数据表
异质结型场效应晶体管
NE32484A
C到Ku波段超低噪声放大器
N沟道HJ -FET
描述
该NE32484A是一个异质结型场效应管，它利用
异质结打造高电子迁移率。其优异的
低噪声和高增益相关使其适合于星展银行，
TVRO和其他商业系统。
包装尺寸
（单位：毫米）
1.78 ±0.2
1
L
L
特点
超低噪声系数和放大器;关联度高增益
门长度：L
g
≤
0.25
m
闸门宽度：W
g
= 200
m
1.78 ±0.2
NF = 0.6 dB典型值。 ，嘎= 11.0分贝TYP 。在f = 12 GHz的
T
2
L
3
L
4
订购信息
供热
形式
STICK
磁带&卷轴
1000件/卷
NE32484A-T1A
磁带&卷轴
5000件/卷
L = 1.0
±
0.2 mm
产品型号
NE32484A-SL
NE32484A-T1
导线长度
L = 1.7毫米MIN 。
L = 1.0
±
0.2 mm
记号
T
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
T
ch
T
英镑
4.0
–3.0
I
DSS
100
165
150
-65到+150
V
V
mA
1.
2.
3.
4.
来源
漏
来源
门
A
mW
C
C
推荐工作条件（T
A
= 25 C)
特征
漏源极电压
漏电流
输入功率
符号
V
DS
I
D
P
in
分钟。
典型值。
2
10
马克斯。
3
20
0
单位
V
mA
DBM
一号文件P11785EJ3V0DS00 （第3版）
（上一页第TC- 2316 ）
发布日期1996年P月
日本印刷
0.1
1.7 MAX 。
0.5 TYP 。
0.5 TYP 。
1991
NE32484A
S-参数
V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
START 500兆赫，停止18 GHz时， STEP 500兆赫
标志
1：4千兆赫
2 ： 8 GHz的
3 ： 12 GHz的
4 ： 16 GHz的
5 ： 18 GHz的
S
11
1.0
0.5
2.0
+135
S
12
+90
+45
0
0.5
5
4
3
3
1.0
2.0
∞
±180
1 2
4
5
0
2
–0.5
–1.0
1
–2.0
R最大。 = 1
–135
–90
–45
R最大。 = 0.25
S
21
+90
+135
1
2
3
±180
0
0
0.5
4
4
5
5
3
+45
0.5
S
22
1.0
2.0
1.0
2.0
∞
2
–135
–90
–45
R最大。 = 5
–0.5
–1.0
1
–2.0
R最大。 = 1
4
超低噪声
赝HJ FET
特点
超低噪声指数：
0.6分贝一般在12 GHz的
高相关的增益：
11分贝一般在12 GHz的
噪声系数NF （ dB）的
1.4
1.2
G
A
1
0.8
0.6
0.4
0.2
NE32484A
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
24
21
L
G
= 0.25
m,
W
G
= 200
m
低成本金属/陶瓷封装
TAPE &卷轴包装选项中提供
18
15
NF
描述
该NE32484A是一个伪形态异质结场效应管的
使用Si掺杂的AlGaAs和未掺杂之间的结
砷化铟镓创造非常高的电子迁移率。该装置
特色蘑菇状TiAl金属门的门下降
性和改善的功率处理能力。该
蘑菇门也导致了更低的噪声系数和高
相关增益。该器件采用环氧树脂密封，
金属/陶瓷封装，用于高体积
消费者和工业应用。
NEC严格的质量保证和测试程序AS-i
确保最高的可靠性和性能。
12
9
6
3
0
1
10
20
30
频率f （ GHz）的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
选择
1
G
A
1
P
1dB
参数和条件
噪声系数，V
DS
= 2.0 V，I
D
= 10毫安，
F = 12 GHz的
相关的增益，V
DS
= 2.0 V，I
D
= 10 mA时， F = 12 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点， F = 12 GHz的
V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 20毫安
增益P
1dB
中，f = 12 GHz的
V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 20毫安
饱和漏极电流，V
DS
= 2.0 V, V
GS
= 0 V
夹断电压，V
DS
= 2.0 V，I
DS
- 0.1毫安
跨导，V
DS
= 2.0 V，I
D
= 10毫安
门源漏电流，V
GS
= -3.0 V，I
D
= 0毫安
热电阻（通道到环境）
热电阻（通道到外壳）
单位
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
mA
V
mS
A
° C / W
° C / W
15
-2.0
45
10.0
民
NE32484A
84AS
典型值
0.6
11.0
8.5
11.0
10.0
10.5
40
-0.8
60
0.5
750
350
10.0
70
-0.2
最大
0.7
G
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
注意：
的噪声系数和相关的增益1的典型值获得的那些，当从大量材料50％的设备分别单独
在与输入单独调谐，得到最小值的电路测量的。最高值是在生产线上建立的标准
作为"go -无go"筛选调谐为"generic"类型，但不为每个试样。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
NE32484A
外形尺寸
(T
A
= 25C)
NE32484AS
包装外形84AS
（以毫米单位）
1.78
±
0.2
订购信息
部分
数
NE32484AS
NE32484A-T1
数量
散到1K的
1K/Reel
包
84AS
84AS
注意：
长期使用含铅（ 1.7分） 84A封装后在批量请求
数量多达1000个。如需订购指定NE32484A -SL 。
S
1.78
±
0.2
D
T
S
G
0.5
±
0.1
（所有引线
)
1.0
±0.2
（所有引线）
1.7 MAX
+0.07
0.1 -0.03
型号代号（字母） 。
当信是直立的，
栅极引线是在正确的。
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大） 网络连接： http://WWW.CEL.COM
11/98
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