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1996年2月
NDS9400A
单P沟道增强型场效应晶体管
概述
这些P沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生
密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻，
出色的开关性能，并能承受高能量
脉冲雪崩和换向模式。这些
器件特别适用于低电压应用，例如
作为笔记本电脑的电源管理和其他电池
供电电路中快速切换，低线功率损耗，
并且需要抗瞬变。
特点
-3.4A ， -30V 。
DS （ ON）
= 0.13
@ V
GS
= -10V.
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力的一种广泛使用的
表面贴装封装。
坚固可靠。
________________________________________________________________________________
5
6
4
3
7
8
2
1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDS9400A
-30
± 20
（注1A ）
单位
V
V
A
± 3.4
± 10
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
2.5
1.2
1
-55到150
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
NDS9400A.SAM
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
条件
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
T
J
= 125°C
V
GS
= -10 V，I
D
= -1.0 A
T
J
= 125°C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -0.5 A
T
J
= 125°C
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -10 V,
I
D
= -3.4 A，V
GS
= -10 V
V
DD
= -10 V，I
D
= -1 A,
V
根
= -10 V ，R
根
= 6
V
GS
= -10 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -15 V，I
D
= -3.4 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
-10
4
350
260
100
9
21
21
8
10
1.6
3.4
40
40
90
50
25
-1
-0.85
-1.6
-1.25
0.11
0.15
0.17
0.24
民
-30
-2
-25
100
-100
-2.8
-2.5
0.13
0.21
0.2
0.32
A
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
典型值
最大
单位
V
A
A
nA
nA
V
开关特性
基本特征
（注2 ）
动态特性
开关特性
（注2 ）
NDS9400A.SAM
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
S
V
SD
t
rr
I
rr
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
参数
条件
民
典型值
最大
-1.9
单位
A
V
ns
A
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电流
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.25 A
（注2 ）
-0.8
1.9
-1.3
100
V
GS
= 0 V，I
F
= -2.0 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
T
J
T
A
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 50
o
装在一个1在C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
b. 105
o
安装在一个0.04 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
c. 125
o
安装在一个0.006 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
1a
1b
1c
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDS9400A.SAM
典型电气特性
-20
V
GS
= -10V
，漏源电流（A ）
-15
3
-8.0
漏源导通电阻
-7.0
R
DS （ ON）
归一化
V
GS
= -3.5V
2.5
-4.0
-4.5
-5.0
-6.0
-5.5
-5.0
2
-5.5
-6.0
-10
-4.5
-4.0
-5
1.5
-3.5
-3.0
1
-7.0
-8.0
-10
I
0
D
0
-1
V
DS
-2
-3
，漏源电压（V ）
-4
-5
0.5
0
-3
-6
-9
I
D
，漏电流（ A）
-12
-15
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与门
电压和漏电流。
1.6
2
漏源导通电阻
1.4
R
DS （ ON）
归一化
V
的s
= -10V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= -3.4A
V
GS
= -10V
TJ = 125°C
1.5
1.2
1
25°C
1
0.8
-55°C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0.5
0
-3
-6
-9
I
D
，漏电流（ A）
-12
-15
图3.导通电阻变化与
温度。
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度。
-10
门源阈值电压
1.2
V
DS
= -10V
-8
I
D
，漏电流（ A）
TJ = -55°C
25°C
125°C
V
th
归一化
1.1
V
DS
= V
GS
I
D
= -250A
-6
1
-4
0.9
-2
0.8
0
-1
-2
-3
-4
-5
V
GS
，门源电压（ V）
-6
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
图5.传输特性。
图6.门阈值变化与
温度。
NDS9400A.SAM
典型电气特性
（续）
1.1
漏源击穿电压
I
D
= -250A
1.08
1.06
1.04
1.02
1
0.98
0.96
0.94
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
-I
S
，反向漏电流（ A）
10
5
V
GS
= 0V
BV
DSS
归一化
1
0.5
T = 125°C
J
25°C
-55°C
0.1
0.01
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图7.击穿电压变化与
温度。
图8.体二极管正向电压
变化与电流和温度
.
1000
800
10
-V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= -3.4A
8
V
DS
= -10V
-20V
-15V
500
电容（pF）
国际空间站
300
200
6
OSS
4
100
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
RSS
2
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
-V
DS
，漏源极电压（ V）
30
0
0
2
4
6
8
Q
g
，栅极电荷（ NC）
10
12
图9.电容特性。
图10.栅极电荷特性。
6
V
DS
= -15V
，跨导（ SIEMENS ）
5
TJ = -55°C
25°C
4
125°C
3
2
1
g
0
0
FS
-2
I
D
-4
-6
，漏电流（ A）
-8
-10
图11.跨导变化与漏
电流和温度。
NDS9400A.SAM
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