0.79

0.80

0.81

0.82

0.84

0.85

0.87

0.89

0.91

0.93

0.98

1.06

1.15

1.26

0.95

0.96

0.97

0.98

0.99

1.00

1.01

1.03

1.06

1.12

1.19

1.27

1.26

1.25

1.26

G

A

（ dB）的

22.62

21.79

21.03

20.33

19.69

19.10

18.56

18.05

17.13

16.31

15.94

15.26

14.64

14.36

13.83

13.12

12.12

11.31

10.63

24.28

23.43

22.65

21.93

21.27

20.65

20.08

19.54

18.56

17.70

17.30

16.56

15.89

15.58

15.00

14.23

13.13

12.23

11.48

25.33

24.45

23.65

22.91

22.23

21.60

21.01

20.46

19.46

18.57

Γ

选择

MAG

0.440

0.433

0.426

0.418

0.410

0.402

0.394

0.386

0.372

0.359

0.354

0.345

0.340

0.338

0.342

0.354

0.325

0.264

0.261

0.257

0.253

0.249

0.244

0.239

0.234

0.226

0.219

0.216

0.213

0.214

0.219

0.229

0.249

0.258

0.243

0.082

0.081

0.079

0.076

0.074

0.071

0.068

0.065

0.061

0.062

昂

22.0

25.3

28.6

32.0

35.5

39.0

42.6

46.3

54.0

62.1

66.3

74.9

83.6

87.9

96.4

108.6

126.4

141.4

155.7

18.6

21.8

25.1

28.5

32.0

35.6

39.3

43.2

51.5

60.4

65.0

74.6

84.2

88.9

98.1

108.6

110.7

142.4

156.3

14.2

17.4

20.9

24.9

29.4

34.5

40.4

47.1

63.0

81.1

Rn/50

0.21

0.20

0.19

0.18

0.17

0.16

0.15

0.14

0.13

0.12

0.11

0.09

0.08

0.18

0.17

0.16

0.15

0.14

0.13

0.12

0.11

0.10

0.17

0.16

0.15

引脚连接

1.发射器

2.收集

3.辐射源

4.基地

0.59–0.05

0.11 +0.1

-0.05

1

+0.1

0.30-0.05

（ LEADS 1，3， 4）

2.0 –0.1

1.25

0.65

0.60

+0.1

0.40-0.06

2

1.25–0.1

3

2.05–0.1

典型的噪声参数

（续“ ）

频率。

（千兆赫）

2.0

2.2

2.4

2.5

2.7

3.0

3.5

4.0

4.5

NF

民

（ dB）的

1.26

1.27

1.28

1.30

1.32

1.36

1.42

1.48

G

A

（ dB）的

18.16

17.40

16.71

16.39

15.79

14.97

13.81

12.84

12.02

Γ

选择

MAG

0.064

0.072

0.083

0.090

0.105

0.128

0.159

0.175

0.169

昂

90.1

106.5

119.5

124.8

133.5

143.2

154.7

164.5

176.7

Rn/50

0.15

0.14

0.13

0.12

V

CE

= 2 V，I

C

= 5毫安

V

CE

= 2 V，I

C

= 20毫安

外形尺寸

（以毫米单位）

包装外形M04

扁平引脚4引脚超薄型超级MINIMOLD

V

CE

= 2 V，I

C

= 10毫安

T16

4

0.65

1.30

0.65

V

CE

= 2 V，I

C

= 20毫安