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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第235页 > NE76084
数据表
的GaAs MES FET
NE76084
C到Ku波段低噪声放大器
N沟道的GaAs MES FET
特点
低噪声系数和放大器;高增益相关
NF = 1.6 dB典型值。 ，嘎= 9.0分贝TYP 。在f = 12 GHz的
门长度：L
g
= 0.3
m
闸门宽度：W
g
= 280
m
L
1.78 ± 0.2
1
L
0.5 TYP 。
包装尺寸
（单位：毫米）
订购信息
产品型号
NE76084-SL
NE76084-T1
供热
形式
STICK
磁带&卷轴
1000件/卷
磁带&卷轴
5000件/卷
1.78 ± 0.2
导线长度
L = 1.7毫米MIN 。
L = 1.0
±
0.2 mm
L = 1.0
±
0.2 mm
记号
E
E
2
L
3
4
L
NE76084-T1A
0.5 TYP 。
绝对最大额定值（T
A
= 25
°
C)
漏源极电压
栅极至源极电压
栅漏电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
V
DS
V
GS
V
GD
I
D
P
合计
T
ch
T
英镑
5.0
–3.0
–5.0
I
DSS
240
175
-65到+175
V
V
mA
mW
°C
°C
1.源
2.漏
3.源
4.门
电气特性（T
A
= 25
°
C)
产品型号
封装代码
特征
门源漏电流
饱和漏极电流
门源截止电压
跨
噪声系数
相关的增益
符号
I
GSO
I
DSS
V
GS （ OFF ）
g
m
NF
Ga
8.0
15
–0.5
30
30
–0.8
40
1.6
9.0
分钟。
NE76084
84
典型值。
马克斯。
10
50
–3.0
70
1.8
8.0
15
–0.5
30
30
–0.8
40
1.8
9.0
分钟。
NE76084-2.4
84
典型值。
马克斯。
10
50
–3.0
70
2.4
单位
测试条件
A
mA
V
mS
dB
dB
V
GS
= –4 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
DS
= 100
A
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
F = 12 GHz的
一号文件P11843EJ2V0DS00 （第2版）
（上一页第TC- 2259 ）
发布日期1996年P月
日本印刷
0.1
V
1.7 MAX 。
1989
NE76084
典型特征（T
A
= 25
°
C)
总功耗对比
环境温度
300
50
漏电流与
漏源极电压
P
合计
- 总功率耗散mW的
40
200
V
GS
= 0 V
I
D
- 漏电流毫安
30
–0.2 V
20
–0.4 V
10
–0.6 V
100
0
50
100
150
T
A
- 环境温度 - ℃，
200
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压-V
5
漏电流与
栅极至源极电压
50
24
V
DS
= 3 V
40
典型增益与频率
V
DS
= 3 V
I
D
= 10毫安
20
味精。
16
MAG 。
S
21s
8
2
30
MAG. ，最大可用增益分贝
MSG. ，最大稳定增益分贝
S
21s
2
-forward插入增益分贝
I
D
- 漏电流毫安
20
12
10
0
0
–2.0
–1.0
V
GS
-Gate至源极电压-V
0
1
2
4
6
8 10
20
F-频率GHz的
增益计算
味精。 =
|S
21
|
|S
12
|
|S
21
|
|S
12
|
(K
±
K
2
– 1)
K=
1 + |
|
2
– |S
11
|
2
– |S
22
|
2
2 |S
12
| |S
21
|
MAG 。 =
= S
11
·S
22
– S
21
·S
12
2
NE76084
噪声系数，相关的增益与
频率
24
V
DS
= 3 V
I
D
= 10毫安
20
G
a
- 相关增益分贝
噪声系数，相关的增益与
漏电流
2.5
V
DS
= 3 V
F = 12 GHz的
G
a
- 相关增益分贝
15
NF-噪声系数分贝
3.0
Ga
16
NF-噪声系数分贝
2.0
Ga
10
2.0
12
NF
1.5
5
1.0
NF
0
1
2
4
6
8 10
14
F-频率GHz的
8
4
20 30
0
5
10
15
20
25
I
D
- 漏电流毫安
3
NE76084
S-参数
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
START 500兆赫，停止18 GHz时， STEP 500兆赫
S
11
S
12
标志
1：500兆赫
2： 4GHz的
3：8千兆赫
4 ： 12 GHz的
5 ： 16 GHz的
6 ： 18 GHz的
1.0
0.5
2
135°
90°
45°
6
5
0
4
1
6
3
–0.5
–1.0
R最大。 = 1
2
–2
–90°
R最大。 = 0.2
0.5
1.0
∞
±180°
1
2
3
4
5
0°
–135°
–45°
S
21
90°
0.5
135°
2
3
5
1
±180°
5
6
4
0°
0
0.5
4
45°
6
S
22
1.0
2
1.0
1
3
2
∞
–135°
–45°
–0.5
–90°
R最大。 = 5.0
–1.0
R最大。 = 1
–2
4
NE76084
S-参数
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
频率
兆赫
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
7000
7500
8000
8500
9000
9500
10000
10500
11000
11500
12000
12500
13000
13500
14000
14500
15000
15500
16000
16500
17000
17500
18000
S
11
MAG 。
0.997
0.989
0.977
0.960
0.942
0.923
0.902
0.879
0.857
0.834
0.812
0.792
0.773
0.756
0.742
0.728
0.714
0.700
0.687
0.673
0.658
0.644
0.630
0.617
0.605
0.592
0.580
0.566
0.552
0.537
0.519
0.500
0.480
0.461
0.441
0.422
ANG 。
（度）
–9.4
–18.5
–27.6
–36.4
–44.9
–53.4
–61.7
–69.8
–77.6
–85.3
–92.8
–99.9
–106.6
–113.0
–119.1
–124.8
–130.3
–135.8
–141.1
–146.6
–151.9
–157.4
–162.9
–168.4
–173.7
–179.1
175.6
170.3
164.7
158.9
152.7
146.2
139.0
131.4
123.4
114.4
MAG 。
2.917
2.890
2.853
2.802
2.749
2.694
2.638
2.571
2.507
2.437
2.371
2.299
2.231
2.167
2.106
2.054
2.004
1.963
1.927
1.891
1.858
1.826
1.792
1.765
1.736
1.710
1.688
1.671
1.658
1.642
1.634
1.617
1.607
1.596
1.579
1.566
S
21
ANG 。
（度）
170.5
161.3
152.2
143.4
134.8
126.3
118.0
109.8
101.8
94.1
86.4
79.1
71.9
65.0
58.4
51.9
45.5
39.2
33.0
26.7
20.5
14.3
8.1
2.1
–4.0
–10.0
–16.0
–22.2
–28.2
–34.6
–41.0
–47.5
–54.2
–61.0
–67.9
–75.1
MAG 。
0.012
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0.100
0.102
0.102
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0.130
0.134
0.138
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0.145
S
12
ANG 。
（度）
83.2
76.9
70.6
64.6
58.9
53.3
47.9
42.8
38.0
33.5
29.2
25.0
21.5
18.2
15.2
12.7
10.3
8.2
6.3
4.3
2.2
0.5
–1.3
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–40.6
MAG 。
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0.615
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0.446
0.443
0.438
0.438
0.435
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22
ANG 。
（度）
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167.8
162.3
155.5
149.9
143.4
136.9
130.9
124.2
5
数据表
的GaAs MES FET
NE76084
C到Ku波段低噪声放大器
N沟道的GaAs MES FET
特点
低噪声系数和放大器;高增益相关
NF = 1.6 dB典型值。 ，嘎= 9.0分贝TYP 。在f = 12 GHz的
门长度：L
g
= 0.3
m
闸门宽度：W
g
= 280
m
L
1.78 ± 0.2
1
L
0.5 TYP 。
包装尺寸
（单位：毫米）
订购信息
产品型号
NE76084-SL
NE76084-T1
供热
形式
STICK
磁带&卷轴
1000件/卷
磁带&卷轴
5000件/卷
1.78 ± 0.2
导线长度
L = 1.7毫米MIN 。
L = 1.0
±
0.2 mm
L = 1.0
±
0.2 mm
记号
E
E
2
L
3
4
L
NE76084-T1A
0.5 TYP 。
绝对最大额定值（T
A
= 25
°
C)
漏源极电压
栅极至源极电压
栅漏电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
V
DS
V
GS
V
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I
D
P
合计
T
ch
T
英镑
5.0
–3.0
–5.0
I
DSS
240
175
-65到+175
V
V
mA
mW
°C
°C
1.源
2.漏
3.源
4.门
电气特性（T
A
= 25
°
C)
产品型号
封装代码
特征
门源漏电流
饱和漏极电流
门源截止电压
跨
噪声系数
相关的增益
符号
I
GSO
I
DSS
V
GS （ OFF ）
g
m
NF
Ga
8.0
15
–0.5
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30
–0.8
40
1.6
9.0
分钟。
NE76084
84
典型值。
马克斯。
10
50
–3.0
70
1.8
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NE76084-2.4
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典型值。
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10
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单位
测试条件
A
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V
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dB
dB
V
GS
= –4 V
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GS
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V
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V
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= 3 V，I
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V
DS
= 3 V，I
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F = 12 GHz的
一号文件P11843EJ2V0DS00 （第2版）
（上一页第TC- 2259 ）
发布日期1996年P月
日本印刷
0.1
V
1.7 MAX 。
1989
NE76084
典型特征（T
A
= 25
°
C)
总功耗对比
环境温度
300
50
漏电流与
漏源极电压
P
合计
- 总功率耗散mW的
40
200
V
GS
= 0 V
I
D
- 漏电流毫安
30
–0.2 V
20
–0.4 V
10
–0.6 V
100
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150
T
A
- 环境温度 - ℃，
200
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1
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V
DS
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5
漏电流与
栅极至源极电压
50
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V
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= 3 V
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典型增益与频率
V
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I
D
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20
味精。
16
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S
21s
8
2
30
MAG. ，最大可用增益分贝
MSG. ，最大稳定增益分贝
S
21s
2
-forward插入增益分贝
I
D
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20
12
10
0
0
–2.0
–1.0
V
GS
-Gate至源极电压-V
0
1
2
4
6
8 10
20
F-频率GHz的
增益计算
味精。 =
|S
21
|
|S
12
|
|S
21
|
|S
12
|
(K
±
K
2
– 1)
K=
1 + |
|
2
– |S
11
|
2
– |S
22
|
2
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12
| |S
21
|
MAG 。 =
= S
11
·S
22
– S
21
·S
12
2
NE76084
噪声系数，相关的增益与
频率
24
V
DS
= 3 V
I
D
= 10毫安
20
G
a
- 相关增益分贝
噪声系数，相关的增益与
漏电流
2.5
V
DS
= 3 V
F = 12 GHz的
G
a
- 相关增益分贝
15
NF-噪声系数分贝
3.0
Ga
16
NF-噪声系数分贝
2.0
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10
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NF
1.5
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F-频率GHz的
8
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5
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25
I
D
- 漏电流毫安
3
NE76084
S-参数
V
DS
= 3 V，I
D
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START 500兆赫，停止18 GHz时， STEP 500兆赫
S
11
S
12
标志
1：500兆赫
2： 4GHz的
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0
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–1.0
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2
–2
–90°
R最大。 = 0.2
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1.0
∞
±180°
1
2
3
4
5
0°
–135°
–45°
S
21
90°
0.5
135°
2
3
5
1
±180°
5
6
4
0°
0
0.5
4
45°
6
S
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1.0
2
1.0
1
3
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∞
–135°
–45°
–0.5
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NE76084
S-参数
V
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频率
兆赫
500
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5500
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6500
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7500
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