MJD44H11 ， NJVMJD44H11 （ NPN ） ， MJD45H11 ， NJVMJD45H11 （ PNP ）
最大额定值
(T
A
= 25_C ，共同为NPN和PNP ，减号，“ - ” ，对于PNP省略，除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
PEAK
符号
V
首席执行官
V
EB
I
C
P
D
最大
80
5
8
16
20
0.16
1.75
0.014
55
+150
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
°C
总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境（注1 ）
无铅焊接温度的
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
6.25
71.4
260
单位
° C / W
° C / W
°C
1.这些额定值，适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
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2
MJD44H11 ， NJVMJD44H11 （ NPN ） ， MJD45H11 ， NJVMJD45H11 （ PNP ）
电气特性
(T
A
= 25_C ，共同为NPN和PNP ，减号，“ - ” ，对于PNP省略，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 30 mA时，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 V直流）
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
基射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 2 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 4 ADC）
动态特性
集电极电容
(V
CB
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
C
cb
pF
45
130
兆赫
85
90
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
60
40
1
1.5
VDC
VDC
V
CEO （ SUS ）
I
CES
I
EBO
80
1.0
1.0
VDC
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
增益带宽积
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20 MHz）的MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
开关时间
延迟和上升时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= 0.5 ADC）
贮存时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
下降时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC
MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
f
T
t
d
+ t
r
ns
300
135
ns
500
500
ns
140
100
t
s
t
f
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3
MJD44H11 ， NJVMJD44H11 （ NPN ） ， MJD45H11 ， NJVMJD45H11 （ PNP ）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
单脉冲
0.05
0.02
0.01
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
D = 0.5
0.2
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 6.25 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图1.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.1
热极限@ T
C
= 25°C
WIRE BOND LIMIT
5毫秒
500
ms
dc
100
ms
1毫秒
0.05
0.02
1
50
5
7 10
20 30
3
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
70 100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图1.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图2.最大正向偏置
安全工作区
T
A
T
C
2.5 25
PD ，功耗（瓦）
2 20
T
C
1.5 15
1 10
T
A
表面
MOUNT
0.5
5
0
0
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图3.功率降额
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4
MJD44H11 ， NJVMJD44H11 （ NPN ） ， MJD45H11 ， NJVMJD45H11 （ PNP ）
1000
V
CE
= 1 V
150°C
25°C
100
55°C
1000
V
CE
= 1 V
h
FE
，直流电流增益
150°C
25°C
100
55°C
h
FE
，直流电流增益
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图4. MJD44H11直流电流增益
1000
V
CE
= 4 V
h
FE
，直流电流增益
150°C
25°C
100
55°C
h
FE
，直流电流增益
1000
图5. MJD45H11直流电流增益
V
CE
= 4 V
150°C
25°C
100
55°C
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图6. MJD44H11直流电流增益
V
CE （ SAT ）
时，Coll - EMIT饱和电压（ V）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.01
0.1
1
25°C
55°C
IC / IB = 20
150°C
V
CE （ SAT ）
时，Coll - EMIT饱和电压（ V）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.01
图7. MJD45H11直流电流增益
IC / IB = 20
55°C
25°C
150°C
10
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图8. MJD44H11饱和电压
V
CE （ SAT ）
图9. MJD45H11饱和电压
V
CE （ SAT ）
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5
QQ：2881677436 复制
