NTLJD4150P
功率MOSFET
-30 V， -3.4 A，
mCoolt
双P沟道，
2×2 mm的WDFN封装
特点
WDFN的2x2毫米封装提供的暴露排水垫
优良的热传导
足迹同SC- 88封装
薄型（ < 0.8mm）的，便于适合于薄的环境
双向电流与公共资源配置
这是一个Pb - Free设备
V
（ BR ） DSS
30 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
135毫瓦@ 10 V
200毫瓦@ 4.5 V
S1
S2
I
D
最大
（注1 ）
3.4 A
应用
锂离子电池的充电和保护电路
LED背光，手电筒
双高侧负载开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
连续漏电流
（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
2.3
1.8
1.4
0.7
14
-55
150
1.8
260
W
A
°C
A
°C
A
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
2.7
2.0
3.4
1.5
W
单位
V
V
A
G1
G2
D1
P沟道MOSFET
D2
D2
P沟道MOSFET
D1
记号
图
1
2
3
JE M
G
6
5
G
4
销1
JE
M
G
WDFN6
CASE 506AN
=具体设备守则
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚连接
D1
S1
G1
D2
1
2
D2
3
4
S2
6
5
D1
G2
工作结温和存储温度
源电流（体二极管） （注2 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
（ TOP VIEW ）
订购信息
设备
NTLJD4150PTBG
包
WDFN6
（无铅）
航运
3000 /磁带&
REEL
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年1月 - 修订版0
出版订单号：
NTLJD4150P/D
NTLJD4150P
热电阻额定值
参数
单人操作（自加热）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
双操作（受热均匀）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态敏垫（注3 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
R
qJA
R
qJA
R
qJA
58
133
40
° C / W
R
qJA
R
qJA
R
qJA
83
177
54
° C / W
符号
最大
单位
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4电路板（ 30毫米
2
， 2盎司铜） 。
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
毫安，
裁判25℃
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
30.0
1.9
1.0
5.0
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
栅极阈值
温度COEF网络cient
漏极 - 源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
1.5
0.4
2.0
V
毫伏/°C的
V
GS
= -10 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 3.0 A
95
156
1.5
135
200
mW
mW
S
正向跨导
g
FS
V
DS
= -10 V，I
D
= 1.0 A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 24 V,
I
D
= -3.0 A，R
G
= 2
W
7.0
16.2
11.8
8.8
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
R
G
V
GS
=4.5 V, V
DS
= -15 V，I
D
= 2.0 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 15 V
300
50
30
3.6
0.44
0.79
1.54
10.6
W
4.5
nC
pF
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
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2
NTLJD4150P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
10
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
10V
9
8 7V
7
6
5
4
3
2
1
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
2.6 V
3.4 V
3.0 V
6 V
4.8 V
T
J
= 25°C
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
4.6 V
4.2 V
3.8 V
8
V
DS
≥
10 V
7
6
5
4
3
T
J
= 125°C
2
1
0
1
2
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
3
4
5
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
1.0
2.0
3.0
T
J
= 125°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
4.0
V
GS
= 10 V
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
T
J
= 25°C
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与漏电流
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
1000
V
GS
= 0 V
I
DSS
，漏电（ NA）
100
T
J
= 125°C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.6
I = -3.0
1.5
D
V
GS
= 10 V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
= 100°C
10
1
T
J
= 85°C
0.1
0
5
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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4
NTLJD4150P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
国际空间站
-VGS ，栅极至源极电压（伏）
500
6
5
4
Q
GS
3
8
2
1
0
4
0
0 0.2 0.40.60.8 1 1.21.41.61.8 2 2.2 2.4 2.62.8 3 3.23.43.6
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
I
D
= 3.0 A
T
J
= 25°C
Q
GD
V
GS
V
DS
QT
20
-VDS ，漏极至源极电压（伏）
C，电容（pF ）
400
16
300
12
200
C
OSS
100
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
漏 - 源电压（伏）
30
图7.电容变化
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
100
I
s
，源电流（安培）
V
DD
= 24 V
I
D
= 3.0 A
V
GS
= 4.5 V
T， TIME （ NS ）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
4
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
3
10
2
1
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
10
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
10
ms
100
ms
1
*见注2页1
T
C
= 25°C
T
J
= 150°C
单脉冲
dc
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
1毫秒
10毫秒
0.1
0.01
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
